一种备用电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种备用电源，包括充电电路、充放电电路、充放电管理电路和电池组，所述充电电路将配套外接电源变压，输入到充放电电路；所述充放电电路的一端与所述电池组连接，所述充放电电路的另一端与负载连接，所述充放电管理电路与所述充放电电路连接，控制充放电电路充放电。本实用新型专利技术通过将充电电路为电池充电，并通过充放电电路在充电的过程中导通，在放电的过程中二次升压放电，可为音乐设备长时间有效供电。

【技术实现步骤摘要】
一种备用电源
本技术涉及电源领域，具体涉及一种备用电源。
技术介绍
电子技术的发展为音乐带来了长足的进步，现在无论是传统乐器还是电子乐器，在日常训练和演出的过程中通常离不开电，然而目前大多数声乐或器乐的供电使用9V供电，所以需要专用电源，现有方案通常在相关设备上安装电池模组，并且输出所需电压，因为电池较重，影响相关设备的使用，同时，续航能力不理想，另一种现有方案是使用变压设备，直接将现场的交流电变压转换成所需电压，同时输出多路进行输出，该方案因需要外接电源，同样不利于使用。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的旨在提供一种保证续航力的同时，摆脱市电电源的备用电源可以为音乐相关设备提供具有设定电压的电能。本技术提供的技术方案如下：一种备用电源，包括充电电路、充放电电路、充放电管理电路和电池组，所述充电电路将配套外接电源变压，输入到充放电电路；所述充放电电路的一端与所述电池组连接，所述充放电电路的另一端与负载连接，所述充放电管理电路与所述充放电电路连接，控制充放电电路充放电。进一步地，所述充电电路包括第一PMOS管Q6、第一NMOS管Q12、第一电感L1、第一二极管D3、第二二极管D4、第一电容C3、第二电容C16、第三电容C17、第一继电器J1、第一电阻R29和升压芯片FLD5912，所述第一继电器J1的输入端与外接电源正极连接，所述第一继电器J1的输出端分别与第一电阻R29的两端、第一电容C3的正负极连接，所述第一PMOS管Q6的源极与电池管理模块的一端连接，并且所述第一PMOS管Q6的源极与第一电容C3的正极并联；所述第一MOS管的漏极分别与第二二极管D4的阴极、第一NMOS管Q12的漏极和第一电感L1的输入端连接；所述第一PMOS管Q6的栅极与升压芯片FLD5912的二号端口连接；所述第一电感L1的输出端与第一二极管D3的阳极连接，所述第一二极管D3的阴极分别与第二电容C16的正极、第三电容C17的正极和负载的正极连接。所述第一电容C3的负极、第二二极管D4的阳极、第一NMOS管Q12的源极、第二电容C16的负极、第三电容C17的负极并联并接地。进一步地，所述充放电电路包括电池组接口、至少一组升压电容、第二PMOS管Q1、第三PMOS管Q2、第四PMOS管Q3、第五PMOS管Q4，所述，电池组接口包括至少一组与电池组连接的电池端口，所述电池端口与电池组中的电池单体连接，所述电池端口与所述升压电容相对应；所述电池端口与所述第二PMOS管Q1的源极连接，所述电池端口还与升压电容的一端连接，所述升压电容的另一端与所述第二PMOS管Q1的源极连接，所述PMOS管Q1的漏极与所述第三PMOS管Q2的漏极连接；所述第三PMOS管Q2的源极与所述第四PMOS管Q3的漏极连接，所述第四PMOS管Q3的源极与第五PMOS管的源极连接，所述第五PMOS管的栅极和第四MOS管的栅极连接，并且与所述充放电管理电路连接，所述第五PMOS管的漏极与负载和所述述充电电路连接。更进一步地，所述充放电管理电路包括充放电控制芯片S8254AAK，所述充放电控制芯片S8254AAK的1号端口与第三PMOS管Q2的栅极连接，所述充放电控制芯片S8254AAK的3号端口与第二PMOS管Q1的栅极连接，所述充放电控制芯片S8254AAK的11号端口与所述电池组接口连接，在充电状态下，所述充放电控制芯片S8254AAK的12号到15号端口与所述升压电容的低压端连接。更进一步地，所述充放电控制芯片S8254AAK的12号到15号端口与所述电池组接口连接。进一步地，所述充放电电路包括第六电容C1，所述第六电容C1的一端与负载的正极连接，所述第六电容C1的另一端与负载的负极连接。进一步地，还包括充放电检测电路，所述充放电检测电路包括电压反馈放大器SGM358、第四电容C14，所述第四电容C14的一端与所述电池组连接，所述第四电容C14的另一端接地；所述第四电容C14的一端作为SRN端分别与所述电压反馈放大器SGM358第一比较器的同相端和第二比较器的反向端连接，所述第一比较器输出充电电压，所述第四电容C14的SRP端分别与第一比较器的反向端和第二比较器的同相端连接，所述第二比较器输出放电电压。更进一步地，还包括电量检测电路，所述电量检测电路包括电量检测控制器SN8F570210、第一三极管Q11、第二三极管Q9和第五电容C18，所述第一三极管Q11的基极与所述第一比较器的输出端连接，所述第一三极管Q11的集电极与所述电量检测控制器SN8F570210的4号端口连接，充电时输出低电平，所述第二三极管Q9的基极与所述第二比较器的输出端连接，所述第二三极管Q9的集电极与所述电量检测控制器SN8F570210的6号端口连接，放电状态下输出低电平；所述电量检测控制器SN8F570210的11号端口与外接电源正极连接，所述电量检测控制器SN8F570210的10号端口与电池组正极连接，所述第五电容C18的一端与所述电量检测控制器SN8F570210的9号端口连接，所述第五电容C18的另一端与电池组正极连接。与现有技术相比，本技术通过将充电电路为电池充电，并通过充放电电路在充电的过程中导通，在放电的过程中二次升压放电，可为音乐设备长时间有效供电。附图说明图1为本技术一种备用电源框图。图2为本技术一种备用电源充电电路电路图。图3为本技术一种备用电源充电电路升压芯片FLD5912电路图。图4为本技术一种备用电源充放电电路和充放电管理电路的电路图。图5为本技术一种备用电源充放电检测电路。图6为本技术一种备用电源电量检测电路。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。根据图1至6所述的一种备用电源，包括充电电路、充放电电路、充放电管理电路和电池组，所述充电电路将配套外接电源变压，输入到充放电电路；所述充放电电路的一端与所述电池组连接，所述充放电电路的另一端与负载连接，所述充放电管理电路与所述充放电电路连接，控制充放电电路充放电。在充电状态下，外接5V直流电源通过充电电路将电压升至高于电池组充电电压，所述充放电电路在所述充放电控制电路的控制下导通，为电池组充电，在一种实施例当中，电池组为两串四并锂电池电池组，此时，所述充电电路将电压提升至8.4V以上，在所述充放电电路的控制下，所述充放电电路上的所有开关原件打开；在放电状态下，所述充放电电路在所述充放电控制线路的控制之下，将电压提升至工作电压，稳定输出。所述充电电路包括第一PMOS管Q6、第一NMOS管Q12、第一电感L1、第一二极管D3、第二二极管D4、第一电容C3、第二电容C16、第三电容C17、第一继电器J1、第一电阻R29和升压芯片FLD591本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种备用电源，其特征在于，包括充电电路、充放电电路、充放电管理电路和电池组，所述充电电路将配套外接电源变压，输入到充放电电路；所述充放电电路的一端与所述电池组连接，所述充放电电路的另一端与负载连接，所述充放电管理电路与所述充放电电路连接，控制充放电电路在充电过程中导通，在放电过程中升压稳压放电。/n

【技术特征摘要】
1.一种备用电源，其特征在于，包括充电电路、充放电电路、充放电管理电路和电池组，所述充电电路将配套外接电源变压，输入到充放电电路；所述充放电电路的一端与所述电池组连接，所述充放电电路的另一端与负载连接，所述充放电管理电路与所述充放电电路连接，控制充放电电路在充电过程中导通，在放电过程中升压稳压放电。


2.根据权利要求1所述的一种备用电源，其特征在于：所述充电电路包括第一PMOS管Q6、第一NMOS管Q12、第一电感L1、第一二极管D3、第二二极管D4、第一电容C3、第二电容C16、第三电容C17、第一继电器J1、第一电阻R29和升压芯片FLD5912，所述第一继电器J1的输入端与外接电源正极连接，所述第一继电器J1的输出端分别与第一电阻R29的两端、第一电容C3的正负极连接，所述第一PMOS管Q6的源极与电池管理模块的一端连接，并且所述第一PMOS管Q6的源极与第一电容C3的正极并联；所述第一NMOS管Q12的漏极分别与第二二极管D4的阴极、第一NMOS管Q12的漏极和第一电感L1的输入端连接；所述第一PMOS管Q6的栅极与升压芯片FLD5912的二号端口连接；所述第一电感L1的输出端与第一二极管D3的阳极连接，所述第一二极管D3的阴极分别与第二电容C16的正极、第三电容C17的正极和负载的正极连接,所述第一电容C3的负极、第二二极管D4的阳极、第一NMOS管Q12的源极、第二电容C16的负极、第三电容C17的负极并联并接地。


3.根据权利要求1所述的一种备用电源，其特征在于：所述充放电电路包括电池组接口、至少一组升压电容、第二PMOS管Q1、第三PMOS管Q2、第四PMOS管Q3、第五PMOS管Q4，所述电池组接口包括至少一组与电池组连接的电池端口，所述电池端口与电池组中的电池单体连接，所述电池端口与所述升压电容相对应；所述电池端口与所述第二PMOS管Q1的源极连接，所述电池端口还与升压电容的一端连接，所述升压电容的另一端与所述第二PMOS管Q1的源极连接，所述PMOS管Q1的漏极与所述第三PMOS管Q2的漏极连接；所述第三PMOS管Q2的源极与所述第四PMOS管Q3的漏极连接，所述第四PMOS管Q3的源极与第五PMOS管的源极连接，所述第五PMOS管的栅极和第四MOS管的栅极连接，并且与所述充放电管理电路连接，所述第五PMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭碧龙，
申请(专利权)人：深圳市伊诺乐器有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44