【技术实现步骤摘要】
功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置
本专利技术的一个方式涉及一种功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置或半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
技术介绍
已知如下高效率有机EL微显示器，其中重点是使用微透镜阵列的外部提取效率的提高，与现有的有机发光二极管相比，效率提高到3倍(非专利文献1)。已知使用能够利用真空蒸镀工序形成的纳米透镜阵列将红色有机发光二极管的电流效率提高到1.57倍的技术(非专利文献2)。已知使用在分隔壁的内部填充具有高折射率的填料来...
【技术保护点】
1.一种包括第一像素的功能面板，该第一像素包括：/n构成为发射第一光的发光器件；以及/n构成为收集所述第一光的微透镜阵列，该微透镜阵列包括多个微透镜，/n其中，所述微透镜的每一个在平行于所述发光器件的平面上包括具有所述微透镜以其填充率比圆形高的方式配置的形状的截面，/n所述微透镜的每一个在与平行于所述发光器件的所述平面正交的平面上具有曲面，/n并且，所述曲面的凸部一侧朝向所述发光器件。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190605 JP 2019-105180;20190605 JP 2019-1051811.一种包括第一像素的功能面板，该第一像素包括：
构成为发射第一光的发光器件；以及
构成为收集所述第一光的微透镜阵列，该微透镜阵列包括多个微透镜，
其中，所述微透镜的每一个在平行于所述发光器件的平面上包括具有所述微透镜以其填充率比圆形高的方式配置的形状的截面，
所述微透镜的每一个在与平行于所述发光器件的所述平面正交的平面上具有曲面，
并且，所述曲面的凸部一侧朝向所述发光器件。
2.根据权利要求1所述的功能面板，其中所述微透镜为菲涅尔透镜。
3.根据权利要求1所述的功能面板，还包括绝缘膜，
其中所述绝缘膜包括开口，
所述开口与所述发光器件彼此重叠，
所述开口在侧壁具有倾斜面，
并且所述倾斜面向所述微透镜反射所述第一光。
4.根据权利要求1所述的功能面板，
其中所述第一像素包括颜色转换层，
所述微透镜夹在所述发光器件与所述颜色转换层之间，
所述微透镜构成为收集所述第一光且将所述第一光集聚于所述颜色转换层，
所述颜色转换层构成为将所述第一光转换为第二光，
并且所述第二光的光谱的峰值波长大于所述第一光的光谱的峰值波长。
5.根据权利要求4所述的功能面板，其中所述颜色转换层包含量子点及透光性树脂。
6.根据权利要求1所述的功能面板，还包括遮光层，
其中所述遮光层包括开口，
并且所述开口与所述发光器件彼此重叠。
7.根据权利要求4所述的功能面板，还包括着色层，
其中所述着色层具有比所述第二光的透过率低的所述第一光的透过率。
8.根据权利要求1所述的功能面板，
其中所述发光器件包括第一层、第二层、第三层及第四层，
所述第三层夹在所述第二层与所述第四层之间，
所述第二层夹在所述第一层与所述第三层之间，
所述第一层包含第一材料及第二材料，
所述第二层包含第三材料，
所述第三层包含发光性材料及第四材料，
所述第四层包含第五材料及第六材料，
所述第一材料具有-5.7eV以上且-5.4eV以下的HOMO能级，
所述第二材料具有受体性，
所述第三材料具有比所述第一材料低的HOMO能级，
所述第四材料具有比所述第三材料低的HOMO能级，
所述第五材料具有-6.0eV以上的HOMO能级，
并且所述第六材料为碱金属的有机配合物或碱土金属的有机配合物。
9.根据权利要求8所述的功能面板，其中在电场强度为36000V/cm时所述第五材料的电子迁移率为1×10-7cm2/Vs以上且5×10-5cm2/Vs以下。
10.根据权利要求9所述的功能面板，
其中所述发光器件包括第一发光单元、第二发光单元及中间层，
所述中间层包括夹在所述第一发光单元与所述第二发光单元之间的区域，
并且所述中间层将空穴供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的一个且将电子供应给所述第一发光单元和所述第二发光单元中的另一个。
11.根据权利要求10所述的功能面板，还包括一组像素，
其中所述一组像素包括所述第一像素及第二像素，
技术研发人员：山崎舜平，江口晋吾，楠纮慈，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。