显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动发光器件发光的像素驱动电路，像素驱动电路包括：第一初始化晶体管、开关晶体管、补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管和存储电容；其中，补偿晶体管、第一初始化晶体管和第二初始化晶体管为氧化物晶体管，开关晶体管、驱动晶体管、第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管为低温多晶硅晶体管。本申请通过将补偿晶体管、第一初始化晶体管和第二初始化晶体管设置为氧化物晶体管，其他晶体管设置为低温多晶硅晶体管，可以同时利用氧化物晶体管的低漏电流特性和低温多晶硅晶体管的高迁移率特性，从而使得像素驱动电路更加稳定。

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
多晶硅类薄膜晶体管具有高迁移率，因此现有的OLED显示面板的像素驱动电路中，通常采用低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管进行驱动像素发光，然而，使用低温多晶硅薄膜晶体管的OLED显示面板较低刷新频率下，会出现发光阶段稳定性较弱的问题，造成显示效果较差。因此，现有的显示面板存在像素驱动电路稳定性较弱的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，用以缓解现有的显示面板中像素驱动电路稳定性较弱的技术问题。本申请提供一种显示面板，包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：第一初始化晶体管，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入初始化信号；开关晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向第二节点输入数据信号；驱动晶体管，用于在所述第一节点和所述第二节点电位的控制下，驱动所述发光器件发光；补偿晶体管，通过所述第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在第三扫描信号的控制下，补偿所述驱动晶体管的阈值电压；第二初始化晶体管，用于在所述第三扫描信号的控制下，向所述发光器件阳极输入初始化信号；第一发光控制晶体管，通过所述第二节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通电源高电位信号线流向所述驱动晶体管的电流；第二发光控制晶体管，通过所述第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在所述发光控制信号的控制下，导通所述驱动晶体管流向所述发光器件阳极的电流；存储电容，通过所述第一节点与所述驱动晶体管相连，通过第四节点与所述电源高电位信号线相连，用于存储所述数据信号；其中，所述补偿晶体管、所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管为氧化物晶体管，所述开关晶体管、所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管为低温多晶硅晶体管。在本申请的显示面板中，所述补偿晶体管、所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管为N型晶体管，所述开关晶体管、所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管为P型晶体管。在本申请的显示面板中，所述显示面板包括自下而上层叠设置的衬底、第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层、第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一半导体层形成各低温多晶硅晶体管的多晶硅有源层，所述第二半导体层形成各氧化物晶体管的氧化物有源层。在本申请的显示面板中，所述多晶硅有源层和所述氧化物有源层在所述衬底的投影至少部分重叠。在本申请的显示面板中，所述第一金属层图案化形成各氧化物晶体管的顶栅，所述氧化物有源层形成各氧化物晶体管的沟道区，所述第二金属层图案化形成各氧化物晶体管的底栅，所述沟道区在所述衬底的投影落在对应的底栅在所述衬底的投影范围内。在本申请的显示面板中，所述第一金属层图案化形成所述存储电容的第一极板，所述第二金属层图案化形成所述存储电容的第二极板。在本申请的显示面板中，所述第一源漏极层图案化形成电源高电位信号线，所述第二源漏极层图案化形成第一阻挡构件，所述第一阻挡构件与所述电源高电位信号线连接，且所述第一阻挡构件在所述第一金属层的投影覆盖所述存储电容的第一极板的至少部分区域。在本申请的显示面板中，所述第一阻挡构件在所述氧化物有源层的投影覆盖所述补偿晶体管的沟道区和所述第一初始化晶体管的沟道区。在本申请的显示面板中，所述第二源漏极层图案化形成第二阻挡构件，所述第二阻挡构件与所述第二发光控制晶体管和所述发光器件阳极相连，且在所述氧化物有源层的投影覆盖所述第二初始化晶体管的沟道区。本申请还提供一种显示装置，包括：第一初始化晶体管，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入初始化信号；开关晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向第二节点输入数据信号；驱动晶体管，用于在所述第一节点和所述第二节点电位的控制下，驱动发光器件发光；第二初始化晶体管，用于在所述第三扫描信号的控制下，向所述发光器件阳极输入初始化信号；其中，所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管为氧化物晶体管，所述开关晶体管和所述第二初始化晶体管为不同类型晶体管。在本申请的显示装置中，所述开关晶体管为低温多晶硅晶体管。在本申请的显示装置中，所述开关晶体管为P型晶体管，所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管为N型晶体管。在本申请的显示装置中，所述显示装置包括自下而上层叠设置的衬底、第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层、第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一半导体层形成所述低温多晶硅晶体管的多晶硅有源层，所述第二半导体层形成所述氧化物晶体管的氧化物有源层。在本申请的显示装置中，所述多晶硅有源层和所述氧化物有源层在所述衬底的投影至少部分重叠。在本申请的显示装置中，所述第二金属层图案化形成各氧化物晶体管的底栅，所述第三金属层图案化形成各氧化物晶体管的顶栅，所述氧化物有源层形成各氧化物晶体管的沟道区，所述沟道区在所述衬底的投影落在对应的底栅在所述衬底的投影范围内。在本申请的显示装置中，所述显示装置还包括存储电容，所述存储电容通过所述第一节点与所述驱动晶体管相连，通过第四节点与所述电源高电位信号线相连，用于存储所述数据信号，所述第一金属层图案化形成所述存储电容的第一极板，所述第二金属层图案化形成所述存储电容的第二极板。在本申请的显示装置中，所述第一源漏极层图案化形成电源高电位信号线，所述第二源漏极层图案化形成第一阻挡构件，所述第一阻挡构件与所述电源高电位信号线连接，且所述第一阻挡构件在所述第一金属层的投影覆盖所述存储电容的第一极板的至少部分区域。在本申请的显示装置中，所述第一阻挡构件在所述氧化物有源层的投影覆盖所述第一初始化晶体管的沟道区。在本申请的显示装置中，所述显示装置还包括：第一发光控制晶体管，通过所述第二节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通电源高电位信号线流向所述驱动晶体管的电流；第二发光控制晶体管，通过所述第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在所述发光控制信号的控制下，导通所述驱动晶体管流向所述发光器件阳极的电流；所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管为多晶硅晶体管。在本申请的显示装置中，所述第二源漏极层图案化形成第二阻挡构件，所述第二阻挡构件与所述第二发光控制晶体管和所述发光器件阳极相连，且在所述氧化物有源层的投影覆盖所述第二初始化晶体管的沟道区。在本申请的显示装置中，所述显示装置还包括补偿晶体管，所述补偿晶体管通过所述第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在第三扫描信号的控制下，补偿所述驱动晶体管的阈值电压，所述补偿晶体管为氧化物晶体管。在本申请的显示装置中，所述第一阻挡构件在所述氧化物有源层的投影覆盖所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：/n第一初始化晶体管，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入初始化信号；/n开关晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向第二节点输入数据信号；/n驱动晶体管，用于在所述第一节点和所述第二节点电位的控制下，驱动所述发光器件发光；/n补偿晶体管，通过所述第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在第三扫描信号的控制下，补偿所述驱动晶体管的阈值电压；/n第二初始化晶体管，用于在所述第三扫描信号的控制下，向所述发光器件阳极输入初始化信号；/n第一发光控制晶体管，通过所述第二节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通电源高电位信号线流向所述驱动晶体管的电流；/n第二发光控制晶体管，通过所述第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在所述发光控制信号的控制下，导通所述驱动晶体管流向所述发光器件阳极的电流；/n存储电容，通过所述第一节点与所述驱动晶体管相连，通过第四节点与所述电源高电位信号线相连，用于存储所述数据信号；/n其中，所述补偿晶体管、所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管为氧化物晶体管，所述开关晶体管、所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管为低温多晶硅晶体管。/n...

【技术特征摘要】
20200812 CN 20201080689681.一种显示面板，其特征在于，包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：
第一初始化晶体管，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入初始化信号；
开关晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向第二节点输入数据信号；
驱动晶体管，用于在所述第一节点和所述第二节点电位的控制下，驱动所述发光器件发光；
补偿晶体管，通过所述第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在第三扫描信号的控制下，补偿所述驱动晶体管的阈值电压；
第二初始化晶体管，用于在所述第三扫描信号的控制下，向所述发光器件阳极输入初始化信号；
第一发光控制晶体管，通过所述第二节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通电源高电位信号线流向所述驱动晶体管的电流；
第二发光控制晶体管，通过所述第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在所述发光控制信号的控制下，导通所述驱动晶体管流向所述发光器件阳极的电流；
存储电容，通过所述第一节点与所述驱动晶体管相连，通过第四节点与所述电源高电位信号线相连，用于存储所述数据信号；
其中，所述补偿晶体管、所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管为氧化物晶体管，所述开关晶体管、所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管为低温多晶硅晶体管。


2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述补偿晶体管、所述第一初始化晶体管和所述第二初始化晶体管为N型晶体管，所述开关晶体管、所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管为P型晶体管。


3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括自下而上层叠设置的衬底、第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层、第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一半导体层形成各低温多晶硅晶体管的多晶硅有源层，所述第二半导体层形成各氧化物晶体管的氧化物有源层。


4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅有源层和所述氧化物有源层在所述衬底的投影至少部分重叠。


5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层图案化形成各氧化物晶体管的顶栅，所述氧化物有源层形成各氧化物晶体管的沟道区，所述第二金属层图案化形成各氧化物晶体管的底栅，所述沟道区在所述衬底的投影落在对应的底栅在所述衬底的投影范围内。


6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层图案化形成所述存储电容的第一极板，所述第二金属层图案化形成所述存储电容的第二极板。


7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏极层图案化形成电源高电位信号线，所述第二源漏极层图案化形成第一阻挡构件，所述第一阻挡构件与所述电源高电位信号线连接，且所述第一阻挡构件在所述第一金属层的投影覆盖所述存储电容的第一极板的至少部分区域。


8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一阻挡构件在所述氧化物有源层的投影覆盖所述补偿晶体管的沟道区和所述第一初始化晶体管的沟道区。


9.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二源漏极层图案化形成第二阻挡构件，所述第二阻挡构件与所述第二发光控制晶体管和所述发光器件阳极相连，且在所述氧化物有源层的投影覆盖所述第二初始化晶体管的沟道区。


10.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一初始化晶体管，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入初始化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈碧，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42