空间电荷不敏感的电子枪设计制造技术

本发明专利技术揭示具有特定内部宽度尺寸、扫掠电极或特定内部宽度尺寸与扫掠电极的组合的电子枪系统。所述内部宽度尺寸可小于在束限制孔径下游的通道中的次级电子的拉莫尔半径的值的两倍，且所述次级电子的拉莫尔时间可大于1ns。所述扫掠电极可在漂移区中产生电场，所述电场可增大所述通道中的次级电子的动能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】空间电荷不敏感的电子枪设计相关申请案的交叉参考本申请案主张2018年5月29日提出申请且经指定为美国申请案第62/677,616号的临时专利申请案的优先权，上述申请案的揭示内容特此以引用的方式并入。
本专利技术涉及电子枪系统。
技术介绍
半导体制造业的演进对合格率管理且确切来说对计量及检验系统提出越来越较高的要求。临界尺寸不断缩小，但业界需要缩短时间以达成高合格率、高价值生产。将从侦测到合格率问题到解决所述问题的总时间最小化决定了半导体制造商的投资回报率。制作半导体装置(例如，逻辑及存储器装置)通常包含使用大数目的制作工艺来处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是涉及将图案从倍缩光罩转印到布置在半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制作工艺。半导体制作工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。可在单个半导体晶片上按照一定布置制作多个半导体装置且接着将所述多个半导体装置分离为个别半导体装置。高电压电子枪在各种领域中是已知的。举例来说，电子枪可在电子束光刻(例如，用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子枪系统，其包括：/n电子源，其引导初级电子束；/n板，其界定束限制孔径，其中所述初级电子束投射穿过所述束限制孔径；/n磁场源，其产生磁场；/n电压源，其连接到所述磁场源；及/n通道，所述初级电子束在投射穿过所述束限制孔径之后投射穿过所述通道，其中所述通道具有与投射所述初级电子束的方向垂直的内部宽度尺寸，其中所述内部宽度尺寸小于或等于所述通道中的次级电子的拉莫尔半径的值的两倍，且其中所述次级电子的拉莫尔时间大于1ns。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180529 US 62/677,616;20180810 US 16/100,8121.一种电子枪系统，其包括：
电子源，其引导初级电子束；
板，其界定束限制孔径，其中所述初级电子束投射穿过所述束限制孔径；
磁场源，其产生磁场；
电压源，其连接到所述磁场源；及
通道，所述初级电子束在投射穿过所述束限制孔径之后投射穿过所述通道，其中所述通道具有与投射所述初级电子束的方向垂直的内部宽度尺寸，其中所述内部宽度尺寸小于或等于所述通道中的次级电子的拉莫尔半径的值的两倍，且其中所述次级电子的拉莫尔时间大于1ns。


2.根据权利要求1所述的电子枪系统，其中所述内部宽度尺寸是直径。


3.根据权利要求1所述的电子枪系统，其中所述内部宽度尺寸为2mm到5mm。


4.根据权利要求3所述的电子枪系统，其中所述内部宽度尺寸为2mm到3mm。


5.根据权利要求1所述的电子枪系统，其进一步包括扫掠电极，所述扫掠电极在漂移区中产生电场，其中所述电场增大所述通道中的次级电子的动能。


6.根据权利要求5所述的电子枪系统，其进一步包括第二电压源，所述第二电压源连接到所述扫掠电极。


7.根据权利要求5所述的电子枪系统，其中所述扫掠电极相对于投射所述初级电子束的所述方向定位在所述束限制孔径下游6mm处。


8.根据权利要求5所述的电子枪系统，其中所述扫掠电极在-100V到+100V的电压下操作。
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【专利技术属性】
技术研发人员：C·西尔斯，L·葛瑞拉，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US