混合驱动电路制造技术

一种混合驱动电路，根据输入信号驱动并联耦接的第一特性晶体管与第二特性晶体管，且混合驱动电路包括第一导通路径、第一关断路径、第二导通路径及第二关断路径。第一导通路径与第二导通路径产生第一延迟时间，第一延迟时间使第一特性晶体管延后导通。第一关断路径与第二关断路径产生第二延迟时间，第二延迟时间使第二特性晶体管延后关断。

【技术实现步骤摘要】
混合驱动电路
本专利技术有关一种混合驱动电路，特别涉及一种驱动不同特性晶体管的混合驱动电路。
技术介绍
在电力电子的领域中，绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor；IGBT)与金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor；MOSFET)为常见的功率开关元件。若是考虑切换频率，绝缘栅双极晶体管通常适用于20kHz以下的开关电路，而切换频率若是在20kHz以上通常是利用金属氧化物半导体场效晶体管作为开关电路。以切换频率作为功率开关元件的选择，其主要原因是不同开关元件特性对于效率的影响。具体而言，绝缘栅双极晶体管的导通损失(conductionlosses)较低，切换损失(switchinglosses)较高。其利用在高频切换时，较高的切换损失会消耗较多的功率(金属氧化物半导体场效晶体管恰巧相反)，造成效率的低落。但是，在开关电路的设计中，大多仅选择单一种类的功率开关元件。为了缩小电路体积，更高的切换频率已是趋势，然而单一特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种混合驱动电路，根据一输入信号驱动并联耦接的一第一特性晶体管与一第二特性晶体管，该混合驱动电路包括：/n一第一支路，包括：/n一第一导通路径，根据该输入信号的一上升沿导通该第一特性晶体管；及/n一第一关断路径，根据该输入信号的一下降沿关断该第一特性晶体管；及/n一第二支路，包括：/n一第二导通路径，根据该上升沿导通该第二特性晶体管；及/n一第二关断路径，根据该下降沿关断该第二特性晶体管；/n其中，该第一导通路径与该第二导通路径产生一第一延迟时间，该第一延迟时间使该第一特性晶体管延后导通；该第一关断路径与该第二关断路径产生一第二延迟时间，该第二延迟时间使该第二特性晶体管延后关断。/n

【技术特征摘要】
1.一种混合驱动电路，根据一输入信号驱动并联耦接的一第一特性晶体管与一第二特性晶体管，该混合驱动电路包括：
一第一支路，包括：
一第一导通路径，根据该输入信号的一上升沿导通该第一特性晶体管；及
一第一关断路径，根据该输入信号的一下降沿关断该第一特性晶体管；及
一第二支路，包括：
一第二导通路径，根据该上升沿导通该第二特性晶体管；及
一第二关断路径，根据该下降沿关断该第二特性晶体管；
其中，该第一导通路径与该第二导通路径产生一第一延迟时间，该第一延迟时间使该第一特性晶体管延后导通；该第一关断路径与该第二关断路径产生一第二延迟时间，该第二延迟时间使该第二特性晶体管延后关断。


2.如权利要求1所述的混合驱动电路，其中该第一支路包括串联耦接的一第一二极管与一第一电阻、串联耦接的一第二二极管与一第二电阻，该第一二极管与该第二二极管设置为不同的电流导通方向；该第一二极管与该第一电阻构成该第一导通路径，且该第二二极管与该第二电阻构成该第一关断路径。


3.如权利要求2所述的混合驱动电路，其中该第二支路包括串联耦接的一第三二极管与一第三电阻，以及一放电电路，该放电电路包括：
一第四电阻，耦接该第三二极管与该第三电阻；
一第一电容，耦接该第四电阻；
一第五电阻，耦接该第四电阻与该第一电容；及
一第四二极管，耦接该第五电阻；
其中，该第三二极管与该第四二极管设置为不同的电流导通方向，且该第三二极管与该第三电阻构成该第二导通路径，该第三电阻、该第四电阻、该第五电阻及该第四二极管构成该第二关断路径。


4.如权利要求3所述的混合驱动电路，其中该第一电阻的电阻值大于该第三电阻的电阻值，使该第一电阻所提供的一充电时间较该第三电阻长，以产生该第一延迟时间。


5.如权利要求3所述的混合驱动电路，其中该第三电阻、该第四电阻及该第五电阻总和的电阻值大于该第二电阻的电阻值，使该第三电阻、该第四电阻、该第五电阻与该第一电容所提供的一放电时间较该第二电阻长，以产生该第二延迟时间。


6.如权利要求1所述的混合驱动电路，其中该第一支路包括：
一第五二极管；
一第六电阻，并联耦接该第五二极管；及
一第二电容，耦接该第五二极管与该第六电阻；及
该第二支路包括：
一第六二极管，与该第五二极管设置为不同的电流导通方向；
一第七电阻，并联耦接该第六二极管；及
一第三电容，耦接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雷鸣，林信晃，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71