包含全氟庚烯的三元和四元共沸物组合物和类共沸物组合物制造技术

技术编号:26695078 阅读:30 留言:0更新日期:2020-12-12 02:53
本发明专利技术提供了一种组合物,所述组合物包含:i)全氟庚烯;ii)正庚烷;以及iii)选自乙酸叔丁酯和乙酸异丙酯的化合物;其中所述正庚烷以及乙酸叔丁酯或乙酸异丙酯各自以与所述全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于所述组合物中。一种组合物,所述组合物包含:i)全氟庚烯;ii)HFC‑4310mee;以及iii)反式‑1,2‑二氯乙烯;其中所述HFC‑4310mee和反式‑1,2‑二氯乙烯各自以与所述全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于所述组合物中。一种用于溶解溶质的方法,所述方法包括使所述溶质与足够量的所述组合物接触并且混合。一种清洁表面的方法,所述方法包括使所述组合物与所述表面接触。一种用于从润湿的基底的表面移除至少一部分水的方法,所述方法包括使所述基底与所述组合物接触,以及然后使所述基底脱离与所述组合物的接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含全氟庚烯的三元和四元共沸物组合物和类共沸物组合物相关申请的交叉引用本申请要求2018年5月3日提交的美国临时申请序列号62/666463的权益,其公开内容以引用方式全文并入本文。
本专利技术涉及包含全氟庚烯和两种或更多种附加组分的三元和四元共沸物组合物或类共沸物组合物,其中这些附加组分以与全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于该组合物中。本文所述的组合物可用于例如清洁和载液应用中。
技术介绍
氯氟烃(CFC)化合物在半导体制造领域中已广泛用于清洁表面,诸如磁盘介质。然而,含氯化合物诸如CFC化合物被认为对地球的臭氧层有害。此外,已发现许多用于替代CFC化合物的氢氟烃导致全球变暖。因此,需要找到用于清洁应用诸如移除残余的焊剂、润滑剂或油污染物和微粒的新环境安全溶剂。还需要找到用于含氟润滑剂的沉积以及用于已在水溶液中处理的基底的干燥或脱水的新溶剂。
技术实现思路
本申请尤其提供组合物,该组合物包含:i)全氟庚烯;ii)正庚烷;以及iii)选自乙酸叔丁酯和乙酸异丙酯的化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物,所述组合物包含:/ni)全氟庚烯;/nii)正庚烷;以及/niii)选自乙酸叔丁酯和乙酸异丙酯的化合物;/n其中所述正庚烷以及乙酸叔丁酯或乙酸异丙酯各自以与所述全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于所述组合物中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180503 US 62/6664631.一种组合物,所述组合物包含:
i)全氟庚烯;
ii)正庚烷;以及
iii)选自乙酸叔丁酯和乙酸异丙酯的化合物;
其中所述正庚烷以及乙酸叔丁酯或乙酸异丙酯各自以与所述全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于所述组合物中。


2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述全氟庚烯包含约90重量%的全氟庚-3-烯以及约10重量%的全氟庚-2-烯。


3.根据权利要求2所述的组合物,其中所述组合物包含全氟庚烯、正庚烷和乙酸叔丁酯,其中所述正庚烷和乙酸叔丁酯各自以与所述全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于所述组合物中。


4.根据权利要求3所述的组合物,其中所述组合物基本上由约80重量%至约99.8重量%的全氟庚烯、约0.1重量%至约10重量%的正庚烷以及约0.1重量%至约10重量%的乙酸叔丁酯组成。


5.根据权利要求2所述的组合物,其中所述组合物包含全氟庚烯、正庚烷和乙酸异丙酯,其中所述正庚烷和乙酸异丙酯各自以与所述全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于所述组合物中。


6.根据权利要求5所述的组合物,其中所述组合物基本上由约80重量%至约99.8重量%的全氟庚烯、约0.1重量%至约10重量%的正庚烷以及约0.1重量%至约10重量%的乙酸异丙酯组成。


7.一种组合物,所述组合物包含:
i)全氟庚烯;
ii)HFC-4310mee;以及
iii)反式-1,2-二氯乙烯;
其中所述HFC-4310mee和反式-1,2-二氯乙烯各自以与所述全氟庚烯有效形成共沸物组合物或类共沸物组合物的量存在于所述组合物中。


8.根据权利要求7所述的组合物,其中所述全氟庚烯包含约90重量%的全氟庚-3-烯以及约10重量%的全氟庚-2-烯。


9.根据权利要求8所述的组合物,其中所述组合物基本上由约0.1重量%至约25重量%的全氟庚烯、约30重量%至约40重量%的HFC-4310mee...

【专利技术属性】
技术研发人员:H·K·穆斯伊米
申请(专利权)人:科慕埃弗西有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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