用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法技术

用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法，涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有ｎ↑［＋］型４Ｈ－ＳｉＣ衬底，在ｎ↑［＋］型４Ｈ－ＳｉＣ衬底上从下到上依次生长ＳｉＯ↓［２］层和Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］层，ＳｉＯ↓［２］层厚度为ｄ↓［１］＝λ／２ｎ↓［１］，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］层厚度为ｄ↓［２］＝λ／４ｎ↓［２］，入为光波长，ｎ↓［１］、ｎ↓［２］为ＳｉＯ↓［２］、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］的折射率。制备时，清洗衬底；将蒸发源和衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体；封闭蒸发腔腔体，抽真空，真空度至少３．０×１０↑［－３］Ｐａ；预熔蒸发源，同时通氧气，用电子束轰击蒸发源进行镀膜；对蒸发腔放气降温至室温，取出样品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学薄膜，尤其是涉及一种用于紫外光探测器的双层减反射薄膜的设计及其制造工艺。
技术介绍
减反射膜在光电探测器(PD)、发光二极管(LED)以及太阳能电池等半导体器件上有着广泛的应用。近年来，在军用和民用等领域具有重要应用价值的SiC基和GaN基紫外探测器已经研制成功。为了进一步提高紫外探测器的性能，紫外减反射膜的研究具有很重要的意义。为了获得具有高量子效率和响应度的探测器，应尽量减少紫外光在探测器光敏面的反射，以使光子能够最大限度地进入半导体内生成电子-空穴对。一般的方法是在探测器光敏面上生长一层光学厚度为1/4光波长的SiO2作为减反射膜，公开号为CN1309191的专利技术专利申请提供一种InSb红外焦平面列阵器件减反射膜淀积方法及专用掩膜架。但SiO2的缺点是抗离子玷污能力和抗辐射性能较差，尤其是这种单层减反射膜对4H-SiC衬底仍然具有高于3.0％的反射率，这对于高响应度探测器是不能满足其要求的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有的单层SiO2减反射膜存在效率低、抗离子玷污力差和抗辐射性能不强等缺点，提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于紫外光探测器的双层减反射膜，其特征在于设有ｎ↑［＋］型４Ｈ－ＳｉＣ衬底，在ｎ↑［＋］型４Ｈ－ＳｉＣ衬底上从下到上依次生长ＳｉＯ↓［２］层和Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］层，其中ＳｉＯ↓［２］层的厚度为ｄ↓［１］＝λ／２ｎ↓［１］，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］层的厚度为ｄ↓［２］＝λ／４ｎ↓［２］，其中λ为光波长，ｎ↓［１］、ｎ↓［２］分别为ＳｉＯ↓［２］、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］的折射率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴正云，张峰，朱会丽，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]