一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，涉及双向DC/DC控制的技术领域，包括：NLDMOS组，PLDMOS组，NMOS组，误差放大器EA，比较器COMP，反相器INV以及禁带参考源和偏置电流产生器Vbg&Ibias Generator；NLDMOS组包括第一NLDMOS M1，第二NLDMOS M5，第三NLDMOS M10；PLDMOS组包括第一PLDMOS M6，第二PLDMOS M7，第三PLDMOS M8，第四PLDMOS M9；NMOS组包括第一NMOS M0，第二NMOS M2，第三NMOS M3，第四NMOS M4，第五NMOS M11，第六NMOS M12，第七NMOS M13。通过本发明专利技术提供的电路，可以将控制端和UVLO控制端合并成一个控制端，在保证控制端的控制能力同时简化控制电路，提高控制的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路
本专利技术涉及DC/DC控制的
，尤其是涉及一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路
技术介绍
如图1所示，DC/DC转换常用到使能控制电路，当使能控制端低于一定电压时(例如0.3V)，DC/DC转换电路所有从输入到地的电流通路都需要关断，只能有器件的漏电存在。根据转换输入电压的高低和电路所用器件种类及击穿电压的大小，漏电流通常只有几个微安甚至零点几个微安。当使能控制端的电压高于一定电平VENH(例如1V)时，DC/DC转换电路的最基本电路包括用于把高输入电压转为低电压的LDO、参考电压产生器和偏置电流产生器等功能单元电路开始工作。这个VENH就是使能电压。另外，欠压锁存(UVLO)也是DC/DC转换电路需要的保护功能之一，即只有当输入电压升高到一定电压VIN_UVLO时(对于降压转换电路，这个电压通常大于要转换的输出电压)，DC/DC转换电路的主要开关控制和驱动电路等才开始工作。实现UVLO功能通常用连接到输入端到地的电阻分压网络来完成。为了用户自定义UVLO电压的方便，UVLO也可以用外部电阻来控制。由此，可以将使能控制端和UVLO控制端合并成一个控制端，在保证控制端的控制能力同时简化控制电路，提高控制的稳定性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，以将使能控制端和UVLO控制端合并成一个控制端，减少外围引脚，减少外围引脚，在保证控制端的控制能力同时简化控制电路。r>第一方面，本专利技术实施例提供了一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，其特征在于，包括：NLDMOS组，PLDMOS组，NMOS组，误差放大器EA，比较器COMP，反相器INV以及禁带参考源和偏置电流产生器Vbg&IbiasGenerator；所述NLDMOS组包括第一NLDMOSM1，第二NLDMOSM5，第三NLDMOSM10；所述PLDMOS组包括第一PLDMOSM6，第二PLDMOSM7，第三PLDMOSM8，第四PLDMOSM9；所述NMOS组包括第一NMOSM0，第二NMOSM2，第三NMOSM3，第四NMOSM4，第五NMOSM11，第六NMOSM12，第七NMOSM13。优选的，所述第一NMOSM0栅极以及所述第一NMOSM0源极分别与所述偏置电流产生器Vbg&IbiasGenerator相连，，所述第一NMOSM0源极接地，所述第一NMOSM0漏极与所述漏极与所述第一NLDMOSM1源极相连；所述第一NLDMOSM1栅极与所述比较器COMP相连，所述第一NLDMOSM1漏极通过第一电阻R1与所述第二NLDMOSM5栅极相连；所述第二NLDMOSM5栅极与所述第二NMOSM2栅极相连，所述第二NLDMOSM5源极接地，所述第二NLDMOSM5漏极通过第二电阻R2与所述第一PLDMOSM6漏极、所述第一PLDMOSM6栅极均相连；所述第一PLDMOSM6栅极与所述第二PLDMOSM7栅极相连，所述第一PLDMOSM6源极与第二PLDMOSM7源极均与外部电源输入端相连，所述第二PLDMOSM7漏极与所述误差放大器EA相连；所述第三PLDMOSM8源极以及所述第四PLDMOSM9源极均与外部电源输入端相连，所述第三PLDMOSM8栅极与所述第四PLDMOSM9栅极相连，所述第三PLDMOSM8漏极与所述第三NLDMOSM10漏极相连，所述第四PLDMOSM9漏极与所述误差放大器EA相连；所述第三NLDMOSM10栅极通过第三电阻R3与所述第二PLDMOSM7漏极相连，所述第三NLDMOSM10源极接地；所述第三NMOSM3栅极与所述第二NMOSM2源极相连，所述第三NMOSM3漏极与所述第二NMOSM2源极相连，所述第三NMOSM3源极与所述第四NMOSM4栅极、所述第四NMOSM4漏极均相连，所述第四NMOSM4源极接地；所述第五NMOSM11栅极以及所述第五NMOSM11漏极均与所述误差放大器EA相连，所述第五NMOSM11源极与所述分别与第六NMOSM12漏极、所述第六NMOSM12栅极相连，所述第六NMOSM12源极分别与所述第七NMOSM13漏极、所述第七NMOSM13栅极相连，所述第七NMOSM13源极接地。本专利技术实施例带来了以下有益效果：本专利技术实施例提供了一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，包括：NLDMOS组，PLDMOS组，NMOS组，误差放大器EA，比较器COMP，反相器INV以及禁带参考源和偏置电流产生器Vbg&IbiasGenerator；NLDMOS组包括第一NLDMOSM1，第二NLDMOSM5，第三NLDMOSM10；PLDMOS组包括第一PLDMOSM6，第二PLDMOSM7，第三PLDMOSM8，第四PLDMOSM9；NMOS组包括第一NMOSM0，第二NMOSM2，第三NMOSM3，第四NMOSM4，第五NMOSM11，第六NMOSM12，第七NMOSM13。通过本专利技术提供的电路，可以将使能控制端和UVLO控制端合并成一个控制端，在保证控制端的控制能力同时简化控制电路，提高控制的稳定性。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种DC/DC转换电路的高电压使能控制结构图；图2为本专利技术实施例提供的一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。目前DC/DC控制端具有控制端和UVLO控制端，电路复杂，基于此，本专利技术实施例提供的一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，可以将控制端和UVLO控制端合并成一个控制端，减少外围引脚，在保证控制端的控制能力同时简化控制电路。为便于对本实施例进行理解，首先对本专利技术实施例所公开的一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路进行详细介绍。实施例一：结合图1与图2，本专利技术实施例一种用于D本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，其特征在于，包括：NLDMOS组，PLDMOS组，NMOS组，误差放大器EA，比较器COMP，反相器INV以及禁带参考原和偏置电流产生器Vbg&Ibias Generator；/n所述NLDMOS组包括第一NLDMOS M1，第二NLDMOS M5，第三NLDMOS M10；/n所述PLDMOS组包括第一PLDMOS M6，第二PLDMOS M7，第三PLDMOS M8，第四PLDMOS M9；/n所述NMOS组包括第一NMOS M0，第二NMOS M2，第三NMOS M3，第四NMOS M4，第五NMOSM11，第六NMOS M12，第七NMOS M13。/n

【技术特征摘要】
20191121 CN 20191114827781.一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，其特征在于，包括：NLDMOS组，PLDMOS组，NMOS组，误差放大器EA，比较器COMP，反相器INV以及禁带参考原和偏置电流产生器Vbg&IbiasGenerator；
所述NLDMOS组包括第一NLDMOSM1，第二NLDMOSM5，第三NLDMOSM10；
所述PLDMOS组包括第一PLDMOSM6，第二PLDMOSM7，第三PLDMOSM8，第四PLDMOSM9；
所述NMOS组包括第一NMOSM0，第二NMOSM2，第三NMOSM3，第四NMOSM4，第五NMOSM11，第六NMOSM12，第七NMOSM13。


2.根据权利要求1所述的用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，其特征在于，所述第一NMOSM0栅极以及所述第一NMOSM0源极分别与所述偏置电流产生器Vbg&IbiasGenerator相连，所述第一NMOSM0源极接地，所述第一NMOSM0漏极与所述漏极与所述第一NLDMOSM1源极相连；
所述第一NLDMOSM1栅极与所述比较器COMP相连，所述第一NLDMOSM1漏极通过第一电阻R1与所述第二NLDMOSM5栅极相连；
所述第二NLDMOSM5栅极与所述第二NMOSM2栅极相连，所述第二NLDMOSM5...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄胜明，李卫东，郭天，
申请(专利权)人：苏州瑞铬优电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32