一种自对准超导纳米线单光子探测器件及其封装方法技术

本发明专利技术属于光探测技术领域，涉及一种自对准超导纳米线单光子探测器件及其封装方法。所述自对准超导纳米线单光子探测器件，包括：超导纳米线单光子探测芯片；芯片固定件，所述芯片固定件中设有封装孔；其中，所述超导纳米线单光子探测芯片安装在所述封装孔中，光纤头插设于所述封装孔中，与所述超导纳米线单光子探测芯片的探测面相对，且所述光纤头的横截面形状与所述封装孔的横截面形状相同，所述光纤头出射的光子入射到所述探测面上。所述自对准超导纳米线单光子探测器件通过在芯片固定件中设置封装孔，将超导纳米线单光子探测芯片安装在封装孔中，将用于出光的光纤头插设在封装孔中，能够实现光纤头与超导纳米线单光子探测芯片的快速对准。

【技术实现步骤摘要】
一种自对准超导纳米线单光子探测器件及其封装方法
本专利技术属于光探测
，涉及一种自对准超导纳米线单光子探测器件及其封装方法。
技术介绍
超导纳米线单光子探测芯片，即SNSPD，是基于超导原理的一类单光子探测芯片，相对于传统的半导体单光子探测器(雪崩光电二极管和光电倍增管)，SNSPD的优点是响应速度快、暗计数低、时间抖动小、计数率高及响应频段宽等。这使得它在量子通信、和激光雷达等领域都有着很广泛的应用前景。超导纳米线单光子探测芯片在低温超导态下，受光子激发下产生局部失超即有阻区，在偏置电流作用下会形成一个脉冲电信号。有阻区会很快消失，脉冲信号也随即消失。通过对脉冲信号数目的检测即可检测到对应的光子数。在利用超导纳米线单光子探测芯片进行光子探测时，为提高超导纳米线单光子探测芯片的探测灵敏度，需要将超导纳米线单光子探测芯片与用于传导光的光传导件对准。现有技术中，常常采用光纤作为光传导件。采用光纤作为光传导件时，由于光纤的出光面较小，所采用的超导纳米线单光子探测芯片的探测面也通常较小，将光纤中用于出光的光纤头与超导纳米线单光子探测芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自对准超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，包括：/n超导纳米线单光子探测芯片；/n芯片固定件，所述芯片固定件中设有封装孔；/n其中，所述超导纳米线单光子探测芯片安装在所述封装孔中，光纤头插设于所述封装孔中，与所述超导纳米线单光子探测芯片的探测面相对，且所述光纤头的横截面形状与所述封装孔的横截面形状相同，所述光纤头出射的光子入射到所述探测面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种自对准超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，包括：
超导纳米线单光子探测芯片；
芯片固定件，所述芯片固定件中设有封装孔；
其中，所述超导纳米线单光子探测芯片安装在所述封装孔中，光纤头插设于所述封装孔中，与所述超导纳米线单光子探测芯片的探测面相对，且所述光纤头的横截面形状与所述封装孔的横截面形状相同，所述光纤头出射的光子入射到所述探测面上。


2.根据权利要求1所述的自对准超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，所述探测面垂直于所述封装孔的轴线，所述超导纳米线单光子探测芯片的形状与所述封装孔的横截面形状相同。


3.根据权利要求1所述的自对准超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，所述芯片固定件包括光纤套管，所述光纤套管的管孔为所述封装孔。


4.根据权利要求3所述的自对准超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，所述超导纳米线单光子探测芯片上设有凸出于所述超导纳米线单光子探测芯片的手柄，所述光纤套管的管壁上设有与所述手柄对应的开孔，其中，所述手柄穿设于所述开孔中，所述手柄的端部位于所述芯片固定件外部。


5.根据权利要求3所述的自对准超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，自对准超导纳米线单光子探测器件还包括PCB板，所述光纤套管安装在所述PCB板上。


6.根据权利要求5所述的自对准超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，所述超导纳米线单光子探测芯片的第一电极设置在所述手柄上，所述超导纳米线单光子探测芯片的第一电极与设置在所述PCB板上的第二电极连接。


7.根据权利要求1-6中任意一项所述的自...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩，耿荣鑫，尤立星，王镇，谢晓明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31