阳极结构及其制备方法技术

一种阳极结构及其制备方法，其中，所述阳极结构应用于顶发射OLED微显示器件，于Si衬底上，自下而上依次包括：第一层反射提高层，用于提高所述阳极结构的反射率；第二层扩散阻挡层，用于阻挡所述第一层反射提高层的扩散；以及，第三层匹配层，用于匹配空穴注入层的最高被占据分子轨道。通过所述阳极结构及其制备方法，可以使顶发射OLED微显示器件的阳极结构具有高反射率、高功函数以及低电阻的优点。

【技术实现步骤摘要】
阳极结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体技术，特别是涉及一种阳极结构及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDevices，OLED)是继平板显示(Flatpaneldisplays)和固体照明(Solid-statelighting)技术发展以来研究非常广泛的光电产品。与传统的底发射器件相比，顶发射器件可以在Si基或带有复杂电路系统的有源驱动TFT基板上实现高质量显示，迎合了当前高分辨率、大尺寸和全彩显示的需求，是目前OLED研究的重点。由于硅基芯片衬底是不透光的，因此OLED微显示器的发光单元必须设计成顶发射的结构，这使得顶发射OLED(TEOLED)成为OLED微显示器设计的重要课题。出于要考虑与硅基电路的集成需要，又要考虑顶发射结构中的强微腔效应对光射出的选择性，以及透明顶电极的制备和器件封装等技术难题，使得低驱动电压、高亮度顶发射OLED的设计和制造具有很大挑战，这也导致了OLED微显示器的技术难度。结合硅基电路的集成要求，要制作一个高效的硅基OLED微显示顶发射器件，并实现商品本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阳极结构，应用于顶发射OLED微显示器件，其特征在于，于Si衬底上，自下而上依次包括：/n第一层反射提高层，用于提高所述阳极结构的反射率；/n第二层扩散阻挡层，用于阻挡所述第一层反射提高层的扩散；以及，/n第三层匹配层，用于匹配空穴注入层的最高被占据分子轨道。/n

【技术特征摘要】
1.一种阳极结构，应用于顶发射OLED微显示器件，其特征在于，于Si衬底上，自下而上依次包括：
第一层反射提高层，用于提高所述阳极结构的反射率；
第二层扩散阻挡层，用于阻挡所述第一层反射提高层的扩散；以及，
第三层匹配层，用于匹配空穴注入层的最高被占据分子轨道。


2.如权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，
所述第一层反射提高层为Al层；
所述第二层扩散阻挡层为Cu层；
所述第三层匹配层为过渡金属氮化物层。


3.如权利要求2所述的阳极结构，其特征在于，
所述Al层的厚度在100～120nm之间；
所述Cu层的厚度在5～10nm之间；
所述过渡金属氮化物层的厚度在3～8nm之间。


4.如权利要求2所述的阳极结构，其特征在于，
所述过渡金属氮化物包括：二元化合物ZrN和HfN，三元化合物ZrxHf1-xN、TixZr1-xN、HfxZr1-xN以及TixHf1-xN；
其中0<x<0.15。


5.一种阳极结构的制备方法，其特征在于，用于对权利要求1至4任一项所述的阳极结构的制备，包括：
通过磁控溅射沉积制备所述第一层反射提高层；以及，
通过脉冲激光沉积制备所述第二层扩散阻挡层以及所述第三层匹配层。


6.如权利要求5所述的阳极结构的制备方法，其特征在于，当所述第一层反射提高层为Al层时，所述通过磁控溅射沉积制备所述第一层反射提高层包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋春萍，李玉雄，刘峰峰，林雨，隋展鹏，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32