一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光功率调节方法，包括：检测第一光功率及第一电流；根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率；根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流；控制所述第一调制电流保持不变，并调节偏置电流，直至当前光功率与所述第二光功率相等，若检测的当前电流值满足预设的设备安全运行条件，则发射光功率为所述第二光功率。本发明专利技术实施例还公开了一种光功率调节装置、存储介质及ONU设备，能在设备温度升高的情况下,保证ONU设备的安全运行，同时能够满足光功率和消光比的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备
本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备。
技术介绍
目前，光模块的光电二极管(PD)检测到半导体激光器(LD)发出的光，将光信号转换MPD电流并提供给光芯片，光模块的光芯片通过改变半导体激光器的偏置电流来控制维持背光电流(即MPD电流)的大小，从而维持光功率的恒定。但是，在现有技术中，对于同一目标光功率，高温时需要的半导体激光器的电流要大于的常温，而电流过大可能会导致两个问题：一是电流较大时ONU设备的突发时间会上升(协议要求GPONONU的上升时间小于12.8ns)，二是电流太大会影响到TOSA的使用寿命，甚至破坏TOSA。因此，如何调节半导体激光器的电流，既能满足光功率和消光比的要求，又能不损坏ONU设备，是当前面对的主要问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备，能在设备温度升高的情况下,保证ONU设备的安全运行，同时能够满足光功率和消光比的要求。本专利技术一实施例提供一种光功率调节方法，包括：控制光模块检测第一光功率及第一电流；根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率；根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流；控制所述第一调制电流保持不变，并调节偏置电流，直至当前光功率与所述第二光功率相等，控制所述第一调制电流保持不变，并调节偏置电流，直至当前光功率与所述第二光功率相等，若检测的当前电流值满足预设的设备安全运行条件，则发射光功率为所述第二光功率。作为上述方案的改进，所述根据所述第一电流值控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率，具体包括：判断所述第一电流值是否满足预设的设备安全运行条件；响应于判断结果为不满足预设的设备安全运行条件，则对应的调节为第二光功率。作为上述方案的改进，所述方法还包括：响应于判断结果为满足预设的设备安全运行条件，则所述发射光功率为所述第一光功率。作为上述方案的改进，在所述响应于判断结果为不满足预设的设备安全运行条件，则对应的调节为第二光功率之后，还包括：判断所述第二光功率是否大于预设的第一光功率阈值；其中，所述第一光功率阈值包括：光功率偏移量以及最低光功率；响应于判断结果为大于预设的第一光功率阈值，则允许所述第一光功率调节为所述第二光功率；响应于判断结果为小于预设的第一光功率阈值，则结束光功率调节。作为上述方案的改进，所述预设的设备安全运行条件，具体为：小于满足设备突发时间要求时的最大电流。作为上述方案的改进，所述方法通过以下步骤获取预设的光功率与调制电流对应关系，具体包括：在同一温度且同一目标消光比情况下选取若干个目标光功率；通过维持偏置电流不变，调节调制电流直至光功率达到目标光功率，以得到目标光功率对应的调制电流；根据若干目标光功率以及对应的调制电流计算出预设的光功率与调制电流对应关系。本专利技术另一实施例对应提供了一种光功率调节装置，包括：第一检测模块，用于控制光模块检测第一光功率及第一电流；第一调节模块，用于根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率；查找模块，用于根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流；光功率调节模块，用于控制所述第一调制电流保持不变，并调节偏置电流，直至当前光功率与所述第二光功率相等，若检测的当前电流值满足预设的设备安全运行条件，则发射光功率为所述第二光功率。作为上述方案的改进，所述第一调节模块包括：第一判断模块，用于判断所述第一电流值是否满足预设的设备安全运行条件；第一响应模块，用于响应于判断结果为不满足预设的设备安全运行条件，则对应的调节为第二光功率本专利技术另一实施例提供了一种存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行上述专利技术实施例所述的光功率调节方法。本专利技术另一实施例提供了一种ONU设备，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述专利技术实施例所述的光功率调节方法。与现有技术相比，本专利技术实施例公开的一种光功率调节方法、装置、存储介质及ONU设备，由于检测第一光功率及第一电流，并通过第一电流调整第一光功率，以得到第二光功率。根据当前温度、当前消光比选择预设的光功率与调制电流关系，在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流，再通过调节偏置电流，直至当前光功率与所述第二光功率相等。此时，控制光模块检测当前电流，若当前电流满足预设的设备安全运行条件，则发射光功率为所述第二光功率。可见，由于对电流是否满足预设的设备安全运行条件进行判断，即使设备温度升高,也可以保证ONU设备的安全运行，同时能够满足光功率和消光比的要求。附图说明图1是本专利技术一实施例提供的一种光功率调节方法的流程示意图；图2是本专利技术一实施例提供的Imod-Pm折线图；图3是本专利技术一实施例提供的一种光功率调节方法的具体流程示意图；图4是本专利技术一实施例提供的一种光功率调节装置的结构示意图；图5是本专利技术一实施例提供的一种ONU设备的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图1，是本专利技术一实施例提供的一种光功率调节方法的流程示意图。本专利技术一实施例提供一种光功率调节方法，包括：S10，控制光模块检测第一光功率及第一电流。需要说明的是，在本实施例中，以ONU设备为例进行说明，设备的控制端为光控制器，具体可以为光芯片。示例性地，光芯片通过光模块(BOSA)检测第一光功率及第一电流。其中，第一电流为流过半导体激光器的电流。S20，根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率。需要说明的是，可以是光芯片中预先存储了电流阈值，第一电流超过电流阈值则对第一光功率进行修改；还可以是光芯片中预先存储了多个电流区间，根据第一电流所在的区间对第一光功率进行对应的调节；亦或是光芯片中预先存储了若干电流值，每个电流值不同对应调节的光功率不同。S30，根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流。具体地，温度不同预设的光功率与调制电流关系不同。在本实施例中，每隔5度设置有一个光功率与调制电流关系，需要说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光功率调节方法，其特征在于，包括：/n检测第一光功率及第一电流；/n根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率；/n根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流；/n控制所述第一调制电流保持不变，并调节偏置电流，直至当前光功率与所述第二光功率相等，若检测的当前电流值满足预设的设备安全运行条件，则发射光功率为所述第二光功率。/n

【技术特征摘要】
1.一种光功率调节方法，其特征在于，包括：
检测第一光功率及第一电流；
根据所述第一电流控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率；
根据当前温度、当前消光比及所述第二光功率在预设的光功率与调制电流关系中查找对应的第一调制电流；
控制所述第一调制电流保持不变，并调节偏置电流，直至当前光功率与所述第二光功率相等，若检测的当前电流值满足预设的设备安全运行条件，则发射光功率为所述第二光功率。


2.如权利要求1所述的光功率调节方法，其特征在于，所述根据所述第一电流值控制所述第一光功率进行对应的调节，以得到第二光功率，具体包括：
判断所述第一电流值是否满足预设的设备安全运行条件；
响应于判断结果为不满足预设的设备安全运行条件，则对应的调节为第二光功率。


3.如权利要求2所述的光功率调节方法，其特征在于，所述方法还包括：
响应于判断结果为满足预设的设备安全运行条件，则所述发射光功率为所述第一光功率。


4.如权利要求2所述的光功率调节方法，其特征在于，在所述响应于判断结果为不满足预设的设备安全运行条件，则对应的调节为第二光功率之后，还包括：
判断所述第二光功率是否大于预设的第一光功率阈值；其中，所述第一光功率阈值包括：光功率偏移量以及最低光功率；
响应于判断结果为大于预设的第一光功率阈值，则允许所述第一光功率调节为所述第二光功率；
响应于判断结果为小于预设的第一光功率阈值，则结束光功率调节。


5.如权利要求1所述的光功率调节方法，其特征在于，所述预设的设备安全运行条件，具体为：
小于满足设备突发时间要求时的最大电流。


6.如权利要求1所述的光功率调节方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉伟，
申请(专利权)人：深圳市普威技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44