半导体晶片上的重复缺陷的捕捉制造技术

第一阈值处的重复缺陷分析识别重复缺陷。所述重复缺陷定位于每一光罩上的相同坐标处。接收所述坐标处的半导体晶片的每一光罩上的图像，且获得多个带正负号差值图像。计算带正负号差值图像的重复缺陷阈值，还计算极性的一致性。将所述阈值应用于所述图像且确定每个重复缺陷保留的缺陷数目。可将辅助重复缺陷阈值应用于干扰过滤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片上的重复缺陷的捕捉相关申请案的交叉参考本申请案主张2018年5月9日申请且转让的第62/669,361号的美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的揭示内容特此以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及缺陷检测。
技术介绍
半导体制造业的发展对良率管理且尤其对度量及检验系统提出越来越高要求。关键尺寸不断缩小，但行业需要减少实现高良率、高价值生产的时间。最少化从检测良率问题到将其修复的总时间决定了半导体制造商的投资回报率。制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量制造工艺来处理半导体晶片以形成各种特征及半导体装置的多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。可在单个半导体晶片上以某一布置制造多个半导体装置且接着将其分离成个别半导体装置。高级设计规则的缺陷重检可搜索相当小的对象(例如，用于检测10nm范围内的缺陷)，因此可运行热扫描以捕获此类缺陷。“热扫描”大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n在第一阈值处使用处理器来对半导体晶片执行重复缺陷分析以移除非重复缺陷且识别重复缺陷，其中所述重复缺陷定位于每一光罩上的相同坐标处；/n在所述处理器处接收所述坐标处的所述半导体晶片的每一光罩上的图像；/n使用所述处理器来获得多个带正负号差值图像，其中所述带正负号差值图像中的每一者用于所述坐标处的所述图像中的一者；/n使用所述处理器来计算所述带正负号差值图像的平均归一化值；/n使用所述处理器来评估所述带正负号差值图像的极性的一致性；/n使用所述处理器来将重复缺陷阈值应用于所述图像；/n使用所述处理器来确定在应用所述重复缺陷阈值之后保留于所述坐标处的缺陷数目；及/n使用所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180509 US 62/669,361;20180813 US 16/101,5531.一种方法，其包括：
在第一阈值处使用处理器来对半导体晶片执行重复缺陷分析以移除非重复缺陷且识别重复缺陷，其中所述重复缺陷定位于每一光罩上的相同坐标处；
在所述处理器处接收所述坐标处的所述半导体晶片的每一光罩上的图像；
使用所述处理器来获得多个带正负号差值图像，其中所述带正负号差值图像中的每一者用于所述坐标处的所述图像中的一者；
使用所述处理器来计算所述带正负号差值图像的平均归一化值；
使用所述处理器来评估所述带正负号差值图像的极性的一致性；
使用所述处理器来将重复缺陷阈值应用于所述图像；
使用所述处理器来确定在应用所述重复缺陷阈值之后保留于所述坐标处的缺陷数目；及
使用所述处理器来设置所述重复缺陷阈值以借此对干扰提供过滤。


2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括执行所述半导体晶片的热扫描，其中所述热扫描的结果用于所述重复缺陷分析。


3.根据权利要求1所述的方法，其中获得所述差值图像包含单检测算法。


4.根据权利要求1所述的方法，其中获得所述差值图像包含双检测算法。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述带正负号差值图像与每坐标的较高绝对重复缺陷阈值一起使用。


6.根据权利要求1所述的方法，其中使用等式来计算所述平均归一化值。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述重复缺陷阈值是最大值，且其中所述缺陷是明极性缺陷。


8.根据权利要求6所述的方法，其中所述重复缺陷阈值是最小值，且其中所述缺陷是暗极性缺陷。


9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述处理器来发送指令以使所述重复缺陷的位置处的所有所述光罩成像。


10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述处理器来过滤使用所述设置重复缺陷阈值的所述图像。


11.根据权利要求1所述的方法，其中计算所述重复缺陷阈值包含评估具有明极性的缺陷数目及具有暗极性的...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·布拉尔，李胡成，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US