【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于流动分配调谐的通用可调式阻隔板背景
本公开的实施例大体关于用于在处理腔室中分配气体的方法及装置。
技术介绍
在集成电路的制造中,诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其他操作中,诸如蚀刻之类的层改变工艺用于暴露层的部分,以供进一步处理。常常,这些工艺以重复的方式使用,以制造诸如半导体器件之类的电子器件的各种层。传统处理腔室利用诸部件的多种设计来改变至基板的气体流动,以便达成在其上的所希望的层几何结构。然而,具有诸部件的多种设计往往导致停机,来以不同设计的另一部件替换一个部件以进行新的工艺操作。或者,利用多个腔室,其中在各个分别的腔室中具有不同的部件设计。这些设计增加设备制造的成本,且降低处理系统的产量。因此,需要用于处理基板的改良的部件。
技术实现思路
本公开大体关于用于在处理腔室中分配气体的方法及装置。在一个方面中,公开一种气体分配组件。气体分配组件包括面板及阻隔板。调节机构耦合至阻隔板。调节机构可操作以设 ...
【技术保护点】
1.一种气体分配组件,包括:/n面板;/n阻隔板;及/n调节机构,所述调节机构耦合至所述阻隔板,且可操作以设定所述面板与所述阻隔板之间的距离。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180503 IN 2018410167601.一种气体分配组件,包括:
面板;
阻隔板;及
调节机构,所述调节机构耦合至所述阻隔板,且可操作以设定所述面板与所述阻隔板之间的距离。
2.如权利要求1所述的气体分配组件,其中所述阻隔板包括多个构件。
3.如权利要求2所述的气体分配组件,其中所述多个构件包括绕所述阻隔板的中心轴同心布置的主体。
4.如权利要求2所述的气体分配组件,其中介于所述多个构件的各个构件之间的距离相对于其他构件是可个别调节的。
5.如权利要求1所述的气体分配组件,其中所述调节机构包括致动器。
6.如权利要求1所述的气体分配组件,其中所述调节机构包括间隔器。
7.如权利要求1所述的气体分配组件,进一步包括传感器,所述传感器邻接于所述阻隔板而设置。
8.如权利要求1所述的气体分配组件,进一步包括延伸件,所述延伸件耦合至所述阻隔板及所述调节机构,其中气体流动路径限定于所述延伸件之中。
9.一种处理腔室,包括:
腔室主体;
盖,所述盖耦合至所述腔室主体,其中在所述腔室主体和所述盖内限定处理容积;
基板支撑件,所述基板支撑...
【专利技术属性】
技术研发人员:张宇星,S·巴录佳,A·K·班塞尔,T·A·恩古耶,T·乌拉维,G·克里希纳,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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