高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置制造方法及图纸

本申请涉及一种高密度图案化加工的衬底‑掩模板原位保持装置，包括真空连接台、底座、衬底保持器和掩模板保持器，所述真空连接台设置第一快速插口和气口；所述底座的上端面设置有第一凸台和第一气孔，所述底座连接在所述真空连接台的上端面、且所述第一气孔与所述气口连通；衬底保持器设置保持槽、连接孔和紧固组件；掩模板保持器设置有镂空孔和悬臂，所述悬臂的上端面设置有第二快速插口、下端面设置有第二气孔。如此设置，本装置结构简单，便于操作，在对准操作后即可将衬底和掩模板保持固定，有利于实现高密度阵列结构薄膜器件的高效制备，并在薄膜器件制备各个工艺之间样品的快速转移。

【技术实现步骤摘要】
高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置
本申请涉及非硅基薄膜器件的制备
，更具体地说，涉及一种高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置。
技术介绍
近年来，随着人类社会步入5G时代，半导体及通讯器件朝着高集成度、小型化、轻质化的方向发展；制备高密度阵列结构的非硅基薄膜器件，开发材料、器件微纳集成技术，将引领新一轮的产业革命。目前，非硅基薄膜器件制备技术发展滞后，严重制约着非硅基器件的进一步微型化演变。其中，如何高质高效地实现器件中材料图案的高密度、高精度集成加工是制备微型非硅基薄膜器件的关键。目前，用于非硅基薄膜器件制备的磁控溅射、热蒸发、分子束外延等高精密制备手段。高密度阵列结构的薄膜器件的制备流程，具体涉及到器件衬底与阵列图案制备用掩模板的对准、贴合固定、转移及薄膜制备工艺，该流程决定着高密度阵列微器件制备的质量和效率。这些工艺本身以及工艺之间的转换过程中，都涉及到器件衬底与掩模板的相互紧固与相对位置的保持，迫切需要一种装置将衬底与掩模板固定保持，以匹配高密度阵列结构薄膜制备流程中的各个工艺。所需装置必须符合以下要求：1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置，其特征在于，包括有：/n真空连接台(1)，所述真空连接台(1)设置有用于与真空泵连接的第一快速插口(11)和位于上端面并与所述第一快速插口(11)连通的气口(12)；/n底座(2)，所述底座(2)的上端面设置有第一凸台(21)和位于所述第一凸台(21)上将所述底座(2)贯穿的第一气孔(22)，所述底座(2)连接在所述真空连接台(1)的上端面、且所述第一气孔(22)与所述气口(12)连通；/n衬底保持器(3)，设置有位于上端面并供衬底嵌入的保持槽(31)、位于所述保持槽(31)的槽底将所述衬底保持器(3)贯穿并供所述第一凸台(21)嵌入的连接孔...

【技术特征摘要】
1.一种高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置，其特征在于，包括有：
真空连接台(1)，所述真空连接台(1)设置有用于与真空泵连接的第一快速插口(11)和位于上端面并与所述第一快速插口(11)连通的气口(12)；
底座(2)，所述底座(2)的上端面设置有第一凸台(21)和位于所述第一凸台(21)上将所述底座(2)贯穿的第一气孔(22)，所述底座(2)连接在所述真空连接台(1)的上端面、且所述第一气孔(22)与所述气口(12)连通；
衬底保持器(3)，设置有位于上端面并供衬底嵌入的保持槽(31)、位于所述保持槽(31)的槽底将所述衬底保持器(3)贯穿并供所述第一凸台(21)嵌入的连接孔(32)、位于所述保持槽(31)外周用于固定衬底和掩模板的紧固组件；
掩模板保持器(4)，设置有将所述掩模板保持器(4)贯穿的镂空孔和位于所述镂空孔中部的悬臂(41)，所述悬臂(41)的上端面设置有用于与真空泵连接的第二快速插口(43)、下端面设置有与所述第二快速插口(43)连通用于吸附掩模板的第二气孔(44)。


2.根据权利要求1所述的高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置，其特征在于，所述真空连接台(1)的上端面设置有第二凸台(14)，所述底座(2)的下端面设置有供所述第二凸台(14)嵌入连接的连接插口(24)，所述第一气孔(22)贯穿于所述连接插口(24)内。


3.根据权利要求1所述的高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置，其特征在于，所述第一凸台(21)的上端面设置有第一真空槽(23)，所述第一气孔(22)设置有多个、并分布在所述第一真空槽(23)内。


4.根据权利要求1所述的高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置，其特征在于，还包括有呈框型的连接支架(5)，所述掩模板保持器(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓元，王赫，赵未昀，张玮峰，华小社，
申请(专利权)人：北京航空航天大学杭州创新研究院，
类型：发明
国别省市：浙江;33