一种可变增益放大电路制造技术

本申请适用于集成电路技术领域，提供了一种可变增益放大电路，包括依次连接的第一可变增益放大模块和驱动缓冲模块，驱动缓冲模块包括：全差分放大器、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一补偿电容及第二补偿电容；该可变增益放大电路用于对接收到的差分信号按预设增益进行差分放大处理后输出；其中，预设增益可调。由于可变增益放大电路中的第一可变增益放大模块的输出端连接有驱动缓冲模块，因此可变增益放大电路可以对各种不同类型的负载进行驱动，具有较强的负载驱动能力；且由于驱动缓冲模块仅由一个全差分放大器、两个电阻以及两个电容构成，因此可以降低整个可变增益放大电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种可变增益放大电路
本申请属于集成电路
，尤其涉及一种可变增益放大电路。
技术介绍
可变增益放大电路常用于对电信号进行放大处理，由于其增益可调，因此已被广泛应用于各种通信、导航以及信号检测传输等系统中。现有的很多应用场合通常要求可变增益放大电路具有较强的负载驱动能力，即可以驱动多种不同类型的负载，例如低阻抗负载、大容性负载或高阻抗负载等。传统的做法通常是在可变增益放大器的输出端设置由单端输出运放构成的缓冲放大器，由可变增益放大器与缓冲放大器构成可变增益放大电路，而为了实现全差分输出，通常需要在可变增益放大器的输出端设置两个单端输出运放，这样会增加整个可变增益放大电路的功耗。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种可变增益放大电路，以解决现有的具有输出驱动功能的可变增益放大电路存在的功耗较高的问题。本申请实施例提供的一种可变增益放大电路，包括依次连接的第一可变增益放大模块和驱动缓冲模块，所述驱动缓冲模块包括：全差分放大器、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一补偿电容及第二补偿电容；>所述第一可变增益放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可变增益放大电路，包括依次连接的第一可变增益放大模块和驱动缓冲模块，其特征在于，所述驱动缓冲模块包括：全差分放大器、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一补偿电容及第二补偿电容；/n所述第一可变增益放大模块的两个输入端用于接收差分信号，所述第一可变增益放大模块的两个输出端分别与所述全差分放大器的两个输入端连接，所述第一反馈电阻连接在所述全差分放大器的第一输入端和第一输出端之间，所述第二反馈电阻连接在所述全差分放大器的第二输入端和第二输出端之间，所述第一补偿电容与所述第一反馈电阻并联，所述第二补偿电容与所述第二反馈电阻并联；/n所述可变增益放大电路用于对接收到的差分信号按预设增益进行差分放大处...

【技术特征摘要】
1.一种可变增益放大电路，包括依次连接的第一可变增益放大模块和驱动缓冲模块，其特征在于，所述驱动缓冲模块包括：全差分放大器、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第一补偿电容及第二补偿电容；
所述第一可变增益放大模块的两个输入端用于接收差分信号，所述第一可变增益放大模块的两个输出端分别与所述全差分放大器的两个输入端连接，所述第一反馈电阻连接在所述全差分放大器的第一输入端和第一输出端之间，所述第二反馈电阻连接在所述全差分放大器的第二输入端和第二输出端之间，所述第一补偿电容与所述第一反馈电阻并联，所述第二补偿电容与所述第二反馈电阻并联；
所述可变增益放大电路用于对接收到的差分信号按预设增益进行差分放大处理后输出；其中，所述预设增益可调。


2.根据权利要求1所述的可变增益放大电路，其特征在于，所述第一反馈电阻和所述第二反馈电阻均为可调电阻。


3.根据权利要求1所述的可变增益放大电路，其特征在于，所述第一可变增益放大模块包括跨导放大单元和共模反馈单元；
所述跨导放大单元的第一输入端为所述第一可变增益放大模块的第一输入端，所述跨导放大单元的第二输入端为第一可变增益放大模块的第二输入端，所述跨导放大单元的第一输出端与所述共模反馈单元的第一输入端共接作为所述第一可变增益放大模块的第一输出端，所述跨导放大单元的第二输出端与所述共模反馈单元的第二输入端共接作为所述第一可变增益放大模块的第二输出端，所述共模反馈单元的反馈端与所述跨导放大单元的反馈端连接。


4.根据权利要求3所述的可变增益放大电路，其特征在于，所述跨导放大单元包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三补偿电容及第一可调电阻阵列；
所述第一NMOS管的栅极为所述跨导放大单元的第一输入端，所述第二NMOS管的栅极为所述跨导放大单元的第二输入端，所述第一NMOS管的源极与所述第一可调电阻阵列的第一端、所述第一PMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极、所述第三补偿电容的第一端以及所述第六PMOS管的漏极连接；所述第二NMOS管的源极与所述第一可调电阻阵列的第二端、所述第二PMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极、所述第三补偿电容的第二端以及所述第七PMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的栅极共接于用于提供偏置电压的第一电源；所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极、所述第五NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极以及所述第七NMOS管的源极共接于地，所述第五NMOS管的漏极与所述第五PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极、所述第六PMOS管的栅极以及所述第七PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极、所述第四PMOS管的源极、所述第五PMOS管的源极、所述第六PMOS管的源极以及所述第七PMOS管的源极共接于用于提供工作电源的第二电源，所述第三PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极共接作为所述跨导放大单元的第一输出端，所述第四PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极共接作为所述跨导放大单元的第二输出端，所述第六NMOS管的栅极与所述第七NMOS管的栅极共接作为所述跨导放大单元的反馈端。


5.根据权利要求4所述的可变增益放大电路，其特征在于，所述第一可调电阻阵列包括并联的多个阻抗支路；所述多个阻抗支路的第一共接端为所述第一可调电阻阵列的第一端，所述多个阻抗支路的第二共接端为所述第一可调电阻阵列的第二端；每个所述阻抗支路均包括至少一个阻抗器件以及与所述阻抗器件串连的开关器件，且不同阻抗支路中的所述阻抗器件的阻值之和不同。


6.根据权利要求3所述的可变增益放大电路，其特征在于，所述共模反馈单元包括：第八NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊中燕，郑卫国，项勇，万鸿，王江涛，陈毅敏，
申请(专利权)人：泰斗微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44