【技术实现步骤摘要】
一种栅极衬底控制电路、锂电池及其保护芯片的保护装置
本专利技术涉及锂电池保护
，具体涉及一种栅极衬底控制电路、锂电池及其保护芯片的保护装置。
技术介绍
随着近年来移动终端功能的不断增加，移动终端的性能也在飞速提升，这对终端电池也提出了更多的要求。目前，为了将电路面积做到最小以及成本做到最低，通常选用5VCMOS工艺来实现。而5VCMOS工艺MOS管击穿电压在8V至12V之间。由于电池保护电路在充放电以及生产测试过程中可能会产生高达12V以上的尖峰电压以及直流高电压，用5VCMOS工艺做成的电池保护电路会被尖峰电压或者直流高电压击穿从而造成电池保护电路的损坏。现有技术中，直观的解决办法是选用击穿电压更高的半导体工艺来增加电池保护电路的耐压值，使其能够承受12V以上的尖峰电压以及直流高电压，但是会增加工艺层数以及大大增加半导体器件在芯片上所占用的面积，使保护电路的成本大大上涨。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出了一种栅极衬底控制电路、锂电池及其保护芯片的保护装置，采用两个P沟...
【技术保护点】
1.一种栅极衬底控制电路，其特征在于：包括多个电平转换电路、多个输入端、第二MOS管、第三MOS管、第二电阻和第四MOS管，其中：/n所述第二MOS管的源极和衬底连接VDD端，所述第二MOS管的漏极与第三MOS管的源极和衬底连接，所述第二电阻的一端连接第三MOS管的漏极且另一端连接第四MOS管的漏极，第二MOS管的栅极与第四MOS管的栅极连接后连接其中一个电平转换电路的VGATE1N端，第三MOS管的栅极连接VGND端，第四MOS管的源极和衬底与多个电平转换电路的VSS端连接；/n所述输入端包括VGATE1端、VOC端和VCHOC端，且分别连接多个电平转换电路的输入端，VG...
【技术特征摘要】
1.一种栅极衬底控制电路，其特征在于：包括多个电平转换电路、多个输入端、第二MOS管、第三MOS管、第二电阻和第四MOS管，其中：
所述第二MOS管的源极和衬底连接VDD端，所述第二MOS管的漏极与第三MOS管的源极和衬底连接，所述第二电阻的一端连接第三MOS管的漏极且另一端连接第四MOS管的漏极，第二MOS管的栅极与第四MOS管的栅极连接后连接其中一个电平转换电路的VGATE1N端，第三MOS管的栅极连接VGND端，第四MOS管的源极和衬底与多个电平转换电路的VSS端连接；
所述输入端包括VGATE1端、VOC端和VCHOC端，且分别连接多个电平转换电路的输入端，VGATE1端用于判断异常工作状态，VOC端用于判断异常充电状态，VCHOC端用于充电过流比较器的结果输出；
所述电平转换电路包括第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第三电阻、第四电阻、第十六MOS管和第十七MOS管，其中：所述第十二MOS管的漏极与第十六MOS管的源极连接，第十四MOS管的漏极与第十七MOS管的源极连接，所述第三电阻一端连接第十六MOS管的漏极且另一端连接第十三MOS管的漏极和第十五MOS管的栅极，所述第四电阻一端连接第十七MOS管的漏极且另一端连接第十五MOS管的漏极和第十三MOS管的栅极，第十三MOS管的源极与第十五MOS管的源极连接。
2.根据权利要求1所述的栅极衬底控制电路，其特征在于：还包括第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、VSS端和多个输出端，所述输出端包括VGATE端和VSUB端，其中：
所述第六MOS管的源极和第七MOS管的源极连接后连接VSUB端，第六MOS管的漏极分别连接电池的VGND端和第八MOS管的漏极，第六MOS管的栅极连接其中一个电平转换电路的VOCP端；
所述第七MOS管的漏极连接充电器的VM端和第九MOS管的漏极，第七MOS管的栅极连接其中一个电平转换电路的VOCN端；
所述第八MOS管的源极和衬底与第九MOS管的源极和衬底连接后连接VSS端并连接到电平转换电路的VSS端，第八MOS管的栅极连接其中一个电平转换电路的VCHOCP端；
所述第九MOS管的栅极连接其中一个电平转换电路的VCHOCN端；
所述第二电阻与第四MOS管的漏极连接后连接VGATE端。
3.根据权利要求1所述的栅极衬底控制电路，其特征在于：所述电平转换电路还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋锦茂，
申请(专利权)人：苏州赛芯电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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