太赫兹近场成像装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于太赫兹成像系统的传感器，所述传感器包括太赫兹辐射接收器(18)的阵列；以及太赫兹辐射发射器(10)的阵列，其具有所述接收器阵列的间距相同的间距，设置在所述接收器的阵列与位于所述发射器的近场中的分析区域(12)之间，并且被配置为使得每个发射器向所述分析区域和所述接收器阵列的相应接收器两者发射波。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太赫兹近场成像装置
本专利技术涉及近距离成像技术，它特别是使用要与待分析物体接触放置的太赫兹探针。
技术介绍
太赫兹(THz)波范围在毫米波与可见辐射之间。一般认为，太赫兹波范围的频率从约300GHz至数个THz。该范围内的波具有射频和光学特性两者，特别是它们可以通过天线来发送和接收，并且通过诸如硅透镜之类的光学系统来聚焦。THz波具有穿过某些物体的特性，而没有X射线的恶性。在医学成像中，它们用于例如检测癌变组织，因为这种组织在THz范围内具有与健康组织不同的吸收和反射特性。文章“Useofahandheldterahertzpulsedimagingdevicetodifferentiatebenignandmalignantbreasttissue(使用手持式太赫兹脉冲成像设备来区分良性和恶性乳腺组织)”(MaartenR.Grootendorst等人，第8卷第6期，2017年6月1日，BiomedicalOpticsexpress(生物医学光学快报)2932)公开了一种手持式探针，其被设计为在患者的皮肤上移动并且通过波反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于近场太赫兹成像系统的传感器，包括：/n太赫兹辐射发射器(10)的阵列，其被配置为使得所述发射器通过近场效应与待分析物体(12)交互，其中，每个发射器均被配置为从所述阵列的两个面发射场；以及/n接收器(18)的阵列，其被布置在发射器阵列的与待分析物体(12)相反的一侧上并且包括太赫兹辐射接收器，所述接收器与各个发射器相对，并且位于所述发射器的近场中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 FR 18526881.一种用于近场太赫兹成像系统的传感器，包括：
太赫兹辐射发射器(10)的阵列，其被配置为使得所述发射器通过近场效应与待分析物体(12)交互，其中，每个发射器均被配置为从所述阵列的两个面发射场；以及
接收器(18)的阵列，其被布置在发射器阵列的与待分析物体(12)相反的一侧上并且包括太赫兹辐射接收器，所述接收器与各个发射器相对，并且位于所述发射器的近场中。


2.根据权利要求1所述的传感器，包括：
对太赫兹辐射透明的半导体材料的第一平面基材(Rx)，其具有有源面，在所述有源面上以半导体技术实现所述接收器(18)；以及
与第一基材不同的第二平面基材(Tx)，其由对太赫兹辐射透明的半导体材料制成并且具有有源面，在所述有源面上以半导体技术实现所述发射器(10)。


3.根据权利要求1所述的传感器，包括控制电路(20，22)，其被配置为按顺序激活每个发射器及其相应的接收器。


4.根据权利要求2所述的传感器，其中，第二基材(Tx)的有源面面对所述待分析物体(12)，并且所述第二基材的背面面对所述第一基材(Rx...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·雪莉，
申请(专利权)人：蒂希韦，
类型：发明
国别省市：法国;FR