【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电镀系统中的基板清洁部件与方法
本申请是主张2018年3月29日所提交的美国专利申请第62/650,194号的优先权,其所有的公开内容实际上均作为本申请的参考数据。本专利技术涉及在半导体处理中的清洁操作。更具体而言,本专利技术涉及用于电镀系统以进行原位清洁的系统与方法。
技术介绍
集成电路可以通过在基板表面上产生错综复杂的图案化材料积层来制造。在经过基板上的成形处理、蚀刻处理,以及其他处理过后,通常将金属或其他导电性材料进行沉积或成形,以提供部件间的电性连接。由于在许多生产操作后才会进行这种金属化,因此在金属化期间所造成的问题可能会产生昂贵的废弃基板或废弃晶片。在金属材料成形在晶片或基板上的期间,会将基板浸没在电镀浴中,紧接着金属会成形在基板上。随后,将晶片升起并在腔室处进行清洗。可使用水进行清洗,并将水喷洒在基板的表面上。在此步骤的期间会产生许多问题。举例来说,水可能会落入电镀浴中而导致稀释,为了试图减少稀释,可能导致清洗时间的缩短或差异性地进行。此外,在清洗期间浴中的电镀溶液可能会喷溅在晶片上,使晶片造成 ...
【技术保护点】
1.一种电镀设备,包括:/n电镀浴槽;/n清洗框架,延伸在所述电镀浴槽的上方,所述清洗框架包括:/n缘部,环向延伸在所述电镀浴槽的上表面的附近,并在所述缘部与所述电镀浴槽的所述上表面之间界定清洗通道;/n清洗组件,包括:/n防溅件,可从的凹入的第一位置转移至第二位置中,所述第二位置至少部分延伸越过至所述电镀浴槽的通口;和/n流体喷嘴,与所述清洗框架耦接。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 US 62/650,1941.一种电镀设备,包括:
电镀浴槽;
清洗框架,延伸在所述电镀浴槽的上方,所述清洗框架包括:
缘部,环向延伸在所述电镀浴槽的上表面的附近,并在所述缘部与所述电镀浴槽的所述上表面之间界定清洗通道;
清洗组件,包括:
防溅件,可从的凹入的第一位置转移至第二位置中,所述第二位置至少部分延伸越过至所述电镀浴槽的通口;和
流体喷嘴,与所述清洗框架耦接。
2.如权利要求1所述的电镀设备,进一步包括:
头部,配置以支撑基板,
其中,所述头部是可转动的;
其中,所述流体喷嘴与所述清洗框架间接耦接;且
其中,当所述防溅件是在所述第二位置中时,所述流体喷嘴定位于距离所述头部的中心10毫米内。
3.如权利要求2所述的电镀设备,其中所述头部是配置以在清洗期间以一速度转动,所述速度是配置以将所述流体喷嘴所运送的流体,从所支撑的基板的径向边缘抛掷到所述清洗通道中。
4.如权利要求2所述的电镀设备,其中所述头部包括:
密封件,位于所述头部附近,其中所述电镀设备进一步包括:
密封件清洁喷嘴,与所述缘部耦接,且其中所述密封件清洁喷嘴是配置以将流体沿切线地越过所述密封件的外部径向边缘喷出且到所述清洗通道中。
5.如权利要求1所述的电镀设备,其中所述防溅件包括:
倾斜表面或凹形表面。
6.如权利要求1所述的电镀设备,其中,所述流体喷嘴是第一流体喷嘴,所述的电镀设备进一步包括:
第二流体喷嘴,相邻于所述第一流体喷嘴并配置以将惰性气体运送到基板的表面。
7.如权利要求1所述的电镀设备,其中所述流体喷嘴为第一流体喷嘴,位于穿过所述清洗框架的所述缘部的中间轴附近,以及其中所述清洗组件进一步包括第二流体喷嘴,所述第二流体喷嘴与所述第一流体喷嘴在一直线并从所述第一流体喷嘴在所述中间轴的径向外侧配置。
8.如权利要求1所述的电镀设备,进一步包括:
抽气器,与所述防溅件耦接。
9.如权利要求1所述的电镀设备,其中所述防溅件包括:
多个部件,利用连接件耦接在所述缘部附近,且其中当所述防溅件是在所述第二位置中时,所述多个部件是配置以遮蔽大于80%的至所述电镀浴槽的所述通口。
10.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:诺兰·齐默曼,格雷格·威尔逊,安德鲁·安滕,理查德·W·普拉维达尔,艾里克·J·伯格曼,特里西亚·扬布尔,蒂莫西·G·斯托特,李山姆,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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