【技术实现步骤摘要】
高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置
本申请涉及非硅基薄膜器件的制备
,更具体地说,涉及一种高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置。
技术介绍
近年来,随着人类社会步入5G时代,半导体及通讯器件朝着高集成度、小型化、轻质化的方向发展;制备高密度阵列结构的非硅基薄膜器件,开发材料、器件微纳集成技术,将引领新一轮的产业革命。目前,非硅基薄膜器件制备技术发展滞后,严重制约着非硅基器件的进一步微型化演变。其中,如何高质高效地实现器件中材料图案的高密度、高精度集成加工是制备微型非硅基薄膜器件的关键。目前,用于非硅基薄膜器件制备的磁控溅射、热蒸发、分子束外延等高精密制备手段。高密度阵列结构的薄膜器件的制备流程,具体涉及到器件衬底与阵列图案制备用掩模板的对准、贴合固定、转移及薄膜制备工艺,该流程决定着高密度阵列微器件制备的质量和效率。这些工艺本身以及工艺之间的转换过程中,都涉及到器件衬底与掩模板的相互紧固与相对位置的保持,迫切需要一种装置将衬底与掩模板固定保持,以匹配高密度阵列结构薄膜制备流程中的各个工艺。所需装置必须符合以下要求:1.广泛适用于各种薄膜制备工艺;2.不影响、改变薄膜制备的条件;3.使用、执行简单便捷;4.成本低廉;5.解决掩模板因被夹具固定而翘曲的问题。在申请号为CN202010701252.2的专利中,针对衬底(基片)与掩模板的对准与贴合问题设计了一种专用的对准装置,实现了衬底与掩模板的快速对准。而为了实现高密度阵列结构薄膜器件的高效制备,除对准以外仍必须解决在薄膜器件制备各个工 ...
【技术保护点】
1.一种高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置,其特征在于,包括有:/n真空连接台(1),所述真空连接台(1)设置有用于与真空泵连接的第一快速插口(11)和位于上端面并与所述第一快速插口(11)连通的气口(12);/n底座(2),所述底座(2)的上端面设置有第一凸台(21)和位于所述第一凸台(21)上将所述底座(2)贯穿的第一气孔(22),所述底座(2)连接在所述真空连接台(1)的上端面、且所述第一气孔(22)与所述气口(12)连通;/n衬底保持器(3),设置有位于上端面并供衬底嵌入的保持槽(31)、位于所述保持槽(31)的槽底将所述衬底保持器(3)贯穿并供所述第一凸台(21)嵌入的连接孔(32)、位于所述保持槽(31)外周用于固定衬底和掩模板的紧固组件;/n掩模板保持器(4),设置有将所述掩模板保持器(4)贯穿的镂空孔和位于所述镂空孔中部的悬臂(41),所述悬臂(41)的上端面设置有用于与真空泵连接的第二快速插口(43)、下端面设置有与所述第二快速插口(43)连通用于吸附掩模板的第二气孔(44)。/n
【技术特征摘要】
1.一种高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置,其特征在于,包括有:
真空连接台(1),所述真空连接台(1)设置有用于与真空泵连接的第一快速插口(11)和位于上端面并与所述第一快速插口(11)连通的气口(12);
底座(2),所述底座(2)的上端面设置有第一凸台(21)和位于所述第一凸台(21)上将所述底座(2)贯穿的第一气孔(22),所述底座(2)连接在所述真空连接台(1)的上端面、且所述第一气孔(22)与所述气口(12)连通;
衬底保持器(3),设置有位于上端面并供衬底嵌入的保持槽(31)、位于所述保持槽(31)的槽底将所述衬底保持器(3)贯穿并供所述第一凸台(21)嵌入的连接孔(32)、位于所述保持槽(31)外周用于固定衬底和掩模板的紧固组件;
掩模板保持器(4),设置有将所述掩模板保持器(4)贯穿的镂空孔和位于所述镂空孔中部的悬臂(41),所述悬臂(41)的上端面设置有用于与真空泵连接的第二快速插口(43)、下端面设置有与所述第二快速插口(43)连通用于吸附掩模板的第二气孔(44)。
2.根据权利要求1所述的高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置,其特征在于,所述真空连接台(1)的上端面设置有第二凸台(14),所述底座(2)的下端面设置有供所述第二凸台(14)嵌入连接的连接插口(24),所述第一气孔(22)贯穿于所述连接插口(24)内。
3.根据权利要求1所述的高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置,其特征在于,所述第一凸台(21)的上端面设置有第一真空槽(23),所述第一气孔(22)设置有多个、并分布在所述第一真空槽(23)内。
4.根据权利要求1所述的高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置,其特征在于,还包括有呈框型的连接支架(5),所述掩模板保持器(4...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓元,王赫,赵未昀,张玮峰,华小社,
申请(专利权)人:北京航空航天大学杭州创新研究院,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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