一种基于热电堆的设备的自检系统、自检电路及自检方法技术方案

技术编号:26759843 阅读:36 留言:0更新日期:2020-12-18 22:38
本发明专利技术提供一种基于热电堆的设备的自检系统、自检电路及自检方法,自检电路包括:电源控制电路,其被配置为施加电压或者电流激励通过热电堆,并在热电堆的温度升高到预设温度时,关闭对热电堆的激励;电压测量电路,其被配置为在电源控制电路关闭对热电堆的激励时,测量热电堆的输出电压的变化曲线;信号处理电路,其被配置为基于热电堆的输出电压的变化曲线计算出热电堆的降温响应时间;基于降温响应时间判定基于热电堆的设备是否合格。与现有技术相比,本发明专利技术在自检模式时,提供电压或者电流激励通过热电堆以使其升温,并通过记录和计算出热电堆的降温的响应时间来实现自检的功能,判断芯片的状态。

【技术实现步骤摘要】
一种基于热电堆的设备的自检系统、自检电路及自检方法
本专利技术涉及MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem,微机电系统)器件领域,尤其涉及一种基于热电堆的设备的自检系统、自检电路及自检方法。
技术介绍
红外传感器生产和使用过程中,不可避免的会有不良器件产生,为了能够方便的、及时的发现问题,保证红外测试的准确性,红外传感器应该具备自我检测功能。通常的技术方案,有的需要额外设置专用于自检的发热单元来产生激励,占据了宝贵的敏感区域面积。有的则需要传感器热电堆分区加热后,相互测量输出的绝对值。上述方法能够起到一定程度的检测作用,但无法测试和分辨到诸如刻蚀是否干净,封装是否漏气,气体成分是否正确等重要的失效模式。因此,有必要提出一种新技术方案来克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种基于热电堆的设备的自检系统、自检电路及自检方法,其无需额外设置专门的发热单元,就可以实现对基于热电堆的设备的自检。根据本专利技术的第一个方面,本专利技术提供一种基于热电堆的设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于热电堆的设备的自检电路,其特征在于,其包括:/n电源控制电路,其被配置为在进入自检模式时施加电压或者电流激励通过热电堆,以使所述热电堆升温,并在所述热电堆的温度升高到预设温度时,关闭对所述热电堆的激励;/n电压测量电路,其被配置为在所述电源控制电路关闭对所述热电堆的激励时,测量所述热电堆的输出电压的变化曲线;/n信号处理电路,其被配置为基于所述热电堆的输出电压的变化曲线计算出所述热电堆的降温响应时间;其还被配置为基于所述降温响应时间判定所述基于热电堆的设备是否合格。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于热电堆的设备的自检电路,其特征在于,其包括:
电源控制电路,其被配置为在进入自检模式时施加电压或者电流激励通过热电堆,以使所述热电堆升温,并在所述热电堆的温度升高到预设温度时,关闭对所述热电堆的激励;
电压测量电路,其被配置为在所述电源控制电路关闭对所述热电堆的激励时,测量所述热电堆的输出电压的变化曲线;
信号处理电路,其被配置为基于所述热电堆的输出电压的变化曲线计算出所述热电堆的降温响应时间;其还被配置为基于所述降温响应时间判定所述基于热电堆的设备是否合格。


2.根据权利要求1所述的基于热电堆的设备的自检电路,其特征在于,
所述信号处理电路还被配置为,基于所述降温响应时间判定所述基于热电堆的设备的失效模式。


3.根据权利要求1所述的基于热电堆的设备的自检电路,其特征在于,
所述热电堆的降温响应时间为所述热电堆的时间常数τ,
所述热电堆的时间常数τ为:在所述热电堆的输出电压的变化曲线中,所述热电堆的输出电压从最大值衰减到最大值的1/e所需要的时间。


4.根据权利要求3所述的基于热电堆的设备的自检电路,其特征在于,
“所述信号处理电路被配置为基于所述热电堆的时间常数τ判定所述基于热电堆的设备是否合格”包括:
所述信号处理电路将所述热电堆的时间常数τ与参考时间常数进行对比,若在参考时间常数范围内,则判定器件合格;若不在所述参考时间常数范围内,则判定器件不合格。


5.根据权利要求4所述的基于热电堆的设备的自检电路,其特征在于,
所述信号处理电路还被配置为:在判定器件不合格后,根据所述热电堆的时间常数τ与所述参考常数的差值的大小,判定失效模式;
所述失效模式包括:刻蚀不干净、封装漏气,气体组份不正确、气压不正确、器件失去功能。


6.根据权利要求4所述的基于热电堆的设备的自检电路,其特征在于,
所述信号处理电路还被配置为:当存储器中无预存的时间常数时,所述参考时间常数为预设的时间常数;当存储器中有预存的时间常数时,所述参考时间常数为所述预存的时间常数,
所述信号处理电路还被配置为:在判定器件合格后,将所述热电堆的时间常数τ存储于所述存储器中,以作为预存的时间常数。


7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:凌方舟刘尧蒋乐跃储莉玲
申请(专利权)人:美新半导体天津有限公司
类型:发明
国别省市:天津;12

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1