一种高纯铝靶材组件焊接扩散层SEM检测的制样方法技术

本发明专利技术涉及一种高纯铝靶材组件焊接扩散层SEM检测的制样方法，所述制样方法包括如下步骤：(1)将样品依次进行第一抛光、第二抛光及第三抛光，至表面无划痕；(2)将抛光后的样品置于含铜溶液中进行处理，之后进行清洗，得到待检测样品。通过本发明专利技术提供的制样方法可实现对高纯铝靶材组件中焊接扩散层的形貌进行检测，进而从微观形貌上对焊接强度进行分析，从而根据结果对焊接条件进行调整。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯铝靶材组件焊接扩散层SEM检测的制样方法
本专利技术涉及制样领域，具体涉及一种高纯铝靶材组件焊接扩散层SEM检测的制样方法。
技术介绍
高纯铝通常指纯度(铝含量)大于99.8wt％的铝，而高纯铝靶材是薄膜晶体管(TFT)行业不可缺少的镀膜材料，用于玻璃基板上导电层薄膜的施镀。目前，大多数磁控溅射镀膜厂家使用的高纯铝靶材属于平面靶，它的材料利用率很低，仅有占总质量20％左右的材料得到利用；与此相对应，高纯铝旋转靶的使用率则可以达到75％左右。而且，如果以kW·h来衡量靶材的寿命，则旋转靶的寿命要比平面靶的寿命大约长5倍。CN106947926A公开了一种大尺寸高纯铝靶材的制备方法，1)将高纯铝铸锭进行表面铣削去除表面的氧化层；2)将铸锭放入加热至230-400℃；3)在热粗轧机上进行轧制；保证单道次压下量在20-60mm，将板坯厚度轧制至40-80mm，将板坯剪切为宽幅靶材所需的长度，如700mm长，自然冷却；4)将冷却后的板坯再次加热，加热温度200-350℃，保温时间1h；5)在可逆式轧机上进行横向轧制，进行1道次轧至成品厚度；6)对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯铝靶材组件焊接扩散层SEM检测的制样方法，其特征在于，所述制样方法包括如下步骤：/n(1)将样品依次进行第一抛光、第二抛光及第三抛光，至表面无划痕；/n(2)将抛光后的样品置于含铜溶液中进行处理，之后进行清洗，得到待检测样品。/n

【技术特征摘要】
1.一种高纯铝靶材组件焊接扩散层SEM检测的制样方法，其特征在于，所述制样方法包括如下步骤：
(1)将样品依次进行第一抛光、第二抛光及第三抛光，至表面无划痕；
(2)将抛光后的样品置于含铜溶液中进行处理，之后进行清洗，得到待检测样品。


2.如权利要求1所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)所述第一抛光指采用240#砂纸进行抛光；
优选地，所述第一抛光进行2-3min。


3.如权利要求1或2所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)所述第二抛光指采用1000#砂纸进行抛光；
优选地，所述第二抛光进行3-5min。


4.如权利要求1-3任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)所述第三抛光指采用2000#砂纸进行抛光；
优选地，所述第三抛光进行2-4min。


5.如权利要求1-4任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)所述含铜溶液为氯化铜溶液；
优选地，所述氯化铜溶液的质量浓度为0.01-0.03％。


6.如权利要求1-5任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)所述处理的时间为5-10s。


7.如权利要求1-6任一项所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)所述清洗包括依次进行的第一清洗和第二清洗。

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，李静云，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33