位线预充电电路制造技术

本文描述的各种实现针对具有位单元的阵列的器件，所述位单元的阵列具有耦接到所述位单元的列的位线。该器件可以包括一个或多个开关结构，所述一个或多个开关结构耦接在位线和供电电压之间，并且所述开关结构可以被配置为在被激活时将所述位线预充电到所述供电电压。在一些情况下，供电电压可以指的是地或具有接近或等于零伏(0V)的电压的与地有关的电压。

【技术实现步骤摘要】
位线预充电电路
本公开涉及一种位线预充电电路。
技术介绍
本节旨在提供与理解本文所述的各种技术有关的信息。正如本节的标题所暗示的，这是对相关技术的讨论，并不暗示其是现有技术。通常，相关技术可以被认为或可以不被认为是现有技术。因此，应该理解，应该从这个角度来阅读本节中的任何陈述，而不是作为对现有技术的任何承认。在常规电路设计中，由于弱的传输门控(passgate)，所以高密度位单元通常表现出过多的写入时间。这可能会限制存储器的周期时间，并且写辅助的时序复杂性可能会导致在低电压或高电压拐角处发生写故障。而且，在一些情况下，将位线可操作地预充电到高压电源(例如，Vdd)可能会使用总动态功率的很大一部分。因此，需要减小预充电功率，从而减小存储器的总体动态功率。
技术实现思路
本公开提供了一种器件，包括：位单元的阵列，具有耦接到所述位单元的列的位线；以及开关结构，所述开关结构耦接在所述位线和供电电压之间，其中，所述开关结构在被激活时将所述位线预充电到所述供电电压。附图说明在本文中参考附图描述各种技术的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：/n位单元的阵列，具有耦接到所述位单元的列的位线；以及/n开关结构，所述开关结构耦接在所述位线和供电电压之间，其中，所述开关结构在被激活时将所述位线预充电到所述供电电压。/n

【技术特征摘要】
20190607 US 16/435,4251.一种器件，包括：
位单元的阵列，具有耦接到所述位单元的列的位线；以及
开关结构，所述开关结构耦接在所述位线和供电电压之间，其中，所述开关结构在被激活时将所述位线预充电到所述供电电压。


2.根据权利要求1所述的器件，还包括：耦接到所述位单元的行的字线，其中，所述阵列中的每个位单元是能够经由所述字线中的选定的字线和所述位线中的选定的位线访问的。


3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述供电电压指的是具有接近零伏0V的电压的地。


4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述开关结构利用预充电信号进行激活，从而在读操作或写操作之前或之后将所述位线预充电到地。


5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述位线包括第一位线和作为所述第一位线的互补的第二位线。


6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述开关结构包括N型晶体管，所述N型晶体管具有耦接到所述位线的漏极和耦接到所述供电电压的源极，所述供电电压指的是地。


7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述N型晶体管利用耦接到其栅极的预充电信号进行激活。


8.根据权利要求7所述的器件，其中，在读操作或写操作之前或之后，利用所述预充电信号激活所述N型晶体管，从而将所述位线预充电到地。


9.一种系统，包括：
存储器电路，所述存储器电路具有按照列和行布置的位单元的多个阵列；
多组互补位线，所述互补位线耦接到所述位单元的列；
字线，所述字线耦接到所述位单元的行；以及
预充电电路，所述预充电电路具有耦接在所述互补位线和地之间的多组预充电晶体管，其中，所述预充电晶体管被配置为在被激活时将所述互补位线放电到地。


10.根据权利要求9所述的系统，还包括：
列复用器电路，所述列复用器电路耦接到所述多组互补位线，
其中，所述列复用器电路被配置为利用所述字线中的选定的字线和所述多组互补位线中的选...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉雷特·古普塔，戈拉维·拉坦·辛格拉，法赫尔丁·阿里·博赫拉，施里·萨加尔·德维韦迪，
申请(专利权)人：ARM有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB