一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法技术

本发明专利技术涉及一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法，包括：步骤1、在恒定电流条件下，在包含HF和甲醇的电解质混合物中对硅晶片进行电化学蚀刻，硅晶片可以重复使用，直到被电化学蚀刻穿透为止；步骤2、电化学蚀刻结束后，立即将硅晶片浸入脱氧纯净1‑辛烯中，在白光下进行白光诱导的氢化硅烷化反应。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术的合成方法能在较低成本的条件下大量制造辛烯钝化的硅量子点纳米粒子，同时该辛烯钝化的硅量子点纳米粒子具有较高的荧光量子效率，较高的稳定性，并能在多种有机溶剂中形成透明的悬浮液(如己烷，甲苯，三氯甲烷，乙酸乙酯等)；本发明专利技术使用6英寸硅晶片每批次可以生产约20mg的硅量子点纳米颗粒(SiQDNPs)固体粉末。

【技术实现步骤摘要】
一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法
本专利技术涉及硅量子点纳米颗粒合成
，尤其涉及一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法。
技术介绍
硅量子点由于具有独特的光学性能,与微电子工艺兼容,生物相容性好以及表面活性高,在生物成像,光电器件,纳米催化等很多领域有着巨大的应用潜力,是目前国际硅材料研究的前沿领域。但现有的硅量子点合成方法存在合成成本高，合成规模小，合成的硅量子点纳米粒子荧光量子效率较低，稳定性差等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的不足，提供一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法。这种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法，包括以下步骤：步骤1、在恒定电流条件下，在包含HF和甲醇的电解质混合物中对硅晶片进行电化学蚀刻，硅晶片可以重复使用，直到被电化学蚀刻穿透为止；步骤2、电化学蚀刻结束后，立即将硅晶片浸入脱氧纯净1-辛烯中，在白光下进行白光诱导的氢化硅烷化反应；所述脱氧纯净1-辛烯处于充满氮气的室内；步骤3、收集硅晶片表面的光致发光多孔硅层和1-辛烯，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、在恒定电流条件下，在包含HF和甲醇的电解质混合物中对硅晶片进行电化学蚀刻；/n步骤2、电化学蚀刻结束后，将硅晶片浸入脱氧纯净1-辛烯中，在白光下进行白光诱导的氢化硅烷化反应；所述脱氧纯净1-辛烯处于充满氮气的室内；/n步骤3、收集硅晶片表面的光致发光多孔硅层和1-辛烯，并将其转移到研磨罐中进行高能球磨，得到混浊悬浮液；/n步骤4、将步骤3得到的混浊悬浮液离心，收集其中黄色半透明的上清液，通过旋转蒸发器将1-辛烯完全蒸发，得到1-辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒固体粉末。/n

【技术特征摘要】
1.一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在恒定电流条件下，在包含HF和甲醇的电解质混合物中对硅晶片进行电化学蚀刻；
步骤2、电化学蚀刻结束后，将硅晶片浸入脱氧纯净1-辛烯中，在白光下进行白光诱导的氢化硅烷化反应；所述脱氧纯净1-辛烯处于充满氮气的室内；
步骤3、收集硅晶片表面的光致发光多孔硅层和1-辛烯，并将其转移到研磨罐中进行高能球磨，得到混浊悬浮液；
步骤4、将步骤3得到的混浊悬浮液离心，收集其中黄色半透明的上清液，通过旋转蒸发器将1-辛烯完全蒸发，得到1-辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒固体粉末。


2.根据权利要求1所述辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法，其特征在于：所述步骤1中硅晶片为p型晶体硅片。


3.根据权利要求1所述辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法，其特征在于：所述步骤3中研磨罐为氧化锆研磨罐。


4.根据权利要求1所述辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：寿春晖，杜长庆，彭浩，金胜利，陈果，黄绵吉，贺海晏，沈曲，洪凌，李晓洁，
申请(专利权)人：浙江浙能技术研究院有限公司，上海交通大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33