【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种由半导体衬底的主体制造光学透镜的工艺。
技术介绍
在日本专利公开No.55-13960中公开了一种现有技术,其涉及一种通过 阳极化在半导体衬底的表面上制造微结构的工艺。阳极化用于在电解液中氧 化衬底的上表面。以与阳极的排列相对应的图案,选择性地在上表面中进行 氧化。该阳极独立于衬底而形成,并且与衬底的下表面保持接触,从而在衬 底的上表面上部分地留下氧化部分。此后,去除氧化部分,以在衬底的上表 面留下凸起。这种技术足以形成相对薄的轮廓或深度小的表面不规则物。但 是,已经发现实际上很难得到在制造光学透镜时所需要的具有平滑曲面的厚 轮廓,这是因为氧化部分起到介电阻隔物的作用而阻挡阳极电流通过衬底, 从而抑制氧化部分在衬底厚度方向上的生长。因此,为了获得具有准确设计 的曲线外形的厚轮廓,不仅仅需要重复阳极化上表面以局部形成氧化部分、 然后去除氧化部分这些步骤,还需要在各个步骤中使用不同排列的阳极。在 这方面,已经发现上述现有技术不能用于制造具有足够厚度的光学透镜。日本专利公开No.2000-263556公开了另一现有技术,其涉及一种用于制造微光学透镜模 ...
【技术保护点】
一种制造光学透镜的工艺,所述工艺包括以下步骤:制备半导体衬底,所述半导体衬底具有彼此相对的平坦上表面和平坦下表面;在所述下表面上形成阳极;将所述半导体衬底放置在电解液中;使电流在所述阳极与所述电解液中的阴极之 间流动,以转换所述半导体衬底的上表面使各部分之间深度不同,在所述上表面内留下多孔层;以及从所述半导体衬底中去除所述多孔层,以在所述上表面上留下曲面;其特征在于:所述阳极被沉积并在所述下表面上以得到加固的结构,并配置为 提供电场强度的预定分布,所述电场强度穿过所述 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:本多由明,西川尚之,
申请(专利权)人:松下电工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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