一种SiC三维PIN结构辐射伏特式制造技术

本发明专利技术提供了一种SiC三维PIN结构辐射伏特式

【技术实现步骤摘要】
一种SiC三维PIN结构辐射伏特式3H源同位素电池
本专利技术属于同位素电池领域，涉及一种辐射伏特式同位素电池，尤其涉及一种SiC三维PIN结构辐射伏特式3H源同位素电池。
技术介绍
同位素电池的研究在20世纪50年代取得了突破性进展，广泛应用于航天、军事、心脏起搏器等领域。自1913年英国物理学家Moseley制作成功第一款同位素电池至今，已发展出多种不同类型的同位素电池。辐射伏特式是最常见的同位素电池类型之一。辐射伏特式同位素电池的基本原理与太阳能电池近似，主要区别在于后者的能量来源是太阳光，而前者的能量来源是放射性同位素源衰变放射出的α或β射线。辐射伏特式同位素电池因其结构简单、易微型化、成本低、输出功率稳定等优良性能引起了国内外关注，可广泛用作电子信息安全系统、微器械系统、医疗植入设备等领域的长效电源。在已公开的辐射伏特式同位素电池专利中，大部分涉及的均为传统的平面结构设计，而且换能元件材料通常是常见的硅半导体材料。这类辐射伏特式同位素电池的输出电压一般不大于1V，且能量转换效率偏低，实验测试值一般小于1％，功率密度偏低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC三维PIN结构辐射伏特式

【技术特征摘要】
1.一种SiC三维PIN结构辐射伏特式3H源同位素电池，其特征在于：包括呈三维结构的SiC换能元件(1)、电极单元(2)和至少一个3H同位素源(3)，所述SiC换能元件(1)采用PIN型结构，所述3H同位素源(3)设置在所述SiC换能元件(1)内，所述电极单元(2)与所述SiC换能元件(1)连接。


2.根据权利要求1所述的SiC三维PIN结构辐射伏特式3H源同位素电池，其特征在于：所述SiC换能元件(1)包括相互叠加在一起的第一层(11)和第二层(12)以及包裹在所述3H同位素源(3)外的包覆层(13)，所述包覆层(13)伸入所述第二层(12)内，其中，所述第一层(11)采用N型SiC材料，所述第二层(12)采用I型SiC材料，所述包覆层(13)采用P型SiC材料，或者，所述第一层(11)采用P型SiC材料，所述第二层(12)采用I型SiC材料，所述包覆层(13)采用N型SiC材料。


3.根据权利要求2所述的SiC三维PIN结构辐射伏特式3H源同位素电池，其特征在于：所述电极单元(2)包括收集极(22)和发射极(21)，所述收集极(22)和所述发射极(21)分别与所述第一层(11)和所述包覆层(13)连接。


4.根据权利要求2或3所述的SiC三维PIN结构辐射伏特式3H源同位素电池，其特征在于：所述包覆层(13)在所述第二层(12)内形成一个以上的盲孔(4)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩运成，张佳辰，柳伟平，王晓彧，李桃生，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34