一种新型多音阶手碟的制作方法,属于手碟技术领域。其特征在于:所述的Ding音区(2)位于A3音区(3)和A4音区(10)之间,且Ding音区(2)与A3音区(3)的距离小于Ding音区(2)与A4音区(10)的距离,在所述的Ding音区(2)和A4音区(10)之间设置有扩展音区,A4音区(10)、扩展音区、Ding音区(2)以及A3音区(3)在手碟主体(1)上间隔均布。本新型多音阶手碟的制作方法的Ding音区摆放位置大幅度向A3音区偏移,有效改善了由于Ding音区摆放于手碟正中心,导致预留空间不足而出现的音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种新型多音阶手碟的制作方法
一种新型多音阶手碟的制作方法,属于手碟
技术介绍
星盘手碟(Handpan)是一种打击乐器,由两个半球型的钢板通过成型过程组合而成,形同UFO。其上部有数个音区,中心点为基础音,即Ding音区,其余的音环绕分布。底部的中心有个孔,为Gu音孔,也作为调音用。演奏者将星盘手碟置于盘腿上(也可置于立架上),以手指敲击出声。通常手碟上的音区越多,手碟的音域越广,因此为了增加手碟的音域,通常会在手碟的Ding音区与环绕音区之间增加音区,但是由于现有的手碟因Ding音区摆放于手碟正中心而存在预留空间不足,导致经常出现音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种Ding音区向A3音区偏移,为拓宽音域预留出足够的调音和共振空间的新型多音阶手碟的制作方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:该新型多音阶手碟,包括手碟主体以及设置在手碟主体顶部的Ding音区和环绕音区,环绕音区包括设置在手碟主体相对两侧的A3音区和A4音区,其制作方法为,将Ding音区设置于A3音区和A4音区之间,且Ding音区与A3音区的距离小于Ding音区与A4音区的距离,在所述的Ding音区和A4音区之间设置有扩展音区,A4音区、扩展音区、Ding音区以及A3音区在手碟主体上间隔均布。优选的,对所述的手碟主体进行锻打,锻打完成后进行一次淬火;对一次淬火后的手碟主体进行粗调音,然后再进行二次淬火,对二次淬火后的手碟主体进行精确调音后再进行三次淬火。优选的,所述的一次淬火的温度为400℃,淬火时间为120min;二次淬火的温度为300℃,淬火时间为180min;三次淬火的温度为1400~1600℃,淬火时间为3min。优选的,通过钢锤沿着各音区的边界对所述手碟主体持续锻打。优选的,所述的Ding音区与A3音区的距离为3~4cm。Ding音区与A3音区的距离为3~4cm,在Ding音区与A4音区之间预留出足够的空间,方便了扩展音区的设置。优选的,所述的扩展音区包括设置在Ding音区和A4音区之间的C5音区,以及设置在C5音区两侧的D5音区和E5音区。C5音区的长轴两端分别指向A3音区和A4音区,D5音区和E5音区的长轴的端部均指向C5音区,便于鼓手在快节奏演奏中瞬间找出需要的音阶,有效降低出错率。优选的,所述的C5音区与A4音区的距离为3.5mm,Ding音区与A3音区的距离也为3.5cm。Ding音区距离A3音区的距离缩短到3.5cm,这样做除了为扩展音区预留更多的空间之外,还能有效照顾到手小的演奏者,可以更加轻松的在两个低音区之间来回切换击打。优选的,所述的环绕音区还包括设置在手碟主体一侧的Bb3音区、D4音区和F4音区,以及设置在手碟主体相对的一侧的C4音区、E4音区和G4音区。优选的,所述的手碟主体底部的Gu音孔设置在手碟主体的下侧中部,环绕Gu音孔设置有朝向手碟主体内的弧形的内翻边。与现有技术相比,本专利技术所具有的有益效果是:本新型多音阶手碟的制作方法的手碟的Ding音区与A3音区的距离小于Ding音区与A4音区的距离,使Ding音区摆放位置大幅度向A3音区偏移,为拓宽音域而增加的音阶预留出足够的调音和共振空间,扩展音区设置在Ding音区与A4音区之间,避免了扩展音域与Ding音区或与A4音区之间发生串音,有效改善了由于Ding音区摆放于手碟正中心而导致预留空间不足,出现音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等问题。附图说明图1为新型多音阶手碟的俯视示意图。图2为手碟主体下部的主视剖视示意图。图中:1、手碟主体2、Ding音区3、A3音区4、Bb3音区5、C4音区6、D4音区7、E4音区8、F4音区9、G4音区10、A4音区11、C5音区12、D5音区13、E5音区14、Gu音孔1401、内翻边。具体实施方式图1~2是本专利技术的最佳实施例,下面结合附图1~2对本专利技术做进一步说明。一种新型多音阶手碟,包括手碟主体1以及设置在手碟主体1顶部的Ding音区2和环绕音区,环绕音区包括设置在手碟主体1相对两侧的A3音区3和A4音区10,Ding音区2位于A3音区3和A4音区10之间,且Ding音区2与A3音区3的距离小于Ding音区2与A4音区10的距离。本新型多音阶手碟的Ding音区2与A3音区3的距离小于Ding音区2与A4音区10的距离,使Ding音区2摆放位置大幅度向A3音区3偏移,为拓宽音域而增加的音阶预留出足够的调音和共振空间,有效改善了由于Ding音区2摆放于手碟正中心,导致预留空间不足而出现音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等问题。下面结合具体实施例对本专利技术做进一步说明,然而熟悉本领域的人们应当了解,在这里结合附图给出的详细说明是为了更好的解释,本专利技术的结构必然超出了有限的这些实施例,而对于一些等同替换方案或常见手段,本文不再做详细叙述,但仍属于本申请的保护范围。具体的:如图1~2所示:A3音区3设置在手碟主体1的右侧,A4音区10设置在手碟主体1的左侧,A3音区3和A4音区10正对设置,并位于手碟主体1相对的两侧。Ding音区2位于A3音区3和A4音区10之间,且Ding音区2为椭圆形,Ding音区2的短轴的两端分别指向A3音区3和A4音区10。Ding音区2的中部设置有上凸的Ding音区敲击部,A3音区3和A4音区10的中部设置有内凹的环绕音区音槽。环绕音区还包括设置在手碟主体1一侧的Bb3音区4、D4音区6和F4音区8,以及设置在手碟主体1相对的一侧的C4音区5、E4音区7和G4音区9。其中Bb3音区4、D4音区6和F4音区8设置在手碟主体1的下侧,并位于A3音区3和A4音区10之间,并沿由A3音区3至A4音区10的方向依次间隔设置;C4音区5、E4音区7和G4音区9设置在手碟主体1的上侧,并位于A3音区3和A4音区10之间,并沿由A3音区3至A4音区10的方向依次间隔设置。A3音区3、A4音区10、Bb3音区4、D4音区6,F4音区8、C4音区5、E4音区7和G4音区9均为椭圆形,且A3音区3、A4音区10、Bb3音区4、D4音区6,F4音区8、C4音区5、E4音区7和G4音区9的长轴的两端分别指向与其相邻的环绕音区。A3音区3、A4音区10、Bb3音区4、D4音区6,F4音区8、C4音区5、E4音区7和G4音区9的中部均设置有中部内凹的弧形的环绕音区音槽。本新型多音阶手碟还包括扩展音区,扩展音区设置在A4音区10和Ding音区2之间。扩展音区包括C5音区11、D5音区12以及E5音区13,C5音区11、D5音区12以及E5音区13均为椭圆形,且C5音区11、D5音区12以及E5音区13中部均设置有中部内凹的弧形的扩展音区音槽。C5音区11位于A4音区10和Ding音区2之间,且C5音区的长轴的两端分别指向Ding音区2和A4音区10。D5本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种新型多音阶手碟的制作方法,手碟包括手碟主体(1)以及设置在手碟主体(1)顶部的Ding音区(2)和环绕音区,其特征在于:环绕音区包括设置在手碟主体(1)相对两侧的A3音区(3)和A4音区(10),所述的Ding音区(2)设置于A3音区(3)和A4音区(10)之间,且Ding音区(2)与A3音区(3)的距离小于Ding音区(2)与A4音区(10)的距离,在所述的Ding音区(2)和A4音区(10)之间设置有扩展音区,A4音区(10)、扩展音区、Ding音区(2)以及A3音区(3)在手碟主体(1)上间隔均布。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型多音阶手碟的制作方法,手碟包括手碟主体(1)以及设置在手碟主体(1)顶部的Ding音区(2)和环绕音区,其特征在于:环绕音区包括设置在手碟主体(1)相对两侧的A3音区(3)和A4音区(10),所述的Ding音区(2)设置于A3音区(3)和A4音区(10)之间,且Ding音区(2)与A3音区(3)的距离小于Ding音区(2)与A4音区(10)的距离,在所述的Ding音区(2)和A4音区(10)之间设置有扩展音区,A4音区(10)、扩展音区、Ding音区(2)以及A3音区(3)在手碟主体(1)上间隔均布。
2.根据权利要求1所述的新型多音阶手碟的制作方法,其特征在于:对所述的手碟主体(1)进行锻打,锻打完成后进行一次淬火;对一次淬火后的手碟主体(1)进行粗调音,然后再进行二次淬火;对二次淬火后的手碟主体(1)进行精确调音后再进行三次淬火。
3.根据权利要求2所述的新型多音阶手碟的制作方法,其特征在于:所述的一次淬火的温度为400℃,淬火时间为120min;二次淬火的温度为300℃,淬火时间为180min;三次淬火的温度为1400~1600℃,淬火时间为3min。
4.根据权利要求2所述的新型多音阶手碟的制作方法,其特征在于:通过钢锤沿着...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋皓旭,蒋义东,
申请(专利权)人:蒋皓旭,
类型:发明
国别省市:山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。