【技术实现步骤摘要】
一种晶圆蚀刻载具设备
本专利技术涉及晶圆蚀刻领域,尤其是涉及到一种晶圆蚀刻载具设备。
技术介绍
晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,在对晶圆加工时,使用晶圆蚀刻载具设备将已被切割的晶圆进行固定转移,再通过化学反应对晶圆进行蚀刻。目前现有的一种晶圆蚀刻载具设备,在对晶圆进行蚀刻时,首先将晶圆进行固定在蚀刻篮中的托盘上,置放晶圆时需置放于托盘中部,对于晶圆的固定通过粘性材料进行粘附,导致在取下蚀刻后的晶圆表面含有粘性,不及时进行刮除容易沾有灰尘在晶圆表面,影响对晶圆的安装。
技术实现思路
针对现有的一种晶圆蚀刻载具设备,在对晶圆进行蚀刻时,首先将晶圆进行固定在蚀刻篮中的托盘上,置放晶圆时需置放于托盘中部,对于晶圆的固定通过粘性材料进行粘附,导致在取下蚀刻后的晶圆表面含有粘性,不及时进行刮除容易沾有灰尘在晶圆表面,影响对晶圆的安装的不足,本专利技术提供一种晶圆蚀刻载具设备来解决上述技术问题。本专利技术是通过如下的技术方案来实现:一种晶圆蚀刻载具设备,其结构包括蚀刻箱、控制器 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆蚀刻载具设备,其结构包括蚀刻箱(1)、控制器(2)、观察窗口(3)、排液管(4)、滑块(5),所述控制器(2)通过螺栓连接于蚀刻箱(1)前侧,所述观察窗口(3)嵌设于蚀刻箱(1)右上表面,所述排液管(4)贯穿于蚀刻箱(1)右壁,所述滑块(5)通过活动卡合连接于蚀刻箱(1)前侧,其特征在于:/n所述蚀刻箱(1)包括隔板(11)、底板(12)、升降器(13)、顶板(14)、置物板(15)、擦拭块(16),所述隔板(11)垂直嵌固于蚀刻箱(1)左内部,所述底板(12)底部通过焊接连接于蚀刻箱(1)内底部表面,所述升降器(13)底端通过配合安装于底板(12)上表面,所述 ...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆蚀刻载具设备,其结构包括蚀刻箱(1)、控制器(2)、观察窗口(3)、排液管(4)、滑块(5),所述控制器(2)通过螺栓连接于蚀刻箱(1)前侧,所述观察窗口(3)嵌设于蚀刻箱(1)右上表面,所述排液管(4)贯穿于蚀刻箱(1)右壁,所述滑块(5)通过活动卡合连接于蚀刻箱(1)前侧,其特征在于:
所述蚀刻箱(1)包括隔板(11)、底板(12)、升降器(13)、顶板(14)、置物板(15)、擦拭块(16),所述隔板(11)垂直嵌固于蚀刻箱(1)左内部,所述底板(12)底部通过焊接连接于蚀刻箱(1)内底部表面,所述升降器(13)底端通过配合安装于底板(12)上表面,所述顶板(14)嵌固于升降器(13)顶部,所述置物板(15)下表面紧贴于顶板(14)上表面。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆蚀刻载具设备,其特征在于:所述置物板(15)包括限位板(151)、夹紧板(152)、置物槽(153),所述限位板(151)底部焊接在置物板(15)上表面,所述夹紧板(152)嵌固于限位板(151)内侧,所述置物槽(153)嵌设于夹紧板(152)上表面。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆蚀刻载具设备,其特征在于:所述夹紧板(152)包括定位块(a1)、支撑杆(a2)、推块(a3),所述定位块(a1)与夹紧板(152)底部为一体化结构,所述支撑杆(a2)通过间隙连接于定位块(a1)上壁,所述推块(a3)底部紧贴于支撑杆(a2)顶端。
4.根据...
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