一种宽量程γ剂量率监测仪制造技术

本实用新型专利技术属于辐射监测技术领域，具体涉及一种宽量程γ剂量率监测仪。本实用新型专利技术技术方案提供了一种半导体探测器测量γ射线的方案，为解决γ辐射的宽量程探测器，该方案采用高灵敏度和低灵敏度两种硅半导体探测器灵敏度组合的方式实现测量量程的扩展和衔接。为解决探测准确度的问题，该方案采用脉冲与电流结合测量的方式，并采用温度校正。为解决设备在线检查，在探测器内部，布置发光二极管，用于检验设备的工作状况。

【技术实现步骤摘要】
一种宽量程γ剂量率监测仪
本技术属于辐射监测
，具体涉及一种宽量程γ剂量率监测仪。
技术介绍
随着能源需求的增加以及宜人环保要求，核电站的建设加速，乏燃料处理也迫在眉睫，导致用于核燃料生产、加工、运输以及乏燃料处理场所的宽量程γ剂量率仪被广泛应用。宽量程γ剂量率监测仪所使用的探测器多为盖格-米勒计数管、闪烁体探测器、电离室探测器等。半导体探测器功耗低、体积小、灵敏度高、无需高压、但应用于宽量程γ剂量率监测仪的很少，因此亟需研制一种宽量程γ剂量率监测仪，从而解决上述问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种宽量程γ剂量率监测仪，从而促进宽量程γ剂量率监测相关工作。为了实现这一目的，本技术采取的技术方案是：一种宽量程γ剂量率监测仪，包括就地处理显示机箱和智能探测器；包括智能探测器100，就地处理显示机箱200；一、就地处理显示机箱200就地处理显示机箱200采用模块化设计，包括输入模块201、处理模块202、输出模块203、电源模块204、控制显示模块205；...

【技术保护点】
1.一种宽量程γ剂量率监测仪，其特征在于：包括就地处理显示机箱和智能探测器；/n包括智能探测器(100)，就地处理显示机箱(200)；/n一、就地处理显示机箱(200)/n就地处理显示机箱(200)采用模块化设计，包括输入模块(201)、处理模块(202)、输出模块(203)、电源模块(204)、控制显示模块(205)；/n外部(300)提供220VAC供电到电源模块(204)，电源模块(204)提供电源抗干扰和滤波处理后，输出24VDC，为各模块以及智能探测器供电；/n输入模块(201)为智能探测器(100)提供直流隔离电源，并提供通讯隔离与保护，数通讯接至处理模块(202)；/n输出模块(...

【技术特征摘要】
1.一种宽量程γ剂量率监测仪，其特征在于：包括就地处理显示机箱和智能探测器；
包括智能探测器(100)，就地处理显示机箱(200)；
一、就地处理显示机箱(200)
就地处理显示机箱(200)采用模块化设计，包括输入模块(201)、处理模块(202)、输出模块(203)、电源模块(204)、控制显示模块(205)；
外部(300)提供220VAC供电到电源模块(204)，电源模块(204)提供电源抗干扰和滤波处理后，输出24VDC，为各模块以及智能探测器供电；
输入模块(201)为智能探测器(100)提供直流隔离电源，并提供通讯隔离与保护，数通讯接至处理模块(202)；
输出模块(203)将处理模块(202)处理后的测量数据隔离后输出至外部的信息管理和报警模块400；
控制显示模块(205)，该模块通过RS232通讯方式与处理模块(202)连接，控制显示模块(205)提供监测数据以及参数的实时显示和查询，并能设置相应参数；
二、智能探测器(100)
智能探测器(100)采用模块化设计，包括电源管理电路(126)、高灵敏度硅半导体探测器一(101)、高灵敏度硅半导体探测器二(102)、高灵敏度硅半导体探测器三(103)、高灵敏度硅半导体探测器四(104)、高灵敏度硅半导体探测器五(105)、高灵敏度硅半导体探测器六(106)、低灵敏度硅半导体探测器(107)、电源管理电路(126)、脉冲计数整形电路一(109)、脉冲计数整形电路二(111)、脉冲计数整形电路三(113)、脉冲计数整形电路四(115)、脉冲计数整形电路五(117)、脉冲计数整形电路六(119)、脉冲计数整形电路七(121)、脉冲幅度转换电路一(108)、脉冲幅度转换电路二(110)、脉冲幅度转换电路三(112)、脉冲幅度转换电路四(114)、脉冲幅度转换电路五(116)、脉冲幅度转换电路六(118)、脉冲幅度转换电路七(120)、脉冲计数隔离(125)、多通道模数转换电路(124)、处理器电路(127)、温度采集电路(123)、发光二极管(122)、存储电路(129)、通讯电路(128)；
智能探测器(100)由就地处理显示机箱(200)中的输入模块(201)提供24V直流电源，通过内部电源管理电路(126)为智能探测器内部各模块提供电源；
高灵敏度硅半导体探测器一(101)、高灵敏度硅半导体探测器二(102)、高灵敏度硅半导体探测器三(103)、高灵敏度硅半导体探测器四(104)、高灵敏度硅半导体探测器五(105)、高灵敏度硅半导体探测器六(106)、低灵敏度硅半导体探测器(107)接受电源管理电路(126)提供的偏压；
高灵敏度硅半导体探测器一(101)由脉冲幅度转换电路一(108)、脉冲计数整形电路一(109)进行整形处理；
高灵敏度硅半导体探测器二(102)由脉冲幅度转换电路二(110)、脉冲计数整形电路二(111)进行整形处理；
高灵敏度硅半导体探测器三(103)由脉冲幅度转换电路三(112)、脉冲计数整形电路三(113)进行整形处理；
高灵敏度硅半导体探测器四(104)由脉冲幅度转换电路四(114)、脉冲计数整形电路四(115)进行整形处理；
高灵敏度硅半导体探测器五(105)由脉冲幅度转换电路五(116)、脉冲计数整形电路五(117)进行整形处理；
高灵敏度硅半导体探测器六(106)由脉冲幅度转换电路六(118)、脉冲计数整形电路六(119)进行整形处理；
低灵敏度硅半导体探测器(107)由脉冲幅度转换电路七(120)、脉冲计数整形电路七(121)进行整形处理；
高灵敏度硅半导体探测器一(101)、高灵敏度硅半导体探测器二(102)、高灵敏度硅半导体探测器三(103)、高灵敏度硅半导体探测器四(104)、高灵敏度硅半导体探测器五(105)、高灵敏度硅半导体探测器六(106)、低灵敏度硅半导体探测器(107)中的信号经过整形处理后，通过脉冲计数隔离(125)，由处理器电路(127)读取脉冲数；
高灵敏度硅半导体探测器一(101)、高灵敏度硅半导体探测器二(102)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：何大志，谢学涛，吴垠鹏，刘福至，张楼成，黄强，
申请(专利权)人：中核控制系统工程有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11