锁相环电路制造技术

本发明专利技术公开一种锁相环电路，其包括延迟锁相环及子采样锁相环。延迟锁相环用于将第一参考频率及第二参考频率锁相于输入频率，其包括相位修正电路、积分器、第一子采样相位检测器及第一电荷泵。子采样锁相环经配置以预定的锁相环频率产生输出频率，且输出频率锁相于第一参考信号，其包括第二子采样相位检测器、第二电荷泵、相位频率检测电路、电压控制振荡器及第一分频器。其中，第一子采样相位检测器及第二子采样相位检测器具有对称电路架构，且第一电荷泵电路及第二电荷泵电路具有对称电路架构。

【技术实现步骤摘要】
锁相环电路
本专利技术涉及一种锁相环电路，特别是涉及一种具有对称电路架构的锁相环电路。
技术介绍
锁相环(Phase-lockedloop,PLL)是一种利用反馈(Feedback)控制原理实现的频率及相位的同步技术，其作用是将电路输出的时钟与其外部的参考时钟保持同步。当参考时钟的频率或相位发生改变时，锁相环会检测到这种变化，并且通过其内部的反馈系统来调节输出频率，直到两者重新同步，这种同步又称为「锁相」(Phase-locked)。在传统的PLL中，由于反馈路径中设置的N倍分频器，相位检测器(PD)及电荷泵(CP)的噪声在控制压控振荡器(Voltage-controlledoscillator,VCO)输出时被乘以N2，而此因子主导了PLL的相位噪声，并限制可实现的PLL抖动·功率因子(FOM)。为此，研究了子采样锁相环(Sub-samplingphaselockedloop,SSPLL)，其中使用了相位检测器，用参考频率对高频VCO的输出进行子采样。因在回馈路径上省去了分频器，因此，此PLL中的PD及CP噪声不会乘以N2，并且会因高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锁相环电路，包括：/n一延迟锁相环，用于将一第一参考频率及一第二参考频率锁相于一输入频率，包括：/n一相位修正电路，经配置以根据一第一控制信号或一第二控制信号调整该输入频率，并产生该第一参考频率及该第二参考频率；/n一积分器，根据该第一参考频率及该第二参考频率产生该第一控制信号；/n一第一子采样相位检测器，经配置以该第二参考频率对一输出频率差动对采样，并转换该第二参考频率及该输出频率差动对之间的相位误差以输出一第一电荷泵控制信号对；及/n一第一电荷泵电路，依据该第一电荷泵控制信号对产生该第二控制信号；以及/n一子采样锁相环，经配置以预定的一锁相环频率产生该输出频率差动对，且该输出频率差...

【技术特征摘要】
1.一种锁相环电路，包括：
一延迟锁相环，用于将一第一参考频率及一第二参考频率锁相于一输入频率，包括：
一相位修正电路，经配置以根据一第一控制信号或一第二控制信号调整该输入频率，并产生该第一参考频率及该第二参考频率；
一积分器，根据该第一参考频率及该第二参考频率产生该第一控制信号；
一第一子采样相位检测器，经配置以该第二参考频率对一输出频率差动对采样，并转换该第二参考频率及该输出频率差动对之间的相位误差以输出一第一电荷泵控制信号对；及
一第一电荷泵电路，依据该第一电荷泵控制信号对产生该第二控制信号；以及
一子采样锁相环，经配置以预定的一锁相环频率产生该输出频率差动对，且该输出频率差动对锁相于该第一参考信号，包括：
一第二子采样相位检测器，经配置以该第一参考频率对该输出频率差动对采样，并转换该第一参考频率及该输出频率差动对之间的相位误差以输出一第二电荷泵控制信号对；以及
一第二电荷泵电路，经配置以依据该第二电荷泵控制信号对产生第三控制信号；
一相位频率检测电路，经配置以接收该第一参考频率及一除频信号，当该第一参考频率及该除频信号之间的一相位误差大于一预定死区时间时，该相位频率检测电路产生一第四控制信号；
一电压控制振荡器，经配置以依据该第三控制信号及该第四控制信号产生该输出频率差动对；及
一第一分频器，经配置以将该输出频率差动对除频以产生该除频信号，
其中该第一子采样相位检测器及该第二子采样相位检测器具有对称电路架构，且该第一电荷泵电路及该第二电荷泵电路具有对称电路架构，使该第一子采样相位检测器及该第二子采样相位检测器分别对该输出频率差动对采样时具有相同负载。


2.根据权利要求1所述的锁相环电路，其中，该第二参考频率为该第一参考频率的反相信号。


3.根据权利要求2所述的锁相环电路，其中，该第二子采样相位检测器包括：
一第三采样开关，一端接收该输出频率差动对的第一输出频率，其控制端由该第一参考频率控制以对该第一输出频率采样，以从其另一端输出该第二电荷泵控制信号对的一第三电荷泵控制信号；以及
一第四采样开关，一端接收该输出频率差动对的第二输出频率，其控制端由该第二参考频率控制以对该第二输出频率采样，以从其另一端输出该第二电荷泵控制信号对的一第四电荷泵控制信号。


4.根据权利要求3所述的锁相环电路，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建文，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71