一种应用于电力行业产品的带滞回功能的欠压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于电力行业产品的带滞回功能的欠压保护电路，包括稳压管VD1，MOS管VT1、VT2，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，其连接关系为：MOS管VT1源极和备电端电压连接，漏极和用电端电压连接，栅极和电阻R4、R5连接；MOS管VT2源极和GND电性连接，漏极和电阻R2、R3连接，栅极和电阻R6、R7连接；稳压管VD1的基准电压端和连接电阻R1、R2，阳极端连接GND，阴极端连接电阻R5、R6。该滞回功能的备电系统欠压保护电路，其掉电断开备电端的同时，通过滞回电路，解决备电系统电压“虚高”或电压波动造成多次通断电异常问题，同时避免P MOS管工作在线性区，提高备电端电池以及开关等器件寿命，电路简单、可靠，稳定性好。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于电力行业产品的带滞回功能的欠压保护电路
本技术涉及一种滞回电路，尤其是一种应用于电力行业产品的带滞回功能的欠压保护电路。
技术介绍
电池或者超级电容在使用时有一定寿命期限，特别是在充放电阶段对电池的寿命影响很大。尤其锂电池、铅蓄电池等电池在放电后会有一段时间电压缓慢抬升，这种现象称之为电池的“虚高”现象，在该段时间内，后级用电系统会频繁开关，加速电池亏损。该技术电路设计能够有效防止后级电路频繁开关，从而达到保护电池的目的。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种应用于电力行业产品的带滞回功能的欠压保护电路。本技术的技术方案为：包括稳压管VD1，MOS管VT1、VT2，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，其中，MOS管VT1源极和备电端电压连接，漏极和用电端电压连接，栅极和电阻R4、R5连接；MOS管VT2源极和GND电性连接，漏极和电阻R2、R3连接，栅极和电阻R6、R7连接；稳压管VD1的基准电压端和电阻R1、R2连接，阳极端连接GND，阴极端连接电阻R5、R6。本技术的有益效果为：该欠压保护电路增加滞回功能，能够在备电系统电压“虚高”或者波动时，不会让PMOS开关频繁切换，切断后级电路达到保护电池的目的。能够有效防止控制后级开关的PMOS管工作在线性状态，大大降低了MOS管的导通损耗，提高了器件的使用寿命，具有很好的市场利用价值。附图说明为更清晰的了解本技术是如何实施的，现结合附图对实施的技术方案做简单的介绍，其中附图仅仅画出了本技术的实施例和常规方案的对比，其实还可以通过该附图延伸出其他附图。图1为有滞回区间的欠压电路保护原理图；图2为无滞回区间的欠压电路保护原理图。具体实施方式下面结合附图对实施的技术方案作进一步的说明，其中附图仅仅画出了本技术的实施例和常规方案的对比，主要针对本技术的优势做具体阐述：如附图1所示，为本技术有滞回区间的欠压电路保护原理图，包括稳压管VD1，MOS管VT1、VT2，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，其中，MOS管VT1源极和备电端电压连接，漏极和用电端电压连接，栅极和电阻R4、R5连接；MOS管VT2源极和GND电性连接，漏极和电阻R2、R3连接，栅极和电阻R6、R7连接；稳压管VD1的基准电压端和电阻R1、R2连接，阳极端连接GND，阴极端连接电阻R5、R6。工作原理：备电端电压通过VT2可以产生两个电压基准点，高电压VH、低电压VL。其高电压数值关系为VH*R2/(R1+R2)＝2.5V，其低电压数值关系为VL*(R2+R3)/(R1+R2+R3)＝2.5V。初始状态备电端电压较高，且高于VH，此时备电端电压通过电阻R1、R2、R3分压得到VD1的比较电压大于2.5V，使得TL431内部三极管导通，VD1处于饱和状态。电流从备电端经R4、R5电阻和VD1接至GND，VT1的栅极端电压等于VD1的阴极端电压，VT1的源极端电压为备电端电池电压，VT1的栅极电压低于源极电压，PMOS管导通，电池给后级供电。当备电端电压逐渐降低直至低于VL电压时，VD1阴极电压逐渐升高，但还没有达到VT1的线性状态，此时R6和R7电阻分压满足VT2的栅源极导通条件，使得VT2导通，紧接着VD1基准脚电压变成R1和R2两个电阻分压，基准电压迅速降低，使得VD1迅速关断，电路进入欠压锁定状态，这样就避免了备电端电池电压缓慢下降导致的VT1开关管工作在线性态的情况。当电池电压出现“虚高”状态时，由于设置了滞回区间，只有当备电端电压高于VH时，VD1才会再次工作在饱和态，VT1开关管才会再次导通。如附图2所示，为无滞回区间的欠压电路保护原理图，包括TL431稳压电路，第一MOS管VT1、所述TL431稳压电路阴极和第一MOS管VT1栅极连接，所述TL431稳压电路阳极和GND电性连接，所述TL431稳压电路基准电压端和第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3连接，所述第一MOS管VT1栅极通过第四电阻R4和TL431阴极端连接，所述第一MOS管VT1源极和漏极分别和备电端、用电端连接，加入该图的目的是为了方便对比本技术专利有滞回区间带来的有效性，附图2所示的连接关系为：备电端电池通过R1、R2电阻电压控制VD1的基准电压，当VD1基准电压大于2.5V时，VT1导通前级能量通过该PMOS管传递至后级；当VD1电压从2.5V缓慢下降时，VD1阴极电压缓慢上升，达到某电压范围时，VT1开关管处于线性导通状态，此时VT1导通损耗增大，直至VT1关断。当备电端电池电压处于“虚高”状态或者出现电池电压波动时，会使得VT1处于频繁开关状态，大大降低了电池的使用寿命以及开关管的器件寿命，没有达到较好的保护效果。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于电力行业产品的带滞回功能的欠压保护电路，其特征在于，包括稳压管VD1，MOS管VT1、VT2，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，其连接关系为：MOS管VT1源极和备电端电压连接，漏极和用电端电压连接，栅极和电阻R4、R5连接；MOS管VT2源极和GND电性连接，漏极和电阻R2、R3连接，栅极和电阻R6、R7连接；稳压管VD1的基准电压端和电阻R1、R2连接，阳极端连接GND，阴极端连接电阻R5、R6。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于电力行业产品的带滞回功能的欠压保护电路，其特征在于，包括稳压管VD1，MOS管VT1、VT2，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，其连接关系为：MOS管VT1源极和备电端电压连接，漏极和用电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王清金，徐怀海，秦振，赵怀明，崔力慧，孙俊峰，朱建航，
申请(专利权)人：青岛鼎信通讯股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37