一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺制造方法及图纸

一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺，涉及光感化学技术领域。制备装置包括用于储备原料氢氟酸的第一储槽、用于储备原料氟化铵的第二储槽、用于储备原料表面活性剂的第三储槽、用于储备原料超纯水的第四储槽、混配槽、以及精密过滤器。第一储槽、第二储槽、第三储槽和第四储槽均同混配槽选择性地连通，混配槽的出口同精密过滤器的进口连通。其结构简单，实现了化繁为简，有助于简化生产流程并降低了操作难度，对于提高生产效率具有积极意义。制备工艺操作简单、易于实施，使整个生产过程更加精简，生产效率得到了提升。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺
本专利技术涉及光感化学
，具体而言，涉及一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺。
技术介绍
现有的用于制备电子级二氧化硅蚀刻液的设备结构较为复杂，各个部件之间的配合控制难度也较高，使用起来相对繁琐，生产效率在一定程度上受到了抑制。有鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
本专利技术的第一个目的在于提供一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置，其结构简单，实现了化繁为简，有助于简化生产流程并降低了操作难度，对于提高生产效率具有积极意义。本专利技术的第二个目的在于提供一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备工艺，其操作简单、易于实施，使整个生产过程更加精简，生产效率得到了提升。本专利技术的实施例是这样实现的：一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置，其包括：用于储备原料氢氟酸的第一储槽、用于储备原料氟化铵的第二储槽、用于储备原料表面活性剂的第三储槽、用于储备原料超纯水的第四储槽、混配槽、以及精密过滤器。第一储槽、第二储槽、第三储槽和第四储槽均同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置，其特征在于，包括：/n用于储备原料氢氟酸的第一储槽；/n用于储备原料氟化铵的第二储槽；/n用于储备原料表面活性剂的第三储槽；/n用于储备原料超纯水的第四储槽；/n混配槽；以及/n精密过滤器；/n所述第一储槽、所述第二储槽、所述第三储槽和所述第四储槽均同所述混配槽选择性地连通，所述混配槽的出口同所述精密过滤器的进口连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置，其特征在于，包括：
用于储备原料氢氟酸的第一储槽；
用于储备原料氟化铵的第二储槽；
用于储备原料表面活性剂的第三储槽；
用于储备原料超纯水的第四储槽；
混配槽；以及
精密过滤器；
所述第一储槽、所述第二储槽、所述第三储槽和所述第四储槽均同所述混配槽选择性地连通，所述混配槽的出口同所述精密过滤器的进口连通。


2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述混配槽包括：槽体、槽盖、辅混管；所述辅混管配置有动力泵，其出口端设于所述槽体的底壁并靠近所述槽体的侧壁设置，其进口端设于所述槽体的另一侧侧壁并靠近所述槽体的顶部设置；所述进口端和所述出口端相向设置。


3.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述进口端的口部具有扩径段，所述扩径段的扩径方向沿所述槽体的长度方向设置，沿所述进口端的进流方向，所述扩径段的扩径量递减。


4.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述辅混管的管体还配置有取样机构，所述取样机构包括：取样件、输出管、取样芯和驱动组件；
所述取样件具有呈圆筒状的内腔，所述取样件同所述辅混管的管体连接，所述内腔同所述辅混管的管体连通；所述输出管同所述取样件连接，所述输出管同所述内腔连通；所述取样芯呈圆筒状，所述取样芯可转动地配合于所述内腔，所述取样芯的外壁均同所述取样件的内壁转动密封；
所述取样芯的中部具有取样槽，所述取样槽由所述取样芯的侧壁凹陷形成；所述取样芯同所述驱动组件传动连接，以使所述取样...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重佑，任建业，刘奕丰，邱建铭，陈少骏，郑义达，李文斌，骆彦成，
申请(专利权)人：福建天甫电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35