【技术实现步骤摘要】
用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法
本专利技术属于高电压试验
,特别是一种用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法。
技术介绍
气体绝缘封闭组合电器(GIS)或气体绝缘输电线路(GIL)常采用环氧树脂制成的盆式绝缘子或三支柱绝缘子作为绝缘与机械支撑部件。为了改善绝缘子沿面电场分布,常在绝缘子内部与环氧树脂接触的位置设置内嵌件。设备运行中,绝缘子在电磁场、温度场、结构场的多场载荷联合作用下,由于热膨胀失配或异常受力,在环氧树脂-嵌件界面位置有可能出现分层缺陷。由于分层缺陷内部电场较高,引发局部放电后,绝缘材料逐渐劣化,最终导致绝缘子击穿,影响设备安全稳定运行。因此,在确定绝缘子的许用场强或评估绝缘材料的寿命时,需要制备绝缘子嵌件分层缺陷试样,并考虑其体绝缘特性。缺陷试验的一致性直接影响绝缘材料许用场强或寿命评价。2013年,日本学者S.Okabe团队使用金属模板预制含有缺陷的环氧树脂块,而后将该环氧树脂块设置于嵌件表面,再进行二次浇注。但使用该方法制备的缺陷试样与真实的分层缺陷仍然具有较大差距;另外,缺 ...
【技术保护点】
1.一种基于用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法,所述方法包括以下步骤:/n第一步骤中,机械加工用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的内嵌件,内嵌件与环氧树脂接触的接触面的表面粗糙度小于Ra1.6;/n第二步骤中,内嵌件的表面均匀涂抹脱模剂;/n第三步骤中,将所述内嵌件与模具组装,按照真空脱泡浇注工艺分别进行真空浇注环氧树脂、一次固化、脱模和二次固化形成试样;/n第四步骤中,机械加工所述试样以去除浇注口及表面缺陷;/n第五步骤中:所述试样进行X射线探伤以检测绝缘子嵌件分层缺陷。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法,所述方法包括以下步骤:
第一步骤中,机械加工用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的内嵌件,内嵌件与环氧树脂接触的接触面的表面粗糙度小于Ra1.6;
第二步骤中,内嵌件的表面均匀涂抹脱模剂;
第三步骤中,将所述内嵌件与模具组装,按照真空脱泡浇注工艺分别进行真空浇注环氧树脂、一次固化、脱模和二次固化形成试样;
第四步骤中,机械加工所述试样以去除浇注口及表面缺陷;
第五步骤中:所述试样进行X射线探伤以检测绝缘子嵌件分层缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,优选的,第一步骤中,所述内嵌件...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴治诚,张乔根,卜钦浩,高超,周福生,杨芸,黄若栋,王增彬,姚聪伟,
申请(专利权)人:西安交通大学,南方电网科学研究院有限责任公司,广东电网有限责任公司电力科学研究院,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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