【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检查掩模的方法与装置相关申请的交叉引用本申请主张2018年3月26日申请的德国专利申请案DE102018107112.4的优先权。此申请案的内容以引用的方式并入本文。
本专利技术关于检查掩模的方法与装置。
技术介绍
掩模(特别是用于光刻)的检查是非常重要的，因为掩模上可能存在的缺陷可能导致相当大的部件产量无法使用。此处特别的挑战为具有相对大尺寸的掩模的掩模检查，例如用于制造平板屏幕或在这种平板屏幕中所需的导体轨道、驱动系统等的光刻生产。关于这种平板屏幕的尺寸，以及通常用于光刻生产的“复制系统”(具有1∶1的成像比例)，相关的掩模可具有例如一个或多平方米的数量级的尺寸。为了表征掩模，除其他外，已知用单色照明辐射来照明掩模，且在存在于掩模上的结构的衍射图案(在程序中被记录)中，确定相邻衍射级的最大值的强度的强度商值。以这种方式，例如，如图10a中的示意图所示，有可能在均匀“间距”的假设下检测掩模上的线宽(CD)的变化。在此情况下，“间距”应理解为表示(根据惯用术语)存在于掩模上的周期性结构的周期性...
【技术保护点】
1.一种检查掩模的方法，其基于电磁辐射在该掩模处衍射之后的强度的测量，其中该方法包含以下步骤：/na.测量由于在至少一个衍射级的衍射而在光瞳平面中在照明该掩模上存在的掩模结构(11，21)时产生的第一强度分布(14，24)，其中该衍射级为第+1级衍射、第-1级衍射或更高级的衍射；/nb.测量由于在该衍射级的衍射而在该光瞳平面中在照明参考结构(10，20)时产生的第二强度分布(13，23)；以及/nc.基于该第一强度分布(14，24)和该第二强度分布(13，23)之间的差异，识别该掩模上所存在的该掩模结构(11，21)的横向偏移或局部间距变化的至少一个区域。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180326 DE 102018107112.41.一种检查掩模的方法，其基于电磁辐射在该掩模处衍射之后的强度的测量，其中该方法包含以下步骤：
a.测量由于在至少一个衍射级的衍射而在光瞳平面中在照明该掩模上存在的掩模结构(11，21)时产生的第一强度分布(14，24)，其中该衍射级为第+1级衍射、第-1级衍射或更高级的衍射；
b.测量由于在该衍射级的衍射而在该光瞳平面中在照明参考结构(10，20)时产生的第二强度分布(13，23)；以及
c.基于该第一强度分布(14，24)和该第二强度分布(13，23)之间的差异，识别该掩模上所存在的该掩模结构(11，21)的横向偏移或局部间距变化的至少一个区域。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c)包含以下步骤：
-基于该第一强度分布(14，24)和该第二强度分布(13，23)之间的该差异计算该差异分布(15，25)；以及
-基于该差异分布(15，25)识别存在该掩模结构(11，21)的横向偏移或局部间距变化的至少一个区域。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，识别该区域是基于在该差异分布(15，25)中的最大值和最小值之间的差异来执行的。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤c)包含以下步骤：
-确定该第一强度分布(14，24)和该第二强度分布(13，23)之间的强度质心的移位；以及
-基于该移位，识别该掩模上所存在的该掩模...
【专利技术属性】
技术研发人员：T特劳茨施，T米尔德，JF布伦里赫，M莱恩格尔，U布特格雷特，D西马科夫，H塞茨，T塔勒，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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