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一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法技术

技术编号:26678775 阅读:40 留言:0更新日期:2020-12-12 02:12
本发明专利技术公开了一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法,其制备方法包括将将一定量的碳源和硅源加入到无水乙醇和蒸馏水的混合溶剂当中,添加一定量的镍催化剂和草酸,制备出凝胶溶液,然后烧培后得到SiC载体,在通过浸渍法制备出所需的Pt/CuO/SiC催化剂。该Pt/CuO/SiC催化剂应用于氧化一氧化碳,其催化剂催化效率高,催化剂活性的稳定性好,在连续反应100h后,其一氧化碳的转化率能达到100%。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法
本专利技术属于领域氧化一氧化碳的催化剂制备领域,具体涉及一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法。
技术介绍
一氧化碳氧化在二氧化碳激光器中气体纯化、CO气体探测器、呼吸用气体净化装置、消除封闭体系内微量CO以及空气污染控制尤其是汽车尾气控制中起重要作用,同时在石油化工中,多数烃类加工催化剂表面积焦致使催化剂性能变差以致失活、催化剂氧化再生过程也涉及到CO的催化氢化,而且CO氧化反应因其简单具有代表性。SiC晶格的基本结构单元是共价键结合的SiC4和CSi4配位四面体。四面体不同的堆积次序导致了SiC具有大量的多形体,立方和简六方堆积可同时在SiC中找到,即分别为α-SiC和β-SiC。SiC是一种高硬度,耐磨性和热稳定性好的一类材料。中国专利201510575607.7公开了一种一氧化碳低温氧化催化剂,属于氧化催化剂领域,其特征是,催化剂的化学式为:La1-xPrxNi1-yCoyO3,其中,x范围为:0.35-0.50、y范围为:0.28-0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法,其特征在于,其制备方法包括:/nS1:将碳源溶解于体积比为1:0.6~1.5的无水乙醇和蒸馏水混合溶剂Ⅰ中,在50~70℃下磁力搅拌,然后加入3~3.8wt%的镍催化剂,得到悬浊液;/nS2:将硅源加入到体积比为1:0.6~0.9无水乙醇和蒸馏水混合溶剂Ⅱ中,在50~60℃下磁力搅拌,然后加入10~15%的催化剂,然后加入步骤S1得到的悬浊液,继续搅拌使溶液慢慢变成凝胶,然后将凝胶放置在120℃干燥5h,得到干凝胶;/nS3:将步骤S2得到的干凝胶在惰性气体氛围下,以3℃/min的升温速率,加热到1000℃,然后再以2℃/min...

【技术特征摘要】
1.一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法,其特征在于,其制备方法包括:
S1:将碳源溶解于体积比为1:0.6~1.5的无水乙醇和蒸馏水混合溶剂Ⅰ中,在50~70℃下磁力搅拌,然后加入3~3.8wt%的镍催化剂,得到悬浊液;
S2:将硅源加入到体积比为1:0.6~0.9无水乙醇和蒸馏水混合溶剂Ⅱ中,在50~60℃下磁力搅拌,然后加入10~15%的催化剂,然后加入步骤S1得到的悬浊液,继续搅拌使溶液慢慢变成凝胶,然后将凝胶放置在120℃干燥5h,得到干凝胶;
S3:将步骤S2得到的干凝胶在惰性气体氛围下,以3℃/min的升温速率,加热到1000℃,然后再以2℃/min的升温速率加热到碳热还原温度1300~1800℃,在该温度下保温6~12h,取出,冷却,然后再在750~950℃焙烧2h,得到所需SiC载体;
S4:将步骤S3制备好的SiC载体浸于30~40wt%的Cu(NO3)2溶液当中,浸泡12h后过滤,在90~110℃干燥10h,然后在500~600℃焙烧5h,冷却后再浸泡在H2PtCl6溶液中12h,在90~110℃干燥10h,然后在550~650℃焙烧5h,得到所需Pt/CuO/SiC催化剂。


2.根据权利要求1所述的一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法,其特征在于,所述的碳源和硅源的质量体积比为0.5~0.6g:1mL;步骤S1中所述的碳源为蔗糖或淀粉中任意一个。


3.根据权利要求1所述的一种应用于一氧化碳氧化的Pt/CuO/SiC催化剂的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述混合溶剂Ⅰ中...

【专利技术属性】
技术研发人员:董燕飞
申请(专利权)人:董燕飞
类型:发明
国别省市:浙江;33

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