用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体制造技术

一种用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体，它的化学式为（ＮＨ＃－［４］）＃－［２］Ｎｉ（ＳＯ＃－［４］）＃－［２］.６Ｈ＃－［２］Ｏ（简称ＡＮＳＨ）；采用水溶液降温法生长ＡＮＳＨ单晶，以二次蒸馏水为晶体生长溶剂，生长温度从６５℃到３０℃，用自发结晶的小晶体作为籽晶，晶体的生长速度控制在２－３ｍｍ／天，晶体的转动速度为３０转／分（正反转），生长槽的控温精度为０．０５℃；该晶体在紫外区２４０ｎｍ处的透过率高，其脱水温度为９６．０６－２２０．６℃，热稳定性好，晶体缺陷少，所以可用于紫外光滤波器、光的波段选择开关、导弹防御系统报警器的紫外光传感器。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学与冶金领域，特别是涉及一种用于紫外光滤波器的晶体材料及其晶体生长。Childy1961年报导用Ni(SO4)2·6H2O晶体(简称NSH)和掺Pb的卤化物KClKBr晶体制成紫外光谱区(0.26-0.27μm)的窄带滤波器。1987年K·Stadrick et al(K·Stadrick et al.Acta Cryst.1987，B43319)报导用蒸发法(35℃)生长出40mm长、截面为25mm的NSH单晶。W·J·P·VANENCKEVOPT在文献“Jounal of Crystal Growth80(1987)91-103”上报导用98％的Ni(SO4)2·6H2O原料，以降温法(45-36℃)，经4周生长出3-4cm直径的NSH晶体。我们从1996-2000年在NSH晶体的生长和性能研究中发表了3篇论文(苏根博、贺友平等，α-Ni(SO4)2·6H2O晶体生长与光学性质，人工晶体学报，1998年27卷，第1期，56-59页；Su Genbo，He Youping，et al.，Directional growth of Cylinder α-NiSO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体，其特征在于：该晶体的化学式为（ＮＨ↓［４］）↓［２］Ｎｉ（ＳＯ↓［４］）↓［２］.６Ｈ↓［２］Ｏ（简称ＡＮＳＨ）；它在紫外区２４０ｎｍ处的透过率高；其脱水温度为９６．０６－２２０．６℃。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏根博，庄欣欣，王国富，贺友平，李征东，马锦波，李国辉，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]