一种电磁散射特性数据插值生成方法和装置制造方法及图纸

技术编号:26759785 阅读:39 留言:0更新日期:2020-12-18 22:38
本发明专利技术提供了一种电磁散射特性数据插值生成方法和装置。所述方法包括:获取目标电磁散射特性数据,并按照电磁散射数据空间描述规范对所述电磁散射特性数据进行整编;根据预设的平滑处理机制对所述电磁散射特性数据进行平滑处理;利用预设的决策树集群模型进行电磁散射数据插值生成。本发明专利技术具有高鲁棒性且可生成高置信度数据的电磁散射数据插值生成方法,以解决目标电磁散射特性数据插值生成中,插值数据置信度较低、插值方法鲁棒性弱的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁散射特性数据插值生成方法和装置
本专利技术涉及电磁散射特性数据生成
,特别是涉及一种电磁散射特性数据插值生成方法和装置。
技术介绍
电磁散射数据是研究电磁散射特性的基础,而电磁散射数据的粒度则决定了电磁散射特性研究的准确、细致程度。目前,获取电磁散射数据的方法主要有建模法和测量法。对于建模法,未知模型参数、几何参数和材料参数很难直接建模得到目标详细的电磁散射特性数据;对于测量法,由于高成本和测量条件的限制,以及目标能否配合的前提,大多数情况下可获得的电磁散射特性数据是有限且粗糙的。在电磁散射特性数据生成领域,对于目标粗糙的电磁散射特性数据一般通过平均值法以进行数据粒度细化。对于复杂的目标也会针对性地使用最小二乘法等常规数值处理方法以进行数据粒度细化。但是上述两种方法对于数据插值生成以实现数据粒度细化均有着明显的短板与制约。平均值法作为电磁散射特性数据插值的常用方法,对于平稳变化的电磁数据有着较好的插值效果,但对于目标电磁散射数据过于振荡情况则不适用。对于最小二乘法,则有特定的适用条件,不具备普适性,且生成数据的质量也难以保本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁散射特性数据插值生成方法,其特征在于,包括:/n获取目标电磁散射特性数据,并按照电磁散射数据空间描述规范对所述电磁散射特性数据进行整编;/n根据预设的平滑处理机制对所述电磁散射特性数据进行平滑处理;/n利用预设的决策树集群模型进行电磁散射数据插值生成。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁散射特性数据插值生成方法,其特征在于,包括:
获取目标电磁散射特性数据,并按照电磁散射数据空间描述规范对所述电磁散射特性数据进行整编;
根据预设的平滑处理机制对所述电磁散射特性数据进行平滑处理;
利用预设的决策树集群模型进行电磁散射数据插值生成。


2.根据权利要求1所述的电磁散射特性数据插值生成方法,其特征在于,所述预设的决策树集群模型获得方式包括:
对策树集群模型进行训练,通过训练结果进行目标函数的优化反馈及对超参数进行基于贝叶斯理论的设置,得到预设的决策树集群模型。


3.根据权利要求1所述的电磁散射特性数据插值生成方法,其特征在于,根据预设的平滑处理机制对所述电磁散射特性数据进行平滑处理包括:
根据所述电磁散射数据振荡特点,设置平滑滑窗规格、滑窗步长并按照数据赋值机制进行所述电磁散射特性数据平滑处理。


4.根据权利要求2所述的电磁散射特性数据插值生成方法,其特征在于,所述目标函数选用均方误差函数作为损失函数,L2正则化作为目标函数正则化项。


5.根据权利要求4所述的电磁散射特性数据插值生成方法,其特征在于,通过训练结果进行目标函数的优化反馈包括:
决策树目标函数Obj(θ)包括损失函数L(θ)和正则化项Ω(θ),表达式为:
Obj(θ)=L(θ)+Ω(θ)
其中,θ为模型参数,L(θ)为损失函数,Ω(θ)为正则化项;
选用L2正则化,表达式为:
Ω(fk)=λ‖fk‖2
其中,fk为第k棵树模型,λ为待调参系数,‖fk‖表示对fk求范数;
损失函数选用均方误差损失函数,表达式为:



其中,yt为第t个样本数据标签值,t为样本数,为样本数据标签值的预测值,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈峰翟佳董毅彭实谢晓丹
申请(专利权)人:北京环境特性研究所
类型:发明
国别省市:北京;11

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