聚氨酯的改性方法、聚氨酯、抛光垫及抛光垫的改性方法技术

本发明专利技术使用包括准备具有烯属不饱和键的聚氨酯的工序、以及用含有具有共轭双键的化合物的液体对聚氨酯进行处理的工序的聚氨酯的改性方法，或者使用包括准备具有共轭双键的聚氨酯的工序、以及用含有具有烯属不饱和键的化合物的液体对聚氨酯进行处理的工序的聚氨酯的改性方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚氨酯的改性方法、聚氨酯、抛光垫及抛光垫的改性方法
本专利技术涉及聚氨酯的改性方法、新型聚氨酯、以及抛光垫。
技术介绍
作为对半导体晶片进行镜面加工、或者为了在半导体基板上形成电路而使具有氧化膜等绝缘膜、导电体膜的被抛光物的表面平坦化的工序中所使用的抛光方法，已知有化学机械抛光(CMP)。CMP是一边向被抛光物的表面供给包含磨粒和反应液的浆料一边用抛光垫对被抛光物进行高精度地抛光的方法。作为CMP中使用的抛光垫的原材料，优选使用聚氨酯。近年来，随着在半导体基板上形成的电路的高度集成化及多层布线化的发展，对CMP要求抛光速度的提高、更高的平坦度。为了满足这样的要求，为了通过提高浆料中的磨粒与抛光垫的抛光面的亲和性来提高抛光速度，提出了调整聚氨酯的表面的zeta电位的技术等表面特性的改良。例如，下述专利文献1公开了一种抛光垫，将抛光垫安装于抛光装置，在启动了抛光装置的使用初期阶段，可以缩短通过修整处理进行抛光面的整形处理的准备工序(磨合(启动))所需的时间。专利文献1中公开了一种抛光垫，其具有被压接于被抛光物的抛光面，抛光面的起伏为周期5m本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚氨酯的改性方法，该方法包括：/n准备具有烯属不饱和键的聚氨酯的工序；以及/n用含有具有共轭双键的化合物的液体对所述聚氨酯进行处理的工序。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180511 JP 2018-0926081.一种聚氨酯的改性方法，该方法包括：
准备具有烯属不饱和键的聚氨酯的工序；以及
用含有具有共轭双键的化合物的液体对所述聚氨酯进行处理的工序。


2.根据权利要求1所述的聚氨酯的改性方法，其中，
所述聚氨酯包含来自于具有烯属不饱和键的化合物的聚合物结构单元。


3.根据权利要求2所述的聚氨酯的改性方法，其中，
所述具有烯属不饱和键的化合物包含选自顺-2-丁烯-1,4-二醇、4,5-双(羟甲基)咪唑、5-降冰片烯-2,3-二甲醇、顺-2-壬烯-1-醇、顺-3-壬烯-1-醇、顺-3-辛烯-1-醇、聚丁二烯二醇中的至少1种化合物。


4.一种聚氨酯的改性方法，该方法包括：
准备具有共轭双键的聚氨酯的工序；以及
用含有具有烯属不饱和键的化合物的液体对所述聚氨酯进行处理的工序。


5.根据权利要求4所述的聚氨酯的改性方法，其中，
所述聚氨酯为包含来自于具有共轭双键的化合物的聚合物结构单元的聚氨酯。


6.根据权利要求5所述的聚氨酯的改性方法，其中，
所述具有共轭双键的化合物包含选自4,5-双(羟甲基)咪唑、4-羟甲基-5-甲基咪唑、聚呋喃二甲酸乙二醇酯中的至少1种化合物。


7.一种聚氨酯，其具有烯属不饱和键。


8.根据权利要求7所述的聚氨酯，其是对所述烯属不饱和键加成具有共轭双键的...

【专利技术属性】
技术研发人员：大下梓纱，加藤充，竹越穣，冈本知大，加藤晋哉，
申请(专利权)人：株式会社可乐丽，
类型：发明
国别省市：日本;JP