产生用于阵列区的缺陷样本制造技术

本发明专利技术提供用于产生用于样品的缺陷样本的方法及系统。一种方法包含基于通过输出获取子系统的检测器产生的输出检测样品上的缺陷。对于在所述样品上的阵列区中检测到的所述缺陷，其中所述阵列区包含多个阵列单元类型，所述方法包含基于所述多个阵列单元类型堆叠所述缺陷的信息。所述堆叠包含叠加仅所述多个阵列单元类型中的第一者的设计信息与仅在所述多个阵列单元类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息。另外，所述方法包含基于所述堆叠的结果选择经检测缺陷的部分，借此产生所述经检测缺陷的样本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】产生用于阵列区的缺陷样本
本专利技术大体上涉及用于产生在样品上检测到的缺陷的样本的方法及系统。
技术介绍
以下描述及实例并未凭借其包含于此段落中而被承认是现有技术。制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以某一布置制造于单个半导体晶片上且接着分离成个别半导体装置。在半导体制造工艺期间的每一个步骤使用检验过程来检测晶片上的缺陷。检验过程始终为制造半导体装置(例如集成电路)的重要部分。然而，随着半导体装置尺寸的减小，检验过程对于成功地制造可接受半导体装置变得更加重要。例如，随着半导体装置尺寸的减小，检测大小减小的缺陷已成为必要，这是因为甚至相对较小缺陷也可引起半导体装置中的非所要像差。一旦已通过检验检测到缺陷，便可以一或多个方式产生所述缺陷的额外信息。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种经配置以产生在样品上检测到的缺陷的样本的系统，其包括：/n输出获取子系统，其至少包括能量源及检测器，其中所述能量源经配置以产生引导到样品的能量，且其中所述检测器经配置以检测来自所述样品的能量及响应于经检测能量产生输出；及/n一或多个计算机子系统，其经配置以：/n基于通过所述检测器产生的所述输出检测所述样品上的缺陷以借此产生一组经检测缺陷；/n针对在所述样品上的阵列区中检测到的所述缺陷，其中所述阵列区包含多个阵列单元类型，基于所述多个阵列单元类型堆叠所述缺陷的信息，其中所述堆叠包括叠加仅所述多个阵列单元类型中的第一者的设计信息与仅在所述多个阵列单元类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180511 IN 201841017821;20180611 IN 201841021730;1.一种经配置以产生在样品上检测到的缺陷的样本的系统，其包括：
输出获取子系统，其至少包括能量源及检测器，其中所述能量源经配置以产生引导到样品的能量，且其中所述检测器经配置以检测来自所述样品的能量及响应于经检测能量产生输出；及
一或多个计算机子系统，其经配置以：
基于通过所述检测器产生的所述输出检测所述样品上的缺陷以借此产生一组经检测缺陷；
针对在所述样品上的阵列区中检测到的所述缺陷，其中所述阵列区包含多个阵列单元类型，基于所述多个阵列单元类型堆叠所述缺陷的信息，其中所述堆叠包括叠加仅所述多个阵列单元类型中的第一者的设计信息与仅在所述多个阵列单元类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息，且其中仅在所述多个阵列单元类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息包括在所述多个阵列单元类型中的所述第一者内的所述缺陷的位置；
基于所述堆叠的结果选择所述经检测缺陷的部分，借此产生所述经检测缺陷的样本；及
基于所述经检测缺陷的选定部分及所述经检测缺陷的所述选定部分的所述信息产生缺陷样本结果。


2.根据权利要求1所述的系统，其中在所述堆叠中与仅在所述多个阵列单元类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息叠加的所述设计信息包括所述多个阵列单元类型中的所述第一者中的图案化特征的图形表示。


3.根据权利要求1所述的系统，其中所述堆叠进一步包括分别叠加所述多个阵列单元类型的一或多个其它阵列单元类型的设计信息与仅在所述多个阵列单元类型的所述一或多个其它阵列单元类型中检测到的所述缺陷的所述信息。


4.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括经配置以向用户显示所述堆叠的所述结果及针对所述多个阵列单元类型偏置所述样本的选项且从所述用户接收针对所述偏置选择的所述选项的用户接口，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于经接收选项选择所述经检测缺陷的所述部分。


5.根据权利要求4所述的系统，其中所述堆叠的所述结果包括针对所述多个阵列单元类型中的所述第一者及至少一个其它阵列单元类型单独地执行的所述堆叠的结果及所述多个阵列单元类型中的所述经检测缺陷的密度，且其中通过所述用户接口显示的用于所述偏置的所述选项包括用于基于所述经检测缺陷的所述密度偏置所述样本的选项。


6.根据权利要求4所述的系统，其中所述堆叠的所述结果包括针对所述多个阵列单元类型中的所述第一者及至少一个其它阵列单元类型单独地执行的所述堆叠的结果，且其中通过所述用户接口显示的用于所述偏置的所述选项包括用于基于所述多个阵列单元类型偏置所述样本的选项。


7.根据权利要求4所述的系统，其中所述堆叠的所述结果包括针对所述多个阵列单元类型中的所述第一者及至少一个其它阵列单元类型单独地执行的所述堆叠的结果，且其中所述用户接口进一步经配置以显示供所述用户选择在所述用户接口中显示单独执行的所述堆叠的所述结果中的哪些结果的额外选项。


8.根据权利要求1所述的系统，其中所述阵列区包括用所述样品形成的装置的静态随机存取存储器阵列区。


9.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以：
针对在所述样品上的逻辑区中检测到的所述缺陷，其中所述逻辑区包含多个重复结构类型，基于所述多个重复结构类型进一步堆叠所述缺陷的信息，其中所述进一步堆叠包括：叠加仅所述多个重复结构类型中的第一者的设计信息与仅在所述多个重复结构类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息，且其中仅在所述多个重复结构类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息包括在所述多个重复结构类型中的所述第一者内的所述缺陷的位置；
基于所述进一步堆叠的结果选择所述经检测缺陷的另一部分；及
产生包括仅所述经检测缺陷的选定另一部分的信息的所述经检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·阿南塔，M·玛利亚潘，R·巴布尔纳特，G·西瓦拉曼，S·库拉达，T·杰亚瑞曼，P·俄珀鲁里，S·坎都库里，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US