提供光学质量硅表面的方法技术

本发明专利技术提供了一种在光学系统，包括集成的光学波导器件结构上制备光学质量硅表面的系统和方法。粗糙表面通过干刻蚀过程形成。热氧化物在表面上通过湿或干的氧化过程生长。使用基于ＨＦ的溶液来刻蚀生长的氧化物，降低表面的粗糙度。为了获得所需程度的平滑度，可以重复进行本发明专利技术的过程。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及改善光学系统透光性的方法，而且更具体地说是涉及在光学器件、包括集成的光学波导器件结构中降低表面的粗糙度并且提供光学质量硅表面的系统和方法。
技术介绍
因为光学系统的构造已经成熟，所以使用创新且低成本的光电元件包装技术已经从相对简单的激光和光电探测器封装(submount)迁移到更加复杂的复合集成光学子系统。光学层的出现和成熟以及对增长的光学层功能性的需求为之提供了动力。同时，光学器件逐渐迁移到网络边缘并且最终迁移到单个用户，这就需要实现小的、低成本的且高度功能化的光电元件。硅光具座(SiOB)技术被发展来获取使用硅玻璃(glass-on-silicon)技术的平面光波回路器件的优点。SiOB技术也具有硅加工的优点，用于实现V-凹槽、基准和对准标记、被动校准的机械围栏、焊接坝和焊接蒸发等。但是，硅上存在的大缓冲层和SiOB技术中弱的光波导会导致大的弯曲半径。因此，光波回路器件需要大的实际成本。然后，绝缘体硅(Silicon-on-insulator)(SOI)被发展来作为用于实现集成光学器件、包括光波导器件设备的有前途的基片材料。最近，SOI已经作为商用、低成本、集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成光学表面的方法，该方法包括：刻蚀基片形成具有表面粗糙度的光学表面；氧化光学表面部分，形成氧化区；除去氧化区，其中光学表面的表面粗糙度降低了。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：米哈伊尔N内登科夫，黄权，西瓦苏布拉马尼亚姆叶格纳纳拉雅纳，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]