光纤及其制造方法技术

技术编号:2668351 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
所披露的是一种具有衰减损耗的光纤的制造方法,其中,在1383nm的波长段内沿所述光纤纵向方向衰减损耗的不均匀性等于或小于0.05dB/km,并且,衰减损耗的平均值等于或小于0.35dB/km。所述方法包括步骤:(a)在将芯部表面的平均温度保持在等于或小于1000℃的水平、以及将根据烟灰预制棒生长长度的芯部表面温度变化保持在-10至10℃/cm范围内的同时制造烟灰预制棒;(b)通过脱水、固化和玻璃化所述烟灰预制棒来制造光纤预制棒;以及(c)在1900至2300℃之间的温度范围下,从所述光纤预制棒拉出光纤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。更具体地说,本专利技术涉及能够提高衰减损耗均匀性的。
技术介绍
传统光纤因“OH”键所导致的光吸收而在1383nm(纳米)量级内的波长处表现出高的衰减损耗。因此,传统光纤不适于在1383nm波长段处的光通信。通常,1383nm的波长段包括1340nm和1440nm之间的波长。为了解决发生在1383nm波长段内的问题,提出了低水峰光纤。图1A是图示出沿低水峰光纤在纵向上测得的衰减损耗的图。然而,尽管低水峰光纤能够降低由“OH”键所导致的光吸收引起的衰减损耗,但是衰减损耗在1383nm的波长段内沿低水峰光纤的纵向方向不均匀地产生。 参照图1A,低水峰光纤在1383nm的波长段内沿低水峰光纤的纵向方向在4.9至5km的区域处表现出大约0.35至0.37dB/km的衰减损耗101。另外,在低水峰光纤的整个区域上的平均衰减损耗102为大约0.3dB/km。因此,当低水峰光纤被用于1383nm波长段内的光通信网络时,衰减损耗沿低水峰光纤在纵向上不均匀地分布,从而导致通信故障或通信错误。
技术实现思路
因此,作出本专利技术以解决出现在现有技术中的上述问题,并且,本专利技术的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光纤,其中,在1383nm的波长段处沿所述光纤纵向方向的衰减损耗的不均匀性等于或小于0.05dB/km,并且,衰减损耗的平均值等于或小于0.35dB/km。

【技术特征摘要】
KR 2005-12-27 2005-0130825所限定的本发明的精髓和范围的情况下,对其作出形式和细节上的多种改动。权利要求1.一种光纤,其中,在1383nm的波长段处沿所述光纤纵向方向的衰减损耗的不均匀性等于或小于0.05dB/km,并且,衰减损耗的平均值等于或小于0.35dB/km。2.如权利要求1所述的光纤,其中,所述光纤的衰减损耗的不均匀性包括沿所述光纤的纵向方向在预定区域处所述光纤的区域衰减损耗和平均衰减损耗之差。3.如权利要求1所述的光纤,其中,沿所述光纤纵向方向的不均匀性包括波式非直线。4.如权利要求1所述的光纤,其中,沿所述光纤纵向方向的不均匀性包括阶式非直线。5.一种光纤,其中,在1383nm的波长段处沿所述光纤纵向方向的衰减损耗的不均匀性等于或小于0.10dB/km,衰减损耗的平均值等于或小于0.35dB/km,色散系数处在1.5至8.0ps/nmkm的范围内,最大单模截止波长为1340nm,以及在1383nm波长段处最大偏振模式色散为0.20ps/nmkm1/2。6.一种光纤制造方法,所述方法包括步骤(a)在将芯部表面的平均温度保持在等于或小于1000℃的水平、以及将根据烟灰预制棒生长长度的芯部表面温度变化保持在-10至10℃/cm范围内的同时,制造烟灰预制棒;(b)通过脱水、固化和玻璃化所述烟灰预制棒来制造光纤预制棒;以及(c)在19...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴世镐金镇汉都文显房成昱金允镐金镇杏
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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