一种可回收的同步整流吸收电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可回收的同步整流吸收电路，包括变压器漏感LS，电感L2，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET，3个电容，4个二极管，2个电阻和1个三极管；2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个漏极(D极)分别与变压器漏感LS的两端连接，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个源极(S极)接地；变压器漏感LS的中间端通过电感L2和输出电容C0接地，电压V+连接在电感L2和输出电容C0之间；本实用新型专利技术尖峰能量回收，提高效率，降低尖峰电压，提升金属氧化物半导体场效应管MOSFET的可靠性，降低EMI干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种可回收的同步整流吸收电路
本技术涉及LED驱动电源
，具体为一种可回收的同步整流吸收电路。
技术介绍
低压大电流场合，随着金属氧化物半导体场效应管MOSFET技术的不断进步，低导通电阻的高频金属氧化物半导体场效应管MOSFET不断成熟，用金属氧化物半导体场效应管MOSFET代替肖特基作为整流管已经成为必然的趋势；同步整流技术应运而生，同步整流的金属氧化物半导体场效应管MOSFET通常由专门的芯片驱动，芯片通过采取金属氧化物半导体场效应管MOSFET上的电流来决定金属氧化物半导体场效应管MOSFET的开通和关断，另外一种做法用自激的方法驱动，这种电路设计简单，但是由于电路的寄生参数，如果设计不好，稳定性会降低。特别是主控变压器上的漏感，会另同步整流管关断时的尖峰变大，此时用简单的RC电路很难吸收，且RC线路吸收是把尖峰能量损耗，造成效率下降，同时电源的温度也会相应增加。为此，我们提出一种可回收的同步整流吸收电路。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可回收的同步整流吸收电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种可回收的同步整流吸收电路，包括变压器漏感LS，电感L2，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET，3个电容，4个二极管，2个电阻和1个三极管；2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个漏极(D极)分别与变压器漏感LS的两端连接，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个源极(S极)接地；变压器漏感LS的中间端通过电感L2和输出电容C0接地，电压V+连接在电感L2和输出电容C0之间；三极管Q1的基极通过电阻R1连接到变压器漏感LS的一端，靠近该变压器漏感LS一端的金属氧化物半导体场效应管MOSFET的漏极(D极)与二极管D1的正极连接，该二极管D1的负极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R2与电压V+连接；电容C1一端与二极管D3的负极连接，电容C1另一端与二极管D1的负极连接，该二极管D3的正极接地；电容C2一端与二极管D4的正极连接，二极管D4的负极与三极管Q1的发射极连接，电容C2另一端接地；二极管D2的正极与二极管D3的负极连接，二极管D2的负极与二极管D4的正极连接。优选的，当电容C1、电容C2上的能量释放电压V_C1、V_C2与输出电压V+相等时，电流不在流通。优选的，金属氧化物半导体场效应管MOSFET关断，D极、S极电压上升，当电压大于电容C1与电容C2端电压之和后，变压器漏感LS上电流将从二极管D1流进C1,经二极管D2流到电容C2。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术尖峰能量回收，提高效率，降低尖峰电压，提升金属氧化物半导体场效应管MOSFET的可靠性，降低EMI干扰。附图说明图1为本技术同步整流吸收电路示意图；图2为本技术现有技术同步整流电路示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种可回收的同步整流吸收电路，包括变压器漏感LS，电感L2，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET，3个电容，4个二极管，2个电阻和1个三极管；2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个漏极(D极)分别与变压器漏感LS的两端连接，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个源极(S极)接地；变压器漏感LS的中间端通过电感L2和输出电容C0接地，电压V+连接在电感L2和输出电容C0之间；三极管Q1的基极通过电阻R1连接到变压器漏感LS的一端，靠近该变压器漏感LS一端的金属氧化物半导体场效应管MOSFET的漏极(D极)与二极管D1的正极连接，该二极管D1的负极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R2与电压V+连接；电容C1一端与二极管D3的负极连接，电容C1另一端与二极管D1的负极连接，该二极管D3的正极接地；电容C2一端与二极管D4的正极连接，二极管D4的负极与三极管Q1的发射极连接，电容C2另一端接地；二极管D2的正极与二极管D3的负极连接，二极管D2的负极与二极管D4的正极连接。如图2，低压大电流场合，由于变压器漏感的存在，在金属氧化物半导体场效应管MOSFET关断时，漏感能量会使金属氧化物半导体场效应管MOSFET的D极和S极产生很大的尖峰，此尖峰太高将导致金属氧化物半导体场效应管MOSFET电压击穿损坏，且传导辐射也会造成影响。如图1所示，金属氧化物半导体场效应管MOSFET关断，D极和S极电压上升，当电压大于电容C1与电容C2端电压之和后，变压器漏感LS上电流将从二极管D1流进电容C1,经二极管D2流到电容C2,电容C1、电容C2可去几百nF，足够存储尖峰能量，而不是电容C1、电容C2上的电压太高，因此金属氧化物半导体场效应管MOSFET的D极上的尖峰电压也被限制住。金属氧化物半导体场效应管MOSFET开通后，D极为低电平，三极管Q1的E极为高电平，此时三极管Q1开通，电容C1、二极管D3和三极管Q1构成放电回路，二极管D4、电容C2和三极管Q1构成放电回路，电容C1、电容C2上的能量流至输出电容C0上。电容C1、电容C2上的能量释放电压V_C1、V_C2与输出电压V+相等时，电流不在流通，因此电容C1、电容C2上的电压维持在与输出电容C0相等，而在吸收尖峰后，电容C1、电容C2上的电压稍高与输出电容C0的电压，在MOSFET开通的时候将高出的能量放至输出电容C0。因此本实验新型吸收电路可将尖峰能量回收至输出电容，提高效率，降低金属氧化物半导体场效应管MOSFET尖峰，提高金属氧化物半导体场效应管MOSFET的可靠性，降低EMI干扰。变压器漏感为Ls，金属氧化物半导体场效应管MOSFET的输出电容为C0,假设漏感Ls上的能量为Ls*Is*Is/2，则漏感Ls能量一部分充到输出等效电容C0，一部分充到吸收电路的电容C1和电容C2,Ls*Ls*Is/2-C0*Vo*Vo/2＝(V_jf*V_jf-Vo*Vo)*C1/4，金属氧化物半导体场效应管MOSFET的切换频率为Fs，占空比为D，开通时间为D/Fs，电容C1、电容C2给输出电容C0放电的电流I1＝(V_jf-Vo)*C1/2/(D/Fs)，电阻R1的取值，(Vo/R1)*β＝I1,R1＝Vo*β/I1,电阻R1阻值需小于上式值才能满足每周期能量都释放到输出电容C0上。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可回收的同步整流吸收电路，其特征在于：包括变压器漏感L1，电感L2，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET，3个电容，4个二极管，2个电阻和1个三极管；2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个漏极分别与变压器漏感L1的两端连接，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个源极(S极)接地；变压器漏感L1的中间端通过电感L2和电容C3接地，电压V+连接在电感L2和电容C3之间；三极管Q1的基极通过电阻R1连接到变压器漏感L1的一端，靠近该变压器漏感L1一端的金属氧化物半导体场效应管MOSFET的漏极与二极管D1的正极连接，该二极管D1的负极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R2与电压V+连接；电容C1一端与二极管D3的负极连接，电容C1另一端与二极管D1的负极连接，该二极管D3的正极接地；电容C2一端与二极管D4的正极连接，二极管D4的负极与三极管Q1的发射极连接，电容C2另一端接地；二极管D2的正极与二极管D3的负极连接，二极管D2的负极与二极管D4的正极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种可回收的同步整流吸收电路，其特征在于：包括变压器漏感L1，电感L2，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET，3个电容，4个二极管，2个电阻和1个三极管；2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个漏极分别与变压器漏感L1的两端连接，2个金属氧化物半导体场效应管MOSFET的2个源极(S极)接地；变压器漏感L1的中间端通过电感L2和电容C3接地，电压V+连接在电感L2和电容C3之间；三极管Q1的基极通过电阻R1连接到变压器漏感L1的一端，靠近该变压器漏感L1一端的金属氧化物半导体场效应管MOSFET的漏极与二极管D1的正极连接，该二极管D1的负极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R2与电压V+连接；电容C1一端与二极管D3的负极连接，电容C1另一端与二极管D1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱兴成，廖光裕，
申请(专利权)人：杭州重芯力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33