SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法技术

本发明专利技术提供SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法，所述SiC粉末的电阻率不易经时上升。SiC粉末含有70质量％以上的β－SiC，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm，D10为5μm以上。

【技术实现步骤摘要】
SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法
本专利技术涉及SiC粉末及其制造方法。另外，本专利技术涉及通过外加电压还能够作为加热器发挥作用的蜂窝结构体及其制造方法。
技术介绍
以往，陶瓷制的蜂窝结构体被用作废气净化用的电加热式催化器(EHC)及陶瓷加热器的基材等。在上述用途中，伴有在蜂窝结构体所具有的一对电极部连接金属端子、并外加电压而将蜂窝结构体加热的操作。例如，EHC是设置在汽车等的排气路径中并对从发动机中排出的废气进行净化的排气净化装置。该EHC中，担载有催化剂，通过对EHC进行加热，使得催化剂被加热至活化所需要的温度。以往，已知有为了提高流通于EHC的电流的均匀性而着眼于电极部的电阻率的技术。在日本特开2014－198320号公报(专利文献1)中提出如下方案，即，电极部由将作为骨料的包含碳化硅的粒子利用粘结材料进行粘结得到的多孔体构成，作为构成所述电极部的所述骨料的碳化硅包含层叠缺陷为2％以下的β－SiC，且构成所述电极部的所述粘结材料包含硅及金属硅化物。专利文献1中记载有：通过该构成能够使电极部的电阻率与以往的蜂窝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC粉末，其中，/n含有70质量％以上的β－SiC，/n利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm，D10为5μm以上。/n

【技术特征摘要】
20190606 JP PCT/JP2019/022634;20200408 JP 2020-0691.一种SiC粉末，其中，
含有70质量％以上的β－SiC，
利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm，D10为5μm以上。


2.根据权利要求1所述的SiC粉末，其中，
利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的粒度5μm以下的粒子的累计体积为7％以下。


3.根据权利要求1或2所述的SiC粉末，其中，
利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为15～35μm，D10为7～20μm。


4.根据权利要求1～3中的任一项所述的SiC粉末，其中，
利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D90为100μm以下。


5.根据权利要求1～4中的任一项所述的SiC粉末，其中，
所述粉末中包含的β－SiC的层叠缺陷为5％以下。


6.根据权利要求1～5中的任一项所述的SiC粉末，其中，
所述粉末中包含的β－SiC的层叠缺陷超过2％。


7.根据权利要求1～6中的任一项所述的SiC粉末，其中，
还含有金属硅及硅化物中的一者或两者。


8.根据权利要求1～7中的任一项所述的SiC粉末，其中，
含有选自由Ni、Al、B、N、Ga、Ge、Ti、Cu、Co、P、Cr及Zr构成的组中的1种或2种以上的第三元素。


9.根据权利要求8所述的SiC粉末，其中，
所述粉末中的所述第三元素的合计浓度为6质量％以下。


10.一种SiC粉末的制造方法，其包括以下工序：
将包含SiC化原料粉末及含有第三元素的粉末的混合物成型而制作成型体的工序、
将所述成型体在惰性气氛下于1800℃以下的温度进行烧成而得到含有β－SiC的烧成体的工序、
将所述烧成体粉碎而得到被粉碎的烧成体的工序、以及
将所述被粉碎的烧成体分级而得到利用...

【专利技术属性】
技术研发人员：木俣贵文，青柳宗一郎，山本规介，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP