嵌有吡咯单元的硼氮掺杂多环共轭芳烃及其合成方法技术

技术编号:26751965 阅读:59 留言:0更新日期:2020-12-18 21:08
本发明专利技术目的在于,提供一种新型硼氮掺杂的多环芳烃的设计合成方法及其潜在应用,为获得更加高效的有机光电材料提供更多的方案。为了达到上述目的,本发明专利技术采用的技术方案是:由吲哚或者吡咯衍生物为原料,由氮导向生成特定位置硼氮掺杂的大共轭多环芳烃及其衍生物,该类化合物的结构式为:

【技术实现步骤摘要】
嵌有吡咯单元的硼氮掺杂多环共轭芳烃及其合成方法
本专利技术涉及硼氮掺杂大共轭多环芳烃的合成。通过市售吲哚、1-溴代萘等简单原料,经偶联反应、亲电硼化反应简单快速合成氮氢导向的硼氮掺杂大共轭多环芳烃,并测试了其对氟离子的响应。本专利技术具有反应路径较短,操作方法简单,反应条件温和等特点,该类化合物对氟离子响应灵敏且具有较高荧光量子产率,可以应用到氟离子传感器、有机光电材料领域当中。
技术介绍
硼氮掺杂芳烃中N原子上的孤对电子和B原子上空的p轨道相互作用,硼原子可以成为良好的电子受体,三价的氮原子可以成为良好的电子供体,从而形成与碳碳键等电子结构的硼氮键,由于电负性差异,硼氮键具有极性,硼氮掺杂的化合物容易形成分子内的电荷转移,并且在多环芳烃的π共轭体系中通过硼原子上的空P轨道和π*轨道之间的P-π*作用,也可以调节多环共轭芳烃的电子排布,表现出特殊的光电物理性质,这种特点使得硼氮掺杂多环芳烃及其衍生物在有机光电等领域受到广泛关注。在过去的20年间,由WillamsandKaim开创性研究的三价硼含有π共轭的材料取得了飞速地发展,(C.D.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一类由氮导向合成的特定位置硼氮掺杂的多环芳烃,其结构为:/n

【技术特征摘要】
1.一类由氮导向合成的特定位置硼氮掺杂的多环芳烃,其结构为:



其中R1是独立的,可以是烷烃,也可以是取代或非取代的芳基或者杂芳基。R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9,R10是独立的,可以是取代或者非取代芳基,杂芳基,烷烃,环烷烃,烯烃,炔烃,也可以是氢或者单个取代的卤素原子X:F、Cl、Br、I。R11,R12,R13,R14,R15是独立的,可以是取代或者非取代芳基,杂芳基,烷烃,环烷烃,烯烃,炔烃,可以是氢,烷基,醛基或者酮。Ar1,Ar4和Ar5芳基分别为苯环、噻吩环、呋喃环、吡咯、吡啶、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、苯并吡啶、萘环、蒽环、非那烯、并四苯、芘、线性或者有角度的并五苯、并六苯、茚或芴。Ar2和Ar3芳基为苯环、取代苯环。


2.根据权利要求1所述的一种硼氮掺杂多环芳烃化合物的合成方...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘旭光张艳丽
申请(专利权)人:天津理工大学
类型:发明
国别省市:天津;12

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