使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器制造方法及图纸

本公开涉及使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器。示例性偏置网络包括：自适应偏置电路，被配置为生成用于放大器的偏置信号，并且进一步包括耦合电路，被配置为将自适应偏置电路耦合至放大器。耦合电路的适应性在于其阻抗取决于放大器要放大的输入信号的功率电平。通过将耦合电路配置为具有取决于输入信号的功率电平的可变阻抗，耦合电路可以适应输入功率电平，从而可以修改偏置信号以减少/优化自适应偏置电路可引入到偏置信号中的非线性中的至少一些。

【技术实现步骤摘要】
使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器
本公开总体上涉及射频(RF)系统，并且更具体地，涉及用于放大器的变换网络。
技术介绍
无线电系统是指以电磁波形式在大约3千赫兹(kHz)至300吉赫兹(GHz)的RF范围内发送和接收信号的系统。无线电系统通常用于无线通信，蜂窝/无线移动技术是一个突出的例子，但是也可以用于诸如有线电视之类的电缆通信。在这两种类型的系统中，放大器都起着至关重要的作用，例如用于放大RF信号的功率放大器。附图说明为了提供对本公开及其特征和优点的更完整的理解，结合附图参考以下描述，其中，相同的附图标记表示相同的部分，其中：图1提供了根据本公开的一些实施例的具有功率放大器的天线设备的示意图，该功率放大器可以由偏置电路和自适应耦合电路的偏置网络来偏置。图2A提供了具有偏置电路而没有耦合电路的功率放大器的示意图。图2B提供了根据本公开的一些实施例的具有偏置电路和固定耦合电路的功率放大器的示意图；图3提供了一个示意图，根据本公开的一些实施例，对于用于将偏置电路耦合到功率放大器的电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于放大器的偏置网络，该偏置网络包括：/n自适应偏置电路，被配置为产生用于所述放大器的偏置信号；和/n耦合电路，被配置为将所述自适应偏置电路耦合到所述放大器，以使得能够将所述偏置信号提供给所述放大器，/n其中所述耦合电路被配置为使得所述耦合电路的阻抗取决于将被所述放大器放大的输入信号的功率电平。/n

【技术特征摘要】
20190611 US 16/437,2041.用于放大器的偏置网络，该偏置网络包括：
自适应偏置电路，被配置为产生用于所述放大器的偏置信号；和
耦合电路，被配置为将所述自适应偏置电路耦合到所述放大器，以使得能够将所述偏置信号提供给所述放大器，
其中所述耦合电路被配置为使得所述耦合电路的阻抗取决于将被所述放大器放大的输入信号的功率电平。


2.根据权利要求1所述的偏置网络，其中所述耦合电路被配置为使得:
当所述输入信号的功率电平为第一功率电平时，所述耦合电路的阻抗为第一阻抗，
当所述输入信号的功率电平为高于第一功率电平的第二功率电平时，所述耦合电路的阻抗为低于所述第一阻抗的第二阻抗。


3.根据权利要求1所述的偏置网络，其中所述耦合电路包括:
输入，与所述自适应偏置电路的输出耦合，以及
输出，耦合到所述放大器的输入。


4.根据权利要求1所述的偏置网络，其中所述耦合电路被配置为展现可变电阻，该可变电阻取决于所述输入信号的功率电平。


5.根据权利要求1所述的偏置网络，其中所述耦合电路包括耦合在该晶体管的源极端子和漏极端子之间的晶体管和电阻器，并且其中一对源极端子和漏极端子中的第一源极或漏极(S/D)端子耦合至所述放大器的输入，而一对中的第二S/D端子耦合至偏置电路的输出。


6.根据权利要求5所述的偏置网络，其中所述晶体管的第一S/D端子还耦合到所述输入信号。


7.根据权利要求5所述的偏置网络，其中在操作期间，在所述晶体管的第一S/D端子和第二S/D端子之间流动的电流取决于所述输入信号的功率。


8.用于放大器的偏置网络，该偏置网络包括:
偏置电路，被配置为在所述偏置电路的输出端提供偏置信号；和
耦合电路，耦合在所述偏置电路的输出和所述放大器的输入之间，
其中:
所述耦合电路包括晶体管，
所述晶体管包括源极端子和漏极端子，
所述晶体管的源极端子或漏极端子中的第一个耦合到所述放大器的输入和要被所述放大器放大的输入信号，以及
所述晶体管的源极端子或漏极端子中的第二个耦合到所述偏置电路的输出。


9.根据权利要求8所述的偏置网络，其中:
所述晶体管是N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，
所述耦合电路还包括功率检测器，被配置为确定将被所述放大器放大的输入信号的功率，以及
施加到NMOS晶体管的栅极端子的栅极电压基于所述功率。


10.根据权利要求9所述的偏置网络，其中:
所述功率检测器...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·艾斯梅尔，
申请(专利权)人：亚德诺半导体国际无限责任公司，
类型：发明
国别省市：爱尔兰;IE