一种悬浮液等离子喷涂高纯Y制造技术

本发明专利技术公开了一种悬浮液等离子喷涂(SPS)高纯Y

【技术实现步骤摘要】
一种悬浮液等离子喷涂高纯Y2O3耐侵蚀涂层及其制备方法与应用
本专利技术涉及悬浮液等离子喷涂
，具体涉及一种悬浮液等离子喷涂高纯Y2O3耐侵蚀涂层及其制备方法与应用。
技术介绍
等离子体刻蚀技术广泛应用在微纳米半导体器件制备和微电子制造工艺中。通过辉光放电，产生包含等离子、电子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的等离子。这些活性粒子扩散到硅晶圆等被刻蚀器件部位并与之发生反应，形成挥发性生成物而被去除，从而完成图案转印的刻蚀技术。等离子体刻蚀是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到晶圆上的不可替代的工艺过程。等离子刻蚀用反应气体CF4/O2、NF3、Cl2、CH4/Ar会在等离子体干法刻蚀过程中生成大量Cl基、F基等活性自由基。这些自由基一方面对半导晶圆等部件表面进行刻蚀，另一方面对铝和铝合金工艺腔内表面产生侵蚀，并形成大量颗粒。这些颗粒会增加设备维护成本，严重时会使等离子体刻蚀工艺腔失效和器件损坏。随着半导体和平板显示器件的尺寸不断增加，晶圆的半径已经增加到200到300毫米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种悬浮液等离子喷涂高纯Y

【技术特征摘要】
1.一种悬浮液等离子喷涂高纯Y2O3耐侵蚀涂层的制备方法，其特征在于，包括将微纳米超细Y2O3粉体以悬浮液等离子喷涂工艺喷涂在铝合金表面制备Y2O3涂层；
所述微纳米超细Y2O3粉体的纯度≥99.9％，粒径为40nm-5μm；所述微纳米超细Y2O3粉体在悬浮液中的质量分数为5-30％；
所述等离子喷涂的工艺参数为：等离子喷枪工作功率为45-180kW；喷涂距离为50-100mm；喷枪移动速度为200-1000mm/s；Y2O3悬浮液注入流量为20-65g/min；等离子气体总流量为45-300slpm，包括以下4种组合：40-100slpmAr/5-20slpmH2、40-100slpmAr/5-100slpmHe、60-200slpmN2/80-120slpmAr/15-100slpmH2或60-200slpmN2/80-120slpmAr/15-100slpmHe。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子喷涂的工艺参数为：等离子喷枪工作功率为45-150kW；喷涂距离为70-100mm；等离子喷枪移动速度为700-1000mm/s；Y2O3悬浮液注入流量为25-60g/min；等离子气体流量为40-60slpmAr/5-10slpmH2、40-60slpmAr/5-60slpmHe、60-120slpmN2/85-120slpmAr/45-90slpmH2或60-120slpmN2/85-120slpmAr/45-90slpmHe。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小龙，赵泓旭，孙铱尉，李心怡，李卫，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：广东;44