一种低水峰光纤的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积（ＭＣＶＤ）工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明专利技术方法所制造出的单模光纤在１３１０ｎｍ波长处的衰减系数小于０．３２０ｄＢ／ｋｍ，氢老化试验后测量１３８３ｎｍ波长处的羟基峰衰减系数小于１３１０ｎｍ波长处的衰减系数，其衰减系数小于０．３１０ｄＢ／ｋｍ。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，，尤其涉及采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺通过降低光纤预制棒中羟基含量从而制造出低水峰光纤的方法。
技术介绍
常规单模光纤(G.652A)在1360nm～1460nm波长范围内的传输损耗较高，影响了光通信系统在该工作波段的应用，其原因是羟基(OH)基团系列谐波振动吸收造成该波段内损耗增大。由于1383nm左右波长为OH主要振动吸收峰，习惯上将1383±3nm吸收峰称为水峰。ITU-T称1360nm～1460nm波段为扩展波段(即E波段)，G.652C规范要求在光纤经过光纤氢损后，其1383±3nm的最大衰减系数必须小于或等于1310nm规定的衰减系数，一般称这种光纤为“低水峰光纤”。这种低水峰光纤的技术优势在于(1)工作波长范围比常规单模光纤展宽了100nm，可复用的波长数和传输容量大大增加；(2)可以使用粗波分复用(CWDM)和较低成本的元器件，降低通信系统成本；(3)在1360-1460nm波长范围的色散只有常规单模光纤在1550nm色散值的1/2以下，这意味着在不需色散补偿情况下的传输距离可增加一倍多，这有利于降低系统费用。(4)可在不同的波段分配不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低水峰光纤的制造方法，包括步骤：将高纯氧、含氟气体，在氢氧焰的作用下与石英基管内壁发生反应，进行火焰抛光及腐蚀，降低甚至消除石英基管内壁的羟基含量并形成清洁、平滑的管内表面；将ＳｉＣｌ↓［４］、ＰＯＣｌ↓［３］、高纯氧、 氯气与氦气的混合气体按照预定比例和流量通入石英基管，在１５００至２０００摄氏度温度下发生反应，直接在石英基管内壁上沉积并玻璃化以形成低羟基含量的阻挡层；用高纯氦气对沉积管内进行吹扫，然后通入含氘气体和氦气进行氘氢置换反应，同时氘原子占据阻挡层内石英玻璃中的非桥氧悬键，减少阻挡层内羟基扩散的几率；将ＳｉＣｌ↓［４］、ＰＯＣｌ↓［３］、高纯氧、氯...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，唐仁杰，李诗愈，李进延，陆大方，成煜，李海清，
申请(专利权)人：烽火通信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]