【技术实现步骤摘要】
脉冲宽度调制控制芯片和电源转换系统
本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种脉冲宽度调制控制芯片和电源转换系统。
技术介绍
传统芯片高压启动方案，HV引脚一般通过二极管连接在AC端或者直接连接至Bulk电容。在芯片上电之后，HV引脚通过芯片内部充电电路对VDD电容进行充电；当VDD电压上升至芯片启动阈值时，充电电路断开，高压启动结束，芯片开始工作，系统启动；接下来，随着输出电压的上升，辅助绕组接管对VDD引脚的供电。这种高压启动的好处是启动速度快，启动后充电电路断开，有利于降低芯片的功耗。在系统工作后仅由辅助绕组对VDD引脚进行供电。然而，在大动态负载或者空载情况下，受输出反馈的调节，芯片会进入停打GATE状态，此时辅助绕组没有供电，芯片供电完全由VDD电容维持，当VDD电压减小至芯片强打阈值时，芯片进入强打模式，导致输出电压出现漂高问题，尤其在低温恶劣的工作条件下，由于VDD电容容值减小而导致VDD电压下降斜率加快，从而出现芯片供电不足的问题，进而触发欠压保护。
技术实现思路
本专利技术...
【技术保护点】
1.一种脉冲宽度调制控制芯片，包括：/n充电电路，用于利用所述芯片的HV引脚对所述芯片的供电引脚进行充电；/nVDD检测电路，用于在动态负载或空载时，当检测到VDD电压下降至第一预设阈值时，输出第一开关信号；以及/n第一充电控制器，用于基于所述第一开关信号使得所述充电电路导通。/n
【技术特征摘要】
1.一种脉冲宽度调制控制芯片，包括：
充电电路，用于利用所述芯片的HV引脚对所述芯片的供电引脚进行充电；
VDD检测电路，用于在动态负载或空载时，当检测到VDD电压下降至第一预设阈值时，输出第一开关信号；以及
第一充电控制器，用于基于所述第一开关信号使得所述充电电路导通。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
所述VDD检测电路还用于在动态负载或空载时，当检测到所述VDD电压上升至第二预设阈值时，输出第二开关信号；
所述第一充电控制器还用于基于所述第二开关信号使得所述充电电路断开。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述供电引脚为所述芯片的VDD引脚，所述充电电路包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接至所述HV引脚，所述第一晶体管的栅极接地；
第一电阻模块，所述第一电阻模块的一端连接至所述第一晶体管的源极；以及
第一开关模块，所述第一电阻模块的另一端连接至所述第一开关模块的一端，所述第一开关模块的另一端经由所述VDD引脚连接至所述VDD检测电路的输入端，所述第一开关模块的又一端连接至所述第一充电控制器的输出端，并且所述第一充电控制器的输入端连接至所述VDD检测电路的输出端。
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一充电控制器还用于在所述芯片上电时使得所述充电电路导通，并且在所述VDD电压上升至第三预设阈值时使得所述充电电路断开。
5.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述供电引脚为所述芯片的V10引脚，所述芯片还包括：
第一V10检测电路，用于在动态负载或空载时，当检测到V10电压大于第四预设阈值时，输出第三开关信号；其中，
所述第一充电控制器还用于基于所述第二开关信号或所述第三开关信号使得所述充电电路断开。
6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述充电电路包括：
第二晶体管，所述第二晶体管的漏极连接至所述HV引脚，所述第二晶体管的栅极接地；
第二电阻模块，所述第二电阻模块的一端连接至所述第二晶体管的源极；以及
第二开关模块，所述第二电阻模块的另一端连接至所述第二开关模块的一端，所述第二开关模块的另一端经由所述V10引脚连接至所述第一V10检测电路，所述第二开关模块的又一端连接至所述第一充电控制器的输出端，并且所述第一充电控制器的两个输入端分别连接至所述VDD检测电路的输出端和所述第一V10检测电路的一个输出端。
7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述第一V10检测电路包括：
第一V10检测器，所述第一V10检测器的输入端连接至所述V10引脚，所述第一V10检测器的一个输出端用于输出第四开关信号；以及
第一计时器，所述第一计时器的输入端连接至...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨彭林，黄晓敏，林元，孙运，
申请(专利权)人：昂宝电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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