图像复原及光瞳滤波式横向超分辨共焦显微成像方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显微成像及微观精密测量技术领域，涉及一种图像复原及光瞳滤波式横向超分辨共焦显微成像方法与装置，包括光源（１），依次放在光源发射端的准直扩束器（２）、光瞳滤波器（３），偏振分光镜（４），放置在偏振分光镜（４）反射光路上的１／４波片（５）、显微物镜（６），以及在偏振分光镜（４）透射光路上的聚光透镜（７）和位于聚光透镜（７）焦点位置的针孔（８），贴近针孔后面的ＣＣＤ探测器（９）。本发明专利技术融合了光瞳滤波超分辨技术以及图像超分辨复原技术，可显著改善共焦显微系统的横向分辨力。本发明专利技术可广泛用于对微电子、材料、工业精密检测、生物医学等领域中进行高分辨力显微成像检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显微成像及微观精密测量
，特别是一种实现超分辨成像检测的方法与装置。
技术介绍
随着世界信息产业的高速发展，微电子制造技术不断出现突破性进展，加工精度、超大规模集成芯片的集成度和可靠性不断提高。集成电路线宽在经历了0.25μm、0.18μm、0.13μm标志尺寸后，现已达到90nm，并开始朝着45nm和22nm线宽的加工工艺迈进。集成电路中线宽、线间距、台阶高度、膜厚等各项几何参数指标已成为影响器件质量和成品率的重要参数。当集成电路线宽达到0.1μm以下，标志着半导体制造技术进入纳米领域，这就向超精密三维测量技术提出严峻挑战，迫切需要研究适应其发展需求的大范围、高空间(即轴向和横向)分辨能力的成像和监测技术，即不仅要求传感器具有很高的轴向分辨能力，而且还要求传感器具有很高的横向分辨能力。尽管共焦显微系统点照射和点探测的特殊光路布置，使其横向分辨力比普通光学显微系统的横向分辨力改善1.4倍，但与其轴向分辨力相比，横向分辨力仍低2个数量级，仅达0.4μm左右，这很难满足目前日益精细的三维微细结构，如微台阶、微沟槽、集成电路线宽等测量时，对高横向分辨力传感器的要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像复原及光瞳滤波式横向超分辨共焦显微成像装置，包括光源（１），依次放在光源发射端的准直扩束器（２）、偏振分光镜（４），放置在偏振分光镜（４）反射光路上的１／４波片（５）、显微物镜（６），以及偏振分光镜（４）透射光路上的聚光透镜（７）和位于聚光透镜（７）焦点位置的针孔（８），其特征在于还包括放置在准直扩束器（２）和偏振分光镜（４）间的光瞳滤波器（３），以及贴近针孔（８）后的ＣＣＤ探测器（９），用于探测超分辨复原处理所需的初始图像。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵维谦，邱丽荣，冯政德，陈珊珊，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]