一种硅基滤波芯片器件制造技术

本实用新型专利技术适用于通信技术领域，提供了一种硅基滤波芯片器件，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；所述第一谐振器位于硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。该硅基滤波芯片器件可以形成调节传输零点，优化了硅基滤波芯片器件的选择性。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基滤波芯片器件
本技术属于通信
，尤其涉及一种硅基滤波芯片器件。
技术介绍
伴随着现代无线通信技术的高速发展，通信产品已经广泛的融入了人们的生活中，对人们的影响越来越大。无线通信系统的标准由传统的GSM标准到第三代通信标准WCDMA、TD-SCDMA、CDMA2000，以及今天普遍采用的第四代通信标准LTE(LongTermEvaluation，长期演进技术)和需要推进的5G通信时代。无源器件在通信系统中起到提升整体系统通信质量的作用。滤波器作为无线通信系统中关键器件之一，其性能对系统终端的影响重大。滤波器可以调节系统的谐波成分、降低邻近信道之间的干扰等。已有的滤波器件主要是基于印刷电路板或金属腔体来实现在5G毫米波频段的工作。这会带来了滤波器件本身体积过大，不适用于集成等问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种滤波器，旨在提高滤波器的选择性。本技术是这样实现的，一种硅基滤波芯片器件，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；所述第一谐振器位于硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。进一步地，所述第一谐振器和所述第二谐振器之间具有二氧化硅基材。进一步地，所述第一谐振器、第二谐振器和介质层的外围形成有环形地，所述环形地用于隔离杂波。进一步地，所述第一、第二谐振器均由磁电耦合传输线围成，所述第一谐振器关于纵向轴线对称，所述第二谐振器关于纵向轴线对称。进一步地，所述第一谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线重叠，所述第一谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线对应。进一步地，所述第一谐振器由磁电耦合传输线围成，具有第一凸状结构、第二凸状结构、第一凹状结构、第一传输端和第二传输端，所述第一凹状结构连接所述第一凸状结构和所述第二凸状结构，所述第一传输端连接于所述第一凸状结构的纵向磁电耦合传输线的中间部位，所述第二传输端连接于所述第二凸状结构的纵向磁电耦合传输线的中间部位。进一步地，所述第二谐振器由磁电耦合传输线围成，具有第三凸状结构、第二凹状结构和第三凹状结构，所述第三凸状结构连接所述第二凹状结构和所述第三凹状结构。进一步地，所述第一谐振器由磁电耦合传输线围成，具有相对设置的第四凸状结构和第五凸状结构，相对设置的第六凸状结构和第七凸状结构，第一传输端和第二传输端；所述第四凸状结构和第六凸状结构均位于上侧且相邻设置，所述第四凸状结构和第六凸状结构之间由磁电耦合传输线连接以形成一凹状结构；所述第五凸状结构和第七凸状结构均位于下侧且相邻设置；所述第四凸状结构和第五凸状结构的一侧连接设置，所述第一传输端位于所述第四凸状结构和第五凸状结构的连接线中间部位，所述第六凸状结构和第七凸状结构的一侧连接设置，所述第二传输端位于所述第六凸状结构和第七凸状结构的连接线中间部位。进一步地，所述介质层由二氧化硅基材组成。进一步地，所述衬底层由高阻硅组成。本技术与现有技术相比，有益效果在于：该硅基滤波芯片器件通过将磁电耦合传输线组成的第一谐振器和第二谐振器相互配合设置，使得第一谐振器和第二谐振器可以形成调节传输零点，优化了硅基滤波芯片器件的选择性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术硅基滤波芯片器件的结构示意图；图2为硅基滤波芯片器件的俯视结构示意图；图3为硅基滤波芯片器件的环形地的俯视结构示意图；图4为硅基滤波芯片器件的第一谐振器的结构示意图；图5为硅基滤波芯片器件的第二谐振器的结构示意图；图6为另一实施例的硅基滤波芯片器件的俯视结构示意图；图7为另一实施例的第一谐振器的结构示意图；图8为硅基滤波芯片器件的模拟和测试数据示意图。具体实施方式为使得本技术的专利技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而非全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1和图2，图1为硅基滤波芯片器件的侧面结构示意图，图2为硅基滤波芯片器件的俯视结构示意图。该硅基滤波芯片器件包括：第一谐振器10、第二谐振器20、介质层30和衬底层40。第一谐振器10位于硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成。所述第二谐振器20邻接于所述第一谐振器10，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器10和所述第二谐振器20协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带。第一谐振器10和第二谐振器20由折线形对称的磁电混合耦合传输线结构构成，可以形成可调节的传输零点。也就是说，第一谐振器10和第二谐振器20的传输线结构在高频情况下，可等效为电感。同时，顶层和底层谐振器的传输线之间存在耦合，形成电容效应。这样等效电感和电容可以形成谐振结构，产生传输零点结构。所述介质层30位于所述第二谐振器20和所述衬底层40之间。所述衬底层40形成所述硅基滤波芯片器件的底部。介质层30由二氧化硅基材组成，衬底层40由高阻硅组成。所述第一谐振器10和所述第二谐振器20之间具有二氧化硅介质材料，以使两谐振器相互之间的作用增强。作为优选的一个实施例，如图3所示，所述第一谐振器10、第二谐振器20和介质层30的外围形成有环形地50。环形地50用于隔离杂波，主要是用于隔离硅基滤波芯片器件和其它电路之间存在的相互干扰的杂波。环形地50位于衬底层40的上方，且位于第一谐振器10、第二谐振器20和介质层30层结构的外围。环形地50呈矩形形状，且在外围形成有两个开口，该两个开口用于容置第一谐振器10的两个传输端。该硅基滤波芯片器件通过将磁电耦合传输线组成的第一谐振器和第二谐振器相互配合、协同工作，使得第一谐振器和第二谐振器可以形成调节传输零点，优化了硅基滤波芯片器件的选择性。并且该硅基滤波芯片器件各层之间采用紧缩型的谐振结构，可以减小滤波器的尺寸，便于芯片的集成。该硅基滤波芯片器件适用于5G的高速通信，并且可以使整个芯片的集成体积小型化。结合图2和图6所示，图2为其中一个实施例的硅基滤波芯片器件的俯视结构示意图，图6为另一个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基滤波芯片器件，其特征在于，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；/n所述第一谐振器位于所述硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；/n所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；/n所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；/n所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基滤波芯片器件，其特征在于，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；
所述第一谐振器位于所述硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；
所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；
所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；
所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。


2.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器之间具有二氧化硅基材。


3.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器、第二谐振器和介质层的外围形成有环形地，所述环形地用于隔离杂波。


4.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一、第二谐振器均由磁电耦合传输线围成，所述第一谐振器关于纵向轴线对称，所述第二谐振器关于纵向轴线对称。


5.根据权利要求4所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线重叠，所述第一谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线对应。


6.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器由磁电耦合传输线围成，具有第一凸状结构、第二凸状结构、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽丽，罗振东，
申请(专利权)人：深圳市前海派速科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44