静电防护方法、设备、计算机设备以及可读存储介质技术

本发明专利技术公开了一种静电防护方法、设备、计算机设备以及可读存储介质，一种静电防护方法，应用于电机制备中，包括：在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置；对电机进行等离子体表面处理；其中，所述静电防护装置包括短接组件、屏蔽组件以及静电防护电路。上述方法，通过使用特定的静电防护装置将功率模组中晶体管的特定引脚进行短接、屏蔽或连接保护电路，从而实现对耐压较低电极的有效静电防护，操作便捷且稳定性好，使得功率模组不会被电极制备过程中产生的静电损坏。

【技术实现步骤摘要】
静电防护方法、设备、计算机设备以及可读存储介质
本专利技术实施例涉及电机制造技术，尤其涉及一种静电防护方法、设备、计算机设备以及存储介质。
技术介绍
在皮带式启停发电一体电机(Belt-DrivenStarterGenerator，简称BSG)等电机的制备过程中，为提高电机安全性，需要功率模组灌阻燃胶，并在阻燃胶上覆盖一定的密封胶，并对电机进行等离子体表面处理(Plasma)，使两种胶的表面张力和活性得到加强，阻燃胶可以避免裂缝，密封胶和PCB外壳黏合更紧密。电机进行等离子体表面处理的过程中，喷嘴会自动沿着每个功率模组周围走完一圈，当喷嘴靠近功率模组的引脚时，会产生静电。功率模组中内含的晶体管会耦合出一定电压，当其高于晶体管中耐压较低电极的最大可承受电压时，功率模组会发生损坏，传统的电机制备过程中，对于等离子体表面处理产生的静电，没有对功率模组进行有效的防护。
技术实现思路
基于此，针对上述技术问题，本专利技术提供一种静电防护方法、装置、计算机设备及可读存储介质，可以对功率模组中耐压较低电极进行有效的静电防护。第一方面，本专利技术实施例提供了一种静电防护方法，应用于电机制备中，包括：在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置；对所述电机进行等离子体表面处理；其中，所述静电防护装置包括短接组件、屏蔽组件以及静电防护电路中的至少一种。上述静电防护方法，通过使用特定的静电防护装置将功率模组中晶体管的特定引脚进行短接、屏蔽或连接保护电路，从而实现对耐压较低电极的有效静电防护，操作便捷且稳定性好，使得功率模组不会被电极制备过程中产生的静电损坏。在其中一个实施例中，所述功率模组包括绝缘栅型场效应管，所述预设引脚包括栅极引脚，还包括源极引脚以及漏极引脚中的至少一种。在其中一个实施例中，所述在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置的步骤包括：通过所述短接组件将所述功率模组上管和下管的所有栅极引脚与源极引脚共同短接；或通过所述短接组件将所述功率模组上管和下管的所有栅极引脚、源极引脚以及漏极引脚共同短接。在其中一个实施例中，所述在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置的步骤包括：通过所述短接组件将所述功率模组上管的栅极引脚与源极引脚，以及所述功率模组下管的栅极引脚与源极引脚分别短接；或通过所述短接组件将所述功率模组上管的栅极引脚与漏极引脚，以及所述功率模组下管的栅极引脚与漏极引脚分别短接。在其中一个实施例中，所述功率模组包括绝缘栅双极型晶体管，所述预设引脚包括栅极引脚，还包括发射极引脚以及集电极引脚中的至少一种。在其中一个实施例中，在对所述电机进行等离子体表面处理的步骤之前，所述方法还包括：将所述静电防护装置接地。在其中一个实施例中，在对所述电机进行等离子体表面处理的步骤之后，所述方法还包括：去除所述预设引脚上的静电防护装置。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种静电防护设备，应用于电机制备中，包括：防护模块，用于在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置；处理模块，用于对所述电机进行等离子体表面处理；其中，所述静电防护装置包括短接组件、屏蔽组件以及静电防护电路中的至少一种。上述静电防护设备，通过将功率模组中晶体管的特定引脚进行短接、屏蔽或连接保护电路，从而实现对耐压较低电极的有效静电防护，操作便捷且稳定性好，使得功率模组不会被电极制备过程中产生的静电损坏。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述的静电防护方法。第四方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上述的静电防护方法。附图说明图1为一个实施例中静电防护方法的流程示意图；图2为一个实施例中短接组件对功率模组上管和下管的所有栅极引脚与源极引脚共同短接的结构示意图；图3为一个实施例中短接组件对功率模组上管和下管的所有栅极引脚、源极引脚以及漏极引脚共同短接的结构示意图；图4为一个实施例中短接组件对功率模组上管的栅极引脚与源极引脚，以及功率模组下管的栅极引脚与源极引脚分别短接的结构示意图；图5为一个实施例中短接组件对功率模组上管的栅极引脚与漏极引脚，以及功率模组下管的栅极引脚与漏极引脚分别短接的结构示意图；图6为一个实施例中屏蔽组件对功率模组上管和下管的所有栅极引脚、源极引脚以及漏极引脚共同屏蔽的结构示意图；图7为一个实施例中静电防护电路对功率模组上管和下管的所有栅极引脚、源极引脚以及漏极引脚共同连接的结构示意图；图8为另一个实施例中静电防护方法的流程示意图；图9为一个实施例中静电防护装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1为一个实施例中静电防护方法的流程示意图，如图1所示，在一个实施例中，一种静电防护方法，应用于电机制备中，包括：步骤S120：在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置。具体地，在BSG等电机中，功率模组为用于进行功率变换的半导体开关，功率模组中内含有绝缘栅型场效应管(MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等晶体管器件。在这些晶体管器件中，一些电极耐压较高，一些电极耐压较低，由于电机制备过程中离子体表面处理(Plasma)等工艺会产生静电，因此需要至少在这些耐压较低的电极引脚上通过静电防护装置进行静电防护，以防止功率模组在电机制备过程中被静电损坏。其中，静电防护装置具体可以包括短接组件、屏蔽组件以及静电防护电路等。短接组件具体可以为金属等导体制成的短接连接器，短接连接器可以与功率模组的引脚相连接，短接连接器的规格和数量可以根据需要短接的预设引脚的尺寸、数量以及连接方式确定。例如可以将需要短接的全部预设引脚同时插入一个短接连接器中，或者需要短接的部分预设引脚插入一个短接连接器中，再将多个短接器进行连接，通过将功率模组所有的预设引脚进行可靠短接，使功率模组中耐压较低电极的电压始终被钳位在零伏，从而使功率模组得到有效的静电防护。屏蔽组件具体可以为金属等制成的屏蔽罩，屏蔽罩通过在电机上设置的安装结构，可以悬空设置在预设引脚的周围，金属屏蔽罩接地，当带电粒子打到金属屏蔽罩上时，会被直接引入大地，使功率模组得到有效的静电防护。静电保护电路具体可以为TVS电路或自锁电路等，静电保护电路可以外置的电路模块，连接在功率模组的预设引脚上，在完成Plasma处理后断开连接，使功率模组在Plasma处理过程中得到有效的静电防护，静电保护电路还可以设计在功率模组内部，使得后续制备及使用过程中也可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电防护方法，应用于电机制备中，其特征在于，包括：/n在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置；/n对所述电机进行等离子体表面处理；/n其中，所述静电防护装置包括短接组件、屏蔽组件以及静电防护电路中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电防护方法，应用于电机制备中，其特征在于，包括：
在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置；
对所述电机进行等离子体表面处理；
其中，所述静电防护装置包括短接组件、屏蔽组件以及静电防护电路中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功率模组包括绝缘栅型场效应管，所述预设引脚包括栅极引脚，还包括源极引脚以及漏极引脚中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置的步骤包括：
通过所述短接组件将所述功率模组上管和下管的所有栅极引脚与源极引脚共同短接；或
通过所述短接组件将所述功率模组上管和下管的所有栅极引脚、源极引脚以及漏极引脚共同短接。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在电机的功率模组的预设引脚上设置静电防护装置的步骤包括：
通过所述短接组件将所述功率模组上管的栅极引脚与源极引脚，以及所述功率模组下管的栅极引脚与源极引脚分别短接；或
通过所述短接组件将所述功率模组上管的栅极引脚与漏极引脚，以及所述功率模组下管的栅极引脚与漏极引脚分别短接。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刁智海，韩函，胡杰，李剑平，
申请(专利权)人：上海法雷奥汽车电器系统有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31