一种阵列基板、显示装置及制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示装置及制作方法，该阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域包括按照第一像素密度阵列排布的第一像素，第一显示区域的有机层包括具有第一深度的第一隔离槽，第一显示区域的无机层包括贯通其的第一过孔，第一过孔与第一隔离槽对应设置以露出第一隔离槽；第二显示区域包括按照第二像素密度阵列排布的第二像素，第二显示区域的有机层包括具有第二深度的第二隔离槽，第二显示区域的无机层包括贯通其的第二过孔，第二过孔与第二隔离槽对应设置以部分露出第二隔离槽，第二显示区域的蒸镀层对应于第二隔离槽的边缘位置断开；第一像素密度大于第二像素密度，第一深度小于第二深度。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示装置及制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及制作方法。
技术介绍
近年来，高屏占比电子产品越来越受到市场青睐，全面屏更是大势所趋。采用低像素密度的被动驱动式有机发光二极管单元(PMOLED)屏下摄像技术是提高屏占比的技术方向之一。为了实现PMOLED区域点亮时可控，需要在阵列基板上设计隔离槽来隔断该区域的OLED器件的阴极，然而，现有的工艺流程在形成隔离槽时易出现阵列基板膜层剥离和鼓泡不良的问题，极大影响了阵列基板的良率。因此，需要一种新的阵列基板、显示装置及制作方法。
技术实现思路
为了解决上述问题至少之一，本专利技术第一个实施例提供一种阵列基板，包括第一显示区域和第二显示区域，所述阵列基板包括依次层叠设置在衬底上的有机层、无机层、阳极、像素界定层和蒸镀层，其中所述第一显示区域包括按照第一像素密度阵列排布的多个第一像素，所述第一显示区域的有机层包括设置在相邻第一像素间的具有第一深度的第一隔离槽，所述第一显示区域的无机层包括贯通其的第一过孔，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括第一显示区域和第二显示区域，其特征在于，所述阵列基板包括依次层叠设置在衬底上的有机层、无机层、阳极、像素界定层和蒸镀层，其中/n所述第一显示区域包括按照第一像素密度阵列排布的多个第一像素，所述第一显示区域的有机层包括设置在相邻第一像素间的具有第一深度的第一隔离槽，所述第一显示区域的无机层包括贯通其的第一过孔，所述第一过孔与所述第一隔离槽对应设置以露出所述第一隔离槽；/n所述第二显示区域包括按照第二像素密度阵列排布的多个第二像素，所述第二显示区域的有机层包括设置在相邻第二像素间的具有第二深度的第二隔离槽，所述第二显示区域的无机层包括贯通其的第二过孔，所述第二过孔与所述第二隔...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括第一显示区域和第二显示区域，其特征在于，所述阵列基板包括依次层叠设置在衬底上的有机层、无机层、阳极、像素界定层和蒸镀层，其中
所述第一显示区域包括按照第一像素密度阵列排布的多个第一像素，所述第一显示区域的有机层包括设置在相邻第一像素间的具有第一深度的第一隔离槽，所述第一显示区域的无机层包括贯通其的第一过孔，所述第一过孔与所述第一隔离槽对应设置以露出所述第一隔离槽；
所述第二显示区域包括按照第二像素密度阵列排布的多个第二像素，所述第二显示区域的有机层包括设置在相邻第二像素间的具有第二深度的第二隔离槽，所述第二显示区域的无机层包括贯通其的第二过孔，所述第二过孔与所述第二隔离槽对应设置以部分露出所述第二隔离槽，所述第二显示区域的蒸镀层对应于所述第二隔离槽的边缘位置断开；
所述第一像素密度大于所述第二像素密度，所述第一深度小于所述第二深度。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述蒸镀层对应于所述第一隔离槽的边缘位置的厚度小于所述蒸镀层对应于所述像素界定层位置的厚度；
或者
所述蒸镀层对应于所述第一隔离槽的边缘位置断开。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一深度大于0.1μm，小于1μm。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二隔离槽的侧壁向所述无机层的外侧凸出，形成内凹结构；
和/或
所述第二深度大于1μm，小于2μm。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一显示区域采用主动驱动式有机发光二极管单元，所述第二显示区域采用被动驱动式有机发光二极管单元；
或者
所述第一显示区域和第二显示区域均采用主动驱动式有机发光二极管单元。


6.一种制作如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板的方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾科文，陈腾，詹裕程，李栓柱，杨波，景阳钟，李家毅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11